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NGTB60N65FL2WG

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 595W 1.64V 独立式 650V 100A TO-247-3 通孔安装
供应商型号: FL-NGTB60N65FL2WG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 NGTB60N65FL2WG

NGTB60N65FL2WG概述

    NGTB60N65FL2WG 绝缘栅双极晶体管(IGBT)技术手册

    1. 产品简介


    NGTB60N65FL2WG是一款基于场截止(Field Stop, FS)沟槽技术的绝缘栅双极晶体管(IGBT),提供高性能的开关能力和卓越的可靠性能。适用于太阳能逆变器、不间断电源(UPS)系统和焊接应用等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 集电极-发射极电压 (VCES): 650 V
    - 集电极电流 (IC):
    - @TC = 25°C: 100 A
    - @TC = 100°C: 60 A
    - 二极管正向电流 (IF):
    - @TC = 25°C: 100 A
    - @TC = 100°C: 60 A
    - 二极管脉冲电流 (IFM): 240 A
    - 集电极脉冲电流 (ICM): 240 A
    - 短路耐受时间 (tSC): 5 µs
    - 栅极-发射极电压 (VGE): ±20 V
    - 栅极-发射极瞬态电压 (VGES): ±30 V
    - 功率耗散:
    - @TC = 25°C: 595 W
    - @TC = 100°C: 265 W
    - 操作结温范围 (TJ): -55°C 至 +175°C
    - 存储温度范围 (Tstg): -55°C 至 +175°C
    - 焊接引线温度 (TSLD): 260°C
    - 热特性
    - 结至外壳热阻 (RθJC):
    - IGBT: 0.28 °C/W
    - 二极管: 0.62 °C/W
    - 结至环境热阻 (RθJA): 40 °C/W
    - 电气特性
    - 饱和电压 (VCEsat):
    - @TJ = 25°C: 1.50 V
    - @TJ = 175°C: 2.00 V
    - 栅极-发射极阈值电压 (VGE(th)): 4.5 V 至 6.5 V
    - 集电极-发射极截止电流 (ICES): -0.1 mA 至 -5.0 mA
    - 栅极泄漏电流 (IGES): 最大 200 nA
    - 输入电容 (Cies): 7193 pF
    - 输出电容 (Coes): 311 pF
    - 反向传输电容 (Cres): 202 pF
    - 栅极电荷总电荷 (Qg): 318 nC
    - 动态特性
    - 开启延迟时间 (td(on)):
    - @TJ = 25°C: 117 ns
    - @TJ = 150°C: 113 ns
    - 上升时间 (tr):
    - @TJ = 25°C: 53 ns
    - @TJ = 150°C: 55 ns
    - 关断延迟时间 (td(off)):
    - @TJ = 25°C: 265 ns
    - @TJ = 150°C: 277 ns
    - 下降时间 (tf):
    - @TJ = 25°C: 75 ns
    - @TJ = 150°C: 1000 ns

    3. 产品特点和优势


    - 极端高效的FS技术沟槽,显著降低了通态电压和开关损耗。
    - 高温耐受性 (TJmax = 175°C),适合高温环境下应用。
    - 快速软恢复二极管,提高整体性能。
    - 专为高速开关设计,具备5 μs短路保护能力。
    - 全面无铅化,符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用
    - 太阳能逆变器:用于转换直流到交流电能,NGTB60N65FL2WG可有效降低系统能耗并提升效率。
    - 不间断电源(UPS):确保电力供应稳定,减少因断电造成的损失。
    - 焊接应用:高效处理高电流密度的应用,如电弧焊机。

    - 使用建议
    - 在太阳能逆变器中使用时,需注意散热设计,避免热失控风险。
    - 在UPS系统中,配置合适的旁路开关以确保系统可靠性。
    - 在焊接应用中,确保适当的控制回路设计,防止电流过载。

    5. 兼容性和支持


    - 本产品采用TO-247封装,与现有系统兼容性良好。
    - 厂商提供详细的技术文档、参考设计和全面的客户支持,涵盖安装、调试、故障排除等方面。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题一:如何优化开关频率以提高效率?
    - 解决方案:在设计电路时选择合适的门极电阻 (Rg),根据负载电流调整Rg值,减少开关损耗。
    - 问题二:如何解决高温下的性能下降?
    - 解决方案:加强散热设计,确保散热片的接触面积足够大,或者增加强制风冷。
    - 问题三:遇到频繁短路现象怎么办?
    - 解决方案:检查电路是否存在潜在的短路路径,确保外部电路的稳定性和完整性。

    7. 总结和推荐


    NGTB60N65FL2WG凭借其高效能、高可靠性和广泛的应用领域,成为市场上的佼佼者。对于需要高效率和高可靠性的应用场合,强烈推荐使用此款IGBT。厂商提供的全面支持和服务进一步增强了该产品的市场竞争力。

NGTB60N65FL2WG参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 1.64V
配置 独立式
集电极电流 100A
最大功率耗散 595W
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
16.25mm(Max)
5.3mm(Max)
21.4mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NGTB60N65FL2WG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NGTB60N65FL2WG数据手册

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NGTB60N65FL2WG封装设计

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