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NGTB50N65FL2WG

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 417W 1.8V 650V 100A TO-247-3 通孔安装
供应商型号: NGTB50N65FL2WG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 450
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 NGTB50N65FL2WG

NGTB50N65FL2WG概述


    产品简介


    NGTB50N65FL2W/D 是一款由 ON Semiconductor 生产的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),型号为 NGTB50N65FL2WG。这种 IGBT 具备坚固且成本效益高的场截止 II 沟槽结构,非常适合要求严苛的开关应用。NGTB50N65FL2WG 具有低导通电压和最小的开关损耗。内置的软快反向恢复二极管具有低正向电压。这种 IGBT 主要应用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等领域,并适用于焊接等场合。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCES): 650 V
    - 集电极电流 (IC): 100 A (TC = 25°C), 50 A (TC = 100°C)
    - 二极管正向电流 (IF): 100 A (TC = 25°C), 50 A (TC = 100°C)
    - 瞬态门极-发射极电压 (VGS): ±30 V (TPULSE = 5 μs, D < 0.10)
    - 最大功率耗散 (PD): 417 W (TC = 25°C), 208 W (TC = 100°C)
    - 结温范围 (TJ): -55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 (RJC): 0.36 °C/W (IGBT), 0.60 °C/W (二极管)
    - 结至环境热阻 (RJA): 40 °C/W
    - 电气特性
    - 导通电压 (VCEsat): 1.50 V (Min), 1.80 V (Typ), 2.19 V (Max)
    - 门极-发射极阈值电压 (VGE(th)): 4.5 V (Min), 5.5 V (Typ), 6.5 V (Max)

    产品特点和优势


    - 高效性:采用沟槽技术和场截止技术,使其具有非常低的导通电压和开关损耗。
    - 耐高温性:最高结温可达 175°C,适用于各种严苛环境。
    - 快速恢复二极管:集成的软快速恢复二极管提供低正向电压,减少了整体功耗。
    - 高可靠性:短路承受时间达 5 μs,提高了系统的稳定性和可靠性。
    - 无铅设计:符合环保要求,减少对环境的影响。

    应用案例和使用建议


    典型应用:
    - 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,这款 IGBT 可以有效降低逆变器的功耗和提高效率。
    - 不间断电源(UPS):能够处理高功率负载,确保电力供应的连续性和稳定性。
    - 焊接设备:适合于需要快速响应和高可靠性的焊接应用。
    使用建议:
    - 散热管理:由于该 IGBT 的功率耗散较大,必须做好散热设计,以确保长期可靠运行。
    - 电路布局:在电路板布局时,应注意 IGBT 的引脚间距和散热需求,避免过热现象。
    - 保护措施:使用保护二极管和稳压电路,以防止瞬态电压导致损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该 IGBT 与同类其他器件兼容,可以方便地替换现有系统中的同类产品。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和在线支持,帮助用户更好地了解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:过高的结温导致 IGBT 损坏。
    - 解决方案:增加散热装置,如散热片和风扇,改善散热条件。
    - 问题:输出功率不足。
    - 解决方案:检查电路布局,确保没有过大的线路阻抗和发热。
    - 问题:开关频率不稳定。
    - 解决方案:检查电源质量和电路设计,确保稳定的电源供给和正确的电路布局。

    总结和推荐


    总结:
    - 主要优点:NGTB50N65FL2WG IGBT 具有高效的沟槽技术和场截止技术,具备低导通电压和高可靠性。适合于高功率应用,如太阳能逆变器和 UPS 系统。
    - 使用建议:在使用过程中,务必注意散热和电路布局,以确保其正常工作和长寿命。
    推荐:
    - 适用性:鉴于其高效性、可靠性以及广泛应用的适用性,强烈推荐在需要高功率和高效率的应用中使用 NGTB50N65FL2WG IGBT。

NGTB50N65FL2WG参数

参数
配置 -
集电极电流 100A
最大功率耗散 417W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 1.8V
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
25.66mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

NGTB50N65FL2WG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NGTB50N65FL2WG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 ON SEMICONDUCTOR NGTB50N65FL2WG NGTB50N65FL2WG数据手册

NGTB50N65FL2WG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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900+ ¥ 37.2645
1800+ ¥ 35.568
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起订量: 450 增量: 450
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