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HGSOT08C-HE3-18

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HGSOT08C-HE3-18 SOT-23
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HGSOT08C-HE3-18

HGSOT08C-HE3-18概述

    电子元器件产品技术手册:HGSOT08C-HE3-18

    产品简介


    HGSOT08C-HE3-18 是一款由华轩阳电子有限公司生产的瞬态保护二极管(ESD Protection Diode)。它主要用于高数据传输速率线路上的瞬态保护,适用于工业控制、通信设备、计算机外设等需要抗静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件的应用场景。HGSOT08C-HE3-18 集成了出色的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间,能够为设计提供卓越的ESD保护。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率(tp=8/20 μs):350W
    - 最大引脚焊接温度(持续10秒):260°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +155°C
    - 操作温度范围:-40°C 至 +125°C
    - 最大结温:150°C
    - ESD防护标准:
    - IEC 61000-4-2(接触放电):±30kV
    - IEC 61000-4-2(空气放电):±30kV
    - IEC 61000-4-4(EFT):40A(5/50 ns)

    产品特点和优势


    HGSOT08C-HE3-18 的主要特点包括:
    - 瞬态保护:用于高速数据线路的瞬态保护。
    - 出色钳位能力:能够在ESD等瞬态事件中保持较低的钳位电压。
    - 低漏电流:减少在正常工作状态下的电流泄漏,提高系统稳定性。
    - 低电容:降低对信号传输的干扰,特别适合高频信号的应用。
    - 快速响应时间:能够迅速响应并保护敏感半导体元件免受损害。
    - 灵活应用:可以保护一个双向线路或两个单向线路。

    应用案例和使用建议


    HGSOT08C-HE3-18 主要应用于高速数据线路的ESD保护。例如,在工业控制设备中,它可以用来保护PLC模块的通讯接口,确保设备的稳定运行。使用时需要注意:
    - 适当布局:按照SOT-23封装建议的PCB布局进行设计,以最大化其保护效果。
    - 信号完整性:考虑电容对信号传输的影响,特别是在高频应用中。

    兼容性和支持


    HGSOT08C-HE3-18 采用SOT-23封装,易于与其他标准电子元件集成。华轩阳电子有限公司提供了详尽的技术支持和售后服务,包括但不限于技术咨询和故障排查服务。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 在高湿度环境中使用时,ESD保护二极管是否会失效?
    - 解答: 高湿度环境下,需要采取适当的防潮措施,如增加封装的密封性,以确保二极管的正常工作。

    - 问题: 如何确保正确安装HGSOT08C-HE3-18?
    - 解答: 安装时需严格按照厂商提供的封装尺寸和布局建议进行,确保焊接质量和电气连接可靠。

    总结和推荐


    HGSOT08C-HE3-18 是一款高性能、高可靠性的ESD保护二极管,适用于各种需要瞬态保护的应用场景。其出色的性能和多样化的功能使其在市场上具有较强的竞争力。经过详细的技术评估,我们强烈推荐使用HGSOT08C-HE3-18 作为瞬态保护解决方案,以确保系统的稳定性和可靠性。

HGSOT08C-HE3-18参数

参数
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -

HGSOT08C-HE3-18厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HGSOT08C-HE3-18数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HGSOT08C-HE3-18 HGSOT08C-HE3-18数据手册

HGSOT08C-HE3-18封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.4028
9000+ ¥ 0.3961
15000+ ¥ 0.3861
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