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FGH75T65SQDTL4

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi IGBT, TO-247封装, 4引脚
供应商型号: 15D-FGH75T65SQDTL4
供应商: 国内现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 FGH75T65SQDTL4

FGH75T65SQDTL4概述

    FGH75T65SQDTL4 IGBT 技术手册解析

    1. 产品简介


    FGH75T65SQDTL4 是一种采用新型场截止技术的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),由 ON Semiconductor 公司制造。该系列的第四代场截止 IGBT 主要用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊机、电信设备、储能系统(ESS)及功率因数校正(PFC)等领域。这些应用通常要求低导通损耗和开关损耗。

    2. 技术参数


    - 最大结温: TJ = 175°C
    - 热阻: RJC (IGBT) = 0.4 C/W,RJC (Diode) = 0.65 C/W,RJA = 40 C/W
    - 电压参数:
    - 集电极到发射极击穿电压: VCES = 650 V
    - 集电极峰值电流: ICM = 300 A
    - 发射极二极管正向电流: IF = 125 A (TC = 25°C),IF = 75 A (TC = 100°C)
    - 动态参数:
    - 输入电容: Cies = 4845 pF (VCE = 30 V, VGE = 0 V, f = 1MHz)
    - 输出电容: Coes = 155 pF
    - 反向转移电容: Cres = 14 pF
    - 开关参数:
    - 开启延迟时间: Td(on) = 44 ns (VCC = 400 V, IC = 18.8 A)
    - 上升时间: Tr = 20 ns
    - 关闭延迟时间: Td(off) = 276 ns
    - 下降时间: Tf = 32 ns
    - 开关损耗: Eon = 307 μJ, Eoff = 266 μJ

    3. 产品特点和优势


    - 正温度系数:易于并联操作,提高了系统的可靠性。
    - 高电流能力:能够处理高达 150 A 的连续电流和高达 300 A 的脉冲电流。
    - 低饱和电压:在 IC = 75 A 和 VGE = 15 V 条件下,饱和电压 VCE(sat) = 1.6 V,保证了低损耗。
    - 快速开关:优秀的动态特性和较低的开关损耗,适合高频应用。
    - 紧分布参数:确保产品的高度一致性,减少了生产过程中不稳定性带来的风险。

    4. 应用案例和使用建议


    - 太阳能逆变器:IGBT 的低损耗特性使其成为太阳能逆变器的理想选择,降低了系统整体能耗。
    - 不间断电源(UPS):由于 IGBT 在高频下的高效运行,使得 UPS 系统可以在有限的空间内提供更高的效率。
    - 焊接设备:通过提高开关频率,可以减少热量产生,提高焊接质量。
    使用建议:在选择 IGBT 时,需要根据具体应用的负载条件进行细致匹配。例如,在焊接设备中,应考虑 IGBT 的散热性能,以确保长期稳定运行。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IGBT FGH75T65SQDTL4 与现有的 TO-247-4LD 封装标准兼容,便于集成到现有系统中。
    - 支持和维护:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,客户可以通过技术支持热线和技术文档资源获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: IGBT 在高温环境下是否会失效?
    - A: IGBT 设计为可以在高达 175°C 的结温下工作。在高温环境下使用时,需要考虑额外的散热措施。

    - Q: 如何确保 IGBT 在开关过程中的稳定性?
    - A: 使用适当的栅极电阻(RG)和合适的门极驱动信号来优化开关性能。通过调整门极驱动信号的电压和上升时间,可以实现更稳定的开关过程。

    7. 总结和推荐


    FGH75T65SQDTL4 IGBT 是一款高性能的产品,特别适用于太阳能逆变器、UPS 和焊接设备等应用。其低损耗、高电流能力和良好的开关性能使其在市场上具有显著的竞争优势。我们强烈推荐在上述应用中选用此款 IGBT,以获得最佳性能和可靠性。
    该手册详细介绍了 FGH75T65SQDTL4 IGBT 的技术参数、应用场景和使用建议,展示了其在多个领域的优越性能和可靠性。

FGH75T65SQDTL4参数

参数
配置 独立式
集电极电流 150A
最大功率耗散 375W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 1.6V
长*宽*高 15.8mm*5.2mm*22.74mm
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

FGH75T65SQDTL4厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGH75T65SQDTL4数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR FGH75T65SQDTL4 FGH75T65SQDTL4数据手册

FGH75T65SQDTL4封装设计

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