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NXH35C120L2C2SG

产品分类: IGBT模块
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi igbt模块, 最大 650 V, 最大 35 A
供应商型号: CY-NXH35C120L2C2SG
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 NXH35C120L2C2SG

NXH35C120L2C2SG概述

    # NXH35C120L2C2SG/S1G 技术手册

    产品简介


    NXH35C120L2C2SG/S1G 是一款采用转移模制工艺制造的功率模块,包含一个包含六个 35A、1600V 整流二极管、六个 35A、1200V IGBT 和一个 35A、1200V 制动 IGBT 的逆变-整流-制动电路。此外,模块还包括一个负温度系数热敏电阻(NTC)。NXH35C120L2C2S1G 模块包含一个不带制动电路的逆变-整流电路。
    主要功能
    - 转换效率高:包含多个整流二极管和 IGBT,适合高效能转换需求。
    - 低热阻:具备低热阻特性,能够有效散热,提高可靠性。
    - 紧凑设计:体积小巧,便于安装和集成。
    - 环保材料:无铅、无卤素、无BFR,并符合RoHS标准。
    应用领域
    - 工业电机驱动
    - 伺服驱动系统

    技术参数


    极限参数
    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |

    | IGBT 集电极-发射极电压 | VCES | 1200 | V |
    | IGBT 门极-发射极电压 | VGE | ±20 | V |
    | 连续集电极电流 @ Tc=80°C | IC | 35 | A |
    | 短时集电极电流 | ICpulse | 105 | A |
    电气特性
    - IGBT 特性
    - 集电极-发射极截止电流 | ICES | - | 250 | μA |
    - 集电极-发射极饱和电压 | VCE(sat) | - | 1.8~2.4 | V |
    - 门极-发射极阈值电压 | VGE(TH) | 4.8~6.8 | V |
    - 开关损耗 | Eon/Eoff | - | 2900/1200 | μJ |
    - 二极管特性
    - 反向漏电流 | IR | - | 200 | μA |
    - 正向压降 | VF | - | 2.2~2.7 | V |
    - 反向恢复时间 | trr | - | 224 | ns |
    - 整流二极管特性
    - 反向漏电流 | IR | - | 200 | μA |
    - 正向压降 | VF | - | 1.1~1.5 | V |

    产品特点和优势


    - 低热阻:有助于散热,提高设备可靠性和耐用性。
    - 封装尺寸紧凑:体积小,适用于空间有限的应用场景。
    - 环保材料:符合RoHS标准,不含铅、卤素和BFR,环保友好。
    - 高耐受性:绝缘电压高达3000V,适用于高电压应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 工业电机驱动:适用于各种电机驱动系统,确保电机稳定运行。
    - 伺服驱动系统:提供精确控制和高效能转换,确保伺服系统的平稳运行。
    使用建议
    - 散热管理:由于模块具有低热阻,建议使用高效的散热片或热管理策略以确保长期稳定运行。
    - 电路设计:在电路设计中,注意选择合适的IGBT和二极管组合以实现最佳性能。
    - 电源管理:合理管理电源,避免过载,确保安全运行。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与多种工业标准兼容,可应用于广泛的电机驱动和伺服控制系统。
    - 技术支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档,包括电路图、参数表和使用指南。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 温度过高导致损坏
    - 解决方案:确保使用合适的散热片,并考虑使用主动冷却系统。
    2. 正向压降过大
    - 解决方案:检查电路连接和负载情况,确认是否符合设计要求。
    3. 反向恢复时间过长
    - 解决方案:选择合适的二极管型号或增加外置电容来改善反向恢复特性。

    总结和推荐


    NXH35C120L2C2SG/S1G 是一款高性能的工业电机驱动模块,具备低热阻、紧凑封装和环保材料等优势,适用于多种工业应用。其优良的电气特性和稳定的性能使其成为市场上的强有力竞争者。推荐用于需要高效能转换和精确控制的场合。

NXH35C120L2C2SG参数

参数
集电极电流 35A
最大功率耗散 20mW(Typ)
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.4V@ 15V,35A
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 3相
通用封装 DIP-26
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

NXH35C120L2C2SG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NXH35C120L2C2SG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 ON SEMICONDUCTOR NXH35C120L2C2SG NXH35C120L2C2SG数据手册

NXH35C120L2C2SG封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 83.5157 ¥ 676.546
25+ $ 80.0646 ¥ 664.8814
50+ $ 76.6135 ¥ 653.2168
100+ $ 75.2331 ¥ 647.3845
300+ $ 74.5429 ¥ 641.5522
500+ $ 73.8527 ¥ 635.7199
1000+ $ 71.7821 ¥ 606.5584
5000+ $ 71.7821 ¥ 606.5584
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