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HESD5581N2T5G

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HESD5581N2T5G DFN1006-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESD5581N2T5G

HESD5581N2T5G概述


    产品简介


    HESD5581N2T5G是一款由Huaxuanyang Electronics CO., LTD设计生产的ESD保护二极管。它主要用于保护电路免受静电放电(ESD)及其他电压引起的瞬态事件导致的损坏或干扰。该产品采用DFN1006-2L封装,适用于需要快速响应时间的应用场合。此外,HESD5581N2T5G符合RoHS要求且无卤素,使其成为对环保要求较高的应用的理想选择。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率:在8/20μs脉冲波形下可达66 W。
    - 最大引线温度:焊接时在10秒内不超过260°C。
    - 存储温度范围:-55°C至+150°C。
    - 工作温度范围:-40°C至+125°C。
    - 钳位电压:在IPP = 1 A时,钳位电压最高为12 V。
    - 反向漏电流:在VR条件下,漏电流最大为5.0 μA。
    - 击穿电压:在IT条件下,击穿电压最小为5.6 V。
    - 浪涌电流:最大值为5.5 A。

    产品特点和优势


    HESD5581N2T5G具备出色的钳位能力、低泄漏电流和低电容特性,这些特点使得其在暴露于ESD的应用中表现出色。它的双向线路保护设计赋予设计师灵活性,可以灵活应用于不同的保护需求场景。此外,HESD5581N2T5G通过了IEC61000-4-2 Level 4 ESD保护标准,确保了在严苛环境下的可靠性。

    应用案例和使用建议


    HESD5581N2T5G广泛应用于各种需要ESD保护的场合,如消费电子产品、工业控制系统、汽车电子系统等。为了更好地发挥其效能,建议在设计时考虑以下几点:
    - 确保保护二极管与被保护电路紧密耦合,以减少寄生电感。
    - 在可能的情况下,使用多个HESD5581N2T5G并联以提高总浪涌电流容量。
    - 考虑PCB布局优化,例如缩短走线长度以降低EMI风险。

    兼容性和支持


    HESD5581N2T5G可与其他常用的电子元器件良好兼容,适用于多种类型的电路板设计。Huaxuanyang Electronics提供全面的技术支持和服务,包括但不限于产品手册、技术咨询和售后保障。

    常见问题与解决方案


    - 问题:在高温环境下,HESD5581N2T5G的性能会受影响吗?
    - 解答:该产品的工作温度范围为-40°C至+125°C,但在极端高温下,建议进行额外的散热措施,如增加散热片或使用散热膏。
    - 问题:如何判断是否安装正确?
    - 解答:检查引脚方向是否正确,且连接到相应的电源轨上。可以使用万用表测量其电阻或电压来确认安装状态。

    总结和推荐


    综上所述,HESD5581N2T5G是一款高性能、高可靠性的ESD保护二极管,具备优秀的钳位能力和快速响应时间。考虑到其广泛的适用性和Huaxuanyang Electronics提供的技术支持,我们强烈推荐此产品用于需要严格ESD保护的应用场合。

HESD5581N2T5G参数

参数
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -

HESD5581N2T5G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESD5581N2T5G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESD5581N2T5G HESD5581N2T5G数据手册

HESD5581N2T5G封装设计

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