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BAS116T

产品分类: 整流二极管/整流桥
厂牌: NXP SEMICONDUCTORS
产品描述: 3μs 独立式 SC-75 导线安装,贴片安装
供应商型号:
供应商:
标准整包数: 0
NXP SEMICONDUCTORS 整流二极管/整流桥 BAS116T

BAS116T概述

    BAS116T 单向低漏电流开关二极管技术手册

    1. 产品简介


    1.1 基本描述
    BAS116T 是一款封装在超小型 SOT416(SC-75)表面贴装器件(SMD)塑料封装内的单向低漏电流开关二极管。
    1.2 特点与优势
    - 高开关速度: 反向恢复时间 trr = 0.8 μs
    - 低电容: 电容 Cd = 2 pF
    - 低漏电流: 漏电流 IL = 3 pA
    - 反向电压: VR ≤ 75 V
    - 重复峰值反向电压: VRRM ≤ 85 V
    - 超小 SMD 塑料封装
    - 符合 AEC-Q101 汽车电子标准
    1.3 应用领域
    - 低漏电流应用
    - 电压钳位
    - 通用开关
    - 反向极性保护
    1.4 快速参考数据
    - 脉冲测试:tp ≤ 300 μs;δ ≤ 0.02
    - 反向恢复时间(IR 从 10 mA 切换到 1 mA;RL = 100 Ω;测量时 IR = 1 mA):trr = 0.8 μs

    2. 技术参数


    表 1. 快速参考数据
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | IF | 正向电流 | - | - | - | 215 | mA |
    | IR | 反向电流 | VR=75V | - | - | 5 | nA |
    | VR | 反向电压 | - | - | - | 75 | V |
    | trr | 反向恢复时间 | - | - | 0.8 | 3 | μs |
    表 5. 极限值
    | 符号 | 参数 | 条件 | 最小值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | VRRM | 重复峰值反向电压 | - | - | 85 | V |
    | VR | 反向电压 | - | - | 75 | V |
    | IF | 正向电流 | - | - | 215 | mA |
    | IFRM | 重复峰值正向电流 | - | - | 500 | mA |
    | IFSM | 非重复峰值正向电流 | 方波 | tp=1μs | - | 4 | A |
    | Ptot | 总功率耗散 | Tamb≤25°C | - | 150 | mW |

    3. 产品特点和优势


    - 高开关速度: trr = 0.8 μs,使得其在高频电路中表现优异。
    - 低漏电流: 3 pA 的漏电流使其适用于对泄漏要求极高的电路。
    - 低电容: 2 pF 的电容使其在高频信号处理中减少信号失真。
    - AEC-Q101 认证: 符合汽车电子标准,确保在严苛环境下可靠工作。
    - 超小 SMD 封装: SOT416 封装使其适用于空间受限的设计。

    4. 应用案例和使用建议


    图 1. 环境温度对正向电流的影响
    此图表表明,在不同环境温度下,正向电流随温度的变化曲线。建议在设计电路时考虑到温度变化对正向电流的影响。
    图 2. 正向电压对正向电流的影响
    此图表展示了不同正向电流下的正向电压,有助于在设计过程中选择合适的驱动电压。
    使用建议:
    - 在设计高频信号处理电路时,考虑使用 BAS116T 以减少信号失真。
    - 由于其低漏电流特性,适用于电池供电系统,延长电池寿命。
    - 使用前检查温度条件,确保不超过其极限温度范围。

    5. 兼容性和支持


    BAS116T 支持多种封装和安装方法,可兼容广泛的应用需求。NXP 提供详细的技术支持文档和在线资源,方便用户进行设计和故障排除。

    6. 常见问题与解决方案


    Q1: 设备在高温下工作时性能降低?
    - A: 确保工作温度在器件规定的范围内,建议通过热管理措施如散热片来提高散热效率。
    Q2: 如何测试反向恢复时间?
    - A: 使用反向恢复时间测试电路(如图 6 所示),通过示波器测量输入和输出信号。

    7. 总结和推荐


    BAS116T 单向低漏电流开关二极管以其高开关速度、低漏电流和低电容等特点,适合用于多种应用场景,特别是在需要高可靠性且空间受限的设计中。强烈推荐在低漏电流应用、电压钳位、通用开关及反向极性保护等场合使用 BAS116T。

BAS116T参数

参数
反向恢复时间 3μs
正向浪涌电流 -
配置 独立式
If - 正向电流 -
Ir - 反向电流 -
Vr-反向电压 -
通用封装 SC-75
安装方式 导线安装,贴片安装

BAS116T厂商介绍

NXP Semiconductors是一家全球领先的半导体公司,总部位于荷兰。公司专注于提供高性能、安全和互联的解决方案,以推动智能生活和智能城市的发展。NXP的产品广泛应用于汽车、工业和物联网(IoT)、移动设备、通信基础设施等多个领域。

主营产品分类包括:
1. 微控制器(MCU):广泛应用于嵌入式系统,如智能家居、工业自动化等。
2. 射频(RF)和无线技术:包括NFC、蓝牙等,用于无线通信和数据传输。
3. 汽车电子:为汽车提供安全、连接和动力管理解决方案。
4. 安全解决方案:包括安全元件和软件,保护数据和交易安全。
5. 分立器件和传感器:用于各种检测和测量应用。

NXP Semiconductors的优势在于:
- 强大的研发能力:持续投入研发,推动技术创新。
- 广泛的产品线:提供多样化的产品,满足不同市场需求。
- 深厚的行业经验:在多个领域拥有丰富的经验和专业知识。
- 全球化布局:在全球范围内设有研发中心和生产基地,为客户提供本地化服务。

BAS116T数据手册

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NXP SEMICONDUCTORS 整流二极管/整流桥 NXP SEMICONDUCTORS BAS116T BAS116T数据手册

BAS116T封装设计

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