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FGB20N60SFD

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi IGBT, 最大 600 V, 最大 20 A
供应商型号: FL-FGB20N60SFD
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 FGB20N60SFD

FGB20N60SFD概述


    产品简介


    FGB20N60SFD是一款由ON Semiconductor生产的600V、20A场截止(Field Stop)IGBT。 该IGBT采用新型场截止技术,特别适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊接机及功率因数校正(PFC)等应用场景。其低导通损耗和开关损耗使其在高效电力转换系统中表现出色。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 集电极-发射极电压(VCES):600V
    - 门极-发射极电压(VGES):±20V
    - 最大瞬态门极-发射极电压(Transient Gate-to-Emitter Voltage):±30V
    - 连续集电极电流(IC):25°C时40A,100°C时20A
    - 脉冲集电极电流(ICM):25°C时60A
    - 反向二极管正向电流(IF):25°C时20A,100°C时10A
    - 最大反向二极管脉冲正向电流(IFM):60A
    - 最大功率耗散(PD):25°C时208W,100°C时83W
    - 工作结温(TJ):-55至+150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55至+150°C
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻(RθJC):0.6°C/W(IGBT),2.6°C/W(二极管)
    - 结到环境热阻(RθJA):40°C/W(PCB安装)
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间(td(on)):25°C时13ns,125°C时12ns
    - 上升时间(tr):25°C时16ns,125°C时16ns
    - 关闭延迟时间(td(off)):25°C时90ns,125°C时95ns
    - 下降时间(tf):25°C时24ns至48ns,125°C时28ns
    - 开关损耗(Eon和Eoff):25°C和125°C时的具体数值见技术手册

    产品特点和优势


    FGB20N60SFD具备以下几个独特的优势:
    - 高电流能力: 可承受高达20A的连续电流。
    - 低饱和电压: 在20A条件下,饱和电压仅为2.2V,使得能量损失小。
    - 高输入阻抗: 允许更好的驱动设计。
    - 快速开关: 具备较低的开关损耗,有利于提高系统的整体效率。
    - RoHS合规: 符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    FGB20N60SFD 广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源、焊接机及PFC系统中。由于其低损耗特性,这些应用能显著提升能源转换效率。
    使用建议:
    - 太阳能逆变器: 为了获得最佳效果,应确保IGBT工作在适当的冷却条件下,以维持低饱和电压。
    - 焊接机: 在高速切换条件下使用时,注意热管理以防止过热。
    - PFC电路: 利用其快速开关特性优化PFC电路的响应速度。

    兼容性和支持


    FGB20N60SFD 与市场上常见的电子设备和其他半导体组件具有良好的兼容性。ON Semiconductor提供了详尽的技术文档和支持服务,帮助客户更好地理解和使用这款IGBT。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确定IGBT是否正确接线?
    - 答: 确保按照手册中的接线图进行接线,且测量IGBT的正向和反向电阻以验证连接正确。
    2. 问:IGBT的工作温度范围是多少?
    - 答: 工作温度范围为-55至+150°C,确保在极端环境下也能正常工作。
    3. 问:如何处理IGBT的散热问题?
    - 答: 使用合适的散热片和热导胶,保持IGBT在安全温度范围内运行。

    总结和推荐


    FGB20N60SFD 是一款高性能的IGBT,在多个关键应用中表现优异。 其高电流能力、低饱和电压、快速开关特性使其成为能源转换系统中的理想选择。尽管在某些极端应用中需要注意热管理和冷却措施,但总体来说,这是一款值得推荐的产品。对于希望提升系统效率并降低成本的工程师而言,它无疑是一个优秀的选项。

FGB20N60SFD参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 2.2V
配置 独立式withbuilt-indiode
集电极电流 40A
最大功率耗散 208W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
10.67mm(Max)
9.65mm(Max)
4.83mm(Max)
通用封装 D2PAK,TO-263
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 卷带包装

FGB20N60SFD厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGB20N60SFD数据手册

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FGB20N60SFD封装设计

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