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TIG074E8-TL-H

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8V 5.4V@ 2.5V,100A 贴片安装 2.9mm(长度)*2.3mm(宽度)
供应商型号: CY-TIG074E8-TL-H
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 TIG074E8-TL-H

TIG074E8-TL-H概述

    # N-Channel IGBT: TIG074E8 技术手册

    产品简介


    TIG074E8 是一款由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的N-通道绝缘栅双极型晶体管(N-Channel IGBT)。它具备低饱和电压、低驱动电压和增强型等特点,广泛应用于光控闪光灯等照明控制应用。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - 集电极到发射极电压(VCES): 400 V
    - 栅极到发射极电压(直流)(VGES): ±4 V
    - 栅极到发射极电压(脉冲)(VGES): ±5 V
    - 集电极电流(脉冲)(ICP): 150 A (VGE=2.5V, CM=200μF)
    - 最大集电极到发射极关断速率(dv / dt): 400 V / μs
    - 结温(Tj): 150 °C
    - 存储温度(Tstg): -40 to +150 °C
    电气特性(Ta=25°C)
    - 集电极到发射极击穿电压(V(BR)CES): 400 V (IC=2mA, VGE=0V)
    - 集电极截止电流(ICES): 10 μA (VCE=320V, VGE=0V)
    - 栅极到发射极漏电流(IGES): ±10 μA (VGE=±4V, VCE=0V)
    - 栅极到发射极阈值电压(VGE(off)): 0.4-0.9 V (VCE=10V, IC=1mA)
    - 集电极到发射极饱和电压(VCE(sat)): 3.8-5.4 V (IC=100A, VGE=2.5V)
    - 输入电容(Cies): 3100 pF (VCE=10V, f=1MHz)
    - 输出电容(Coes): 32 pF
    - 反向转移电容(Cres): 24 pF

    产品特点和优势


    TIG074E8 的主要特点包括低饱和电压、低驱动电压、增强型设计、内置栅极到发射极保护二极管以及无卤素合规。这些特性使其在多种应用场景中表现出色,尤其适用于需要高可靠性和高性能的场合。
    独特功能
    - 低饱和电压:确保更高的效率。
    - 低驱动电压:降低功耗,简化电路设计。
    - 增强型:提高可靠性。
    - 内置保护二极管:防止栅极损坏。
    - 无卤素合规:环保且符合国际标准。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    TIG074E8 广泛应用于光控闪光灯等领域。通过其卓越的电气特性和稳定的工作性能,能够满足高亮度和高频率要求的闪光灯控制需求。
    使用建议
    - 优化电路设计:根据电气特性选择合适的栅极电阻(RG),以确保安全的开关过程。
    - 监控温度变化:保持工作温度在推荐范围内,避免超出绝对最大额定值。
    - 合理布局:在PCB上合理布置散热片,确保良好的热传导和散热效果。

    兼容性和支持


    TIG074E8 具有良好的兼容性,可以与各种现有电路板和设备集成。此外,安森美半导体提供详尽的技术支持和文档资源,确保用户能够高效地进行产品应用和故障排除。
    订单信息
    - 订购编号:ENA2209
    - 包装:ECH8,每卷3,000件
    - 无铅无卤:符合RoHS和REACH标准

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何确定最佳驱动电压?
    2. 温度对饱和电压的影响如何?
    解决方案
    1. 确定最佳驱动电压:根据电气特性图表选择合适的VGE(例如2.5V),确保电路稳定运行。
    2. 温度影响:查阅数据表中的温度相关特性曲线,合理调节温度,确保饱和电压在预期范围内。

    总结和推荐


    TIG074E8 作为一款高性能N-通道IGBT,具备多项独特优势,特别适合光控闪光灯及其他照明控制应用。其低饱和电压和低驱动电压特性使得其在提升系统能效方面表现出色。因此,我们强烈推荐这款产品给寻求高性能和高可靠性的用户。
    综上所述,TIG074E8 在众多同类产品中脱颖而出,不仅具有出色的电气性能,而且拥有广泛的适用性和良好的兼容性。无论是对于新项目还是现有系统的升级,TIG074E8 都是一个值得信赖的选择。

TIG074E8-TL-H参数

参数
集电极电流 -
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 5.4V@ 2.5V,100A
最大集电极发射极饱和电压 3.8V
配置 -
长*宽*高 2.9mm(长度)*2.3mm(宽度)
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

TIG074E8-TL-H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

TIG074E8-TL-H数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR TIG074E8-TL-H TIG074E8-TL-H数据手册

TIG074E8-TL-H封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
300+ $ 0.2509 ¥ 2.1596
500+ $ 0.2486 ¥ 2.14
1000+ $ 0.2416 ¥ 2.0418
5000+ $ 0.2416 ¥ 2.0418
库存: 1918
起订量: 464 增量: 1
交货地:
最小起订量为:300
合计: ¥ 647.88
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