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NGTG15N120FL2WG

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 294KW 2V 2.4V@ 15V,15A 30A TO-247-3 通孔安装
供应商型号: FL-NGTG15N120FL2WG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 NGTG15N120FL2WG

NGTG15N120FL2WG概述

    NGTG15N120FL2W/D 电子元器件产品手册

    1. 产品简介


    产品类型:
    本产品是一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具体型号为NGTG15N120FL2W/D。IGBT结合了MOSFET和BJT的优点,是电力电子电路中的一种核心器件,广泛应用于电力变换与控制等领域。
    主要功能:
    - 提供低导通压降和最小化开关损耗。
    - 适用于高功率应用,如不间断电源(UPS)和太阳能逆变器。
    - 高速开关优化设计。
    应用领域:
    - 太阳能逆变器
    - 不间断电源系统(UPS)
    - 焊接机

    2. 技术参数


    绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压 (VCES):1200V
    - 集电极电流 (TC = 25°C): 30A
    - 集电极电流 (TC = 100°C): 15A
    - 脉冲集电极电流 (Tpulse): 60A
    - 门极-发射极电压 (VGE): ±30V
    - 功率耗散 (TC = 25°C): 294W
    - 功率耗散 (TC = 100°C): 147W
    - 短路承受时间 (TSC): 10μs
    - 工作结温范围 (TJ): -55至+175°C
    - 储存温度范围 (Tstg): -55至+175°C
    - 焊接温度 (TSLD): 260°C
    热特性:
    - 结到壳体的热阻 (RJC): 0.51°C/W
    - 结到环境的热阻 (RJA): 40°C/W
    电气特性 (TJ = 25°C):
    - 集电极-发射极击穿电压 (V(BR)CES): 1200V
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat): 2.00至2.40V
    - 门极-发射极阈值电压 (VGE(th)): 4.5至6.5V
    - 门极漏电流 (IGES): ≤200nA
    开关特性 (INDUCTIVE LOAD):
    - 导通延迟时间 (td(on)): 64至128ns
    - 上升时间 (tr): 104至262ns
    - 关断延迟时间 (td(off)): 128至134ns
    - 下降时间 (tf): 173至262ns

    3. 产品特点和优势


    产品特点:
    - 极端高效的沟槽技术和场截止技术。
    - 结点最高温度 (TJmax): 175°C。
    - 非常适合高速开关应用。
    - 10μs短路能力。
    产品优势:
    - 高效节能:低导通压降(VCEsat)与最小化开关损耗(Eoff)。
    - 广泛适用性:适用于UPS和太阳能逆变器。
    - 长寿命和可靠性:高温结耐受能力和短路保护设计。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在太阳能逆变器中,可以实现高效能量转换,提高系统整体效率。
    - 在UPS系统中,能够确保电力稳定供应,减少中断风险。
    使用建议:
    - 使用前需详细阅读技术手册并了解产品的工作原理。
    - 注意热管理,确保安装良好的散热措施。
    - 根据负载情况选择合适的驱动电阻(Rg),以获得最佳的开关性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:
    该产品与标准的IGBT驱动电路和控制系统兼容。适用于常见的太阳能逆变器和UPS设备。
    - 支持和维护:
    - 可通过官方网站获取技术支持和文档资料。
    - 客户服务热线和技术支持邮箱提供帮助。
    - 定期进行软件更新和固件升级。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方法 |

    | 温度过高导致损坏 | 检查散热器是否安装正确,确保周围环境通风良好。 |
    | 开关频率不稳定 | 确认驱动电阻(Rg)值符合规范,重新设置驱动信号。 |
    | 高频噪声干扰 | 添加滤波电容并优化PCB布线。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    NGTG15N120FL2W/D 是一款高性能的IGBT产品,具有高可靠性和广泛的适用性。在高速开关应用中表现出色,特别适用于太阳能逆变器和UPS系统。
    推荐:
    由于其卓越的性能和广泛的适用性,我们强烈推荐这款IGBT用于各类电力转换和控制的应用场合。对于需要高效率和稳定性的工程应用,NGTG15N120FL2W/D无疑是一个理想的选择。

NGTG15N120FL2WG参数

参数
配置 -
集电极电流 30A
最大功率耗散 294KW
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.4V@ 15V,15A
最大集电极发射极饱和电压 2V
16.25mm(Max)
5.3mm(Max)
21.4mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

NGTG15N120FL2WG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NGTG15N120FL2WG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR NGTG15N120FL2WG NGTG15N120FL2WG数据手册

NGTG15N120FL2WG封装设计

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