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FGY75N60SMD

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi IGBT, 最大 600 V, 最大 150 A
供应商型号: UA-FGY75N60SMD
供应商: 海外现货
标准整包数: 450
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 FGY75N60SMD

FGY75N60SMD概述


    产品简介


    FGY75N60SMD是一款由Fairchild半导体公司生产的600伏特、75安培场截止型绝缘栅双极晶体管(Field Stop IGBT)。这种类型的IGBT具有高电流处理能力和低饱和电压的特点,适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备及功率因数校正(PFC)等多种应用场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-发射极电压(VCES):600 V
    - 栅极-发射极电压(VGES):±20 V
    - 暂态栅极-发射极电压(VGE(max)):±30 V
    - 最大连续集电极电流(IC):@ TC = 25℃时为150 A,@ TC = 100℃时为75 A
    - 脉冲集电极电流(ICM):@ TC = 25℃时为225 A
    - 二极管正向电流(IF):@ TC = 25℃时为75 A,@ TC = 100℃时为50 A
    - 二极管脉冲最大正向电流(IFM):225 A
    - 最大功耗(PD):@ TC = 25℃时为750 W,@ TC = 100℃时为375 W
    - 工作结温(TJ):-55℃至+175℃
    - 存储温度范围(Tstg):-55℃至+175℃
    - 最大引线焊接温度(TL):300℃,在距离管壳1/8英寸处焊接,持续时间5秒
    - 热特性:
    - 热阻抗,结到外壳(RθJC(IGBT)):0.2 oC/W
    - 热阻抗,结到外壳(RθJC(Diode)):0.48 oC/W
    - 热阻抗,结到环境(RθJA):40 oC/W
    - 电气特性:
    - 二极管正向电压(VFM):@ TC = 25℃时为1.75 V,@ TC = 175℃时为1.35 V
    - 反向恢复能量(Erec):@ TC = 175℃时为0.14 mJ
    - 二极管反向恢复时间(trr):@ TC = 25℃时为41 ns,@ TC = 175℃时为126 ns

    产品特点和优势


    - 高电流能力:能够处理高达75安培的电流。
    - 低饱和电压:在IC = 75 A、VGE = 15 V条件下,饱和电压仅为1.9 V。
    - 高输入阻抗:适合驱动复杂电路。
    - 快速开关:关断能量(EOFF)为10 uJ/A,表明其开关速度较快。
    - RoHS合规:符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FGY75N60SMD主要应用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、焊接设备以及开关模式电源(SMPS)等领域。这些应用场合通常需要IGBT具备高效率和可靠性。
    使用建议
    1. 散热管理:由于高功耗可能导致过热,需确保良好的散热管理。建议采用散热片或其他有效的冷却方法来防止过热。
    2. 选择合适的栅极电阻:合理的栅极电阻可以优化开关性能并减少电磁干扰(EMI)。
    3. 负载匹配:在具体应用中,应根据负载特性选择合适的IGBT,以确保IGBT能在最佳状态下运行。

    兼容性和支持


    FGY75N60SMD的设计使得其与其他相关设备和电子元件具有良好的兼容性。制造商提供了详尽的技术文档和客户服务支持,确保用户能够获得技术支持和售后服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题:IGBT在高温环境下出现过热现象。
    - 解决方案:确保散热系统的有效性,检查散热片是否安装正确,必要时可增加风扇或其他冷却措施。
    - 问题:开关过程中产生较大的电磁干扰(EMI)。
    - 解决方案:合理设置栅极电阻,并考虑添加滤波器来抑制干扰。

    总结和推荐


    FGY75N60SMD是一款高性能、高可靠性的IGBT产品,特别适合于需要高电流和高效能的应用场合。其具备高电流能力、低饱和电压、快速开关等显著优势,使其在市场上具有较强的竞争力。然而,考虑到其较高的成本和对散热管理的要求,建议在选择此产品前,先评估项目需求与预算的匹配程度。总体而言,对于需要高性能IGBT的应用场合,FGY75N60SMD是一个值得推荐的选择。

FGY75N60SMD参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 2.14V
配置 独立式withbuilt-indiode
集电极电流 150A
最大功率耗散 750W
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
15.87mm(Max)
4.82mm(Max)
20.82mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

FGY75N60SMD厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FGY75N60SMD数据手册

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FGY75N60SMD封装设计

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