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HAR0511D3

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HAR0511D3 SOD-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HAR0511D3

HAR0511D3概述

    HAR0511D3 ESD Protection Diode 技术手册

    产品简介


    HAR0511D3 是由华轩阳电子有限公司(Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD)生产的一款瞬态保护二极管。该产品主要用于保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件引起的损害。其主要功能包括优异的钳位能力、低漏电流、低电容和快速响应时间,适用于暴露于 ESD 环境下的设计。HAR0511D3 采用 SOD-323 封装,能够为高速数据线提供瞬态保护。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 峰值脉冲功率 (tp = 8/20 s):100 W
    - 最大引脚温度 (焊接 10 秒):260 °C
    - 存储温度范围:-55 °C 至 +155 °C
    - 工作温度范围:-40 °C 至 +125 °C
    - 最大结温:150 °C
    - IEC61000-4-2 (ESD):接触放电 ±8 kV,空气放电 ±15 kV
    - IEC61000-4-4 (EFT):40 A (5/50 ns)
    - 反向工作电压 (VRWM):5 V
    - 反向击穿电压 (VBR):6 V
    - 反向漏电流 (IR):0.1 μA
    - 钳位电压 (VC):1.2 V
    - 结电容 (CJ):0.1 pF
    - 反向泄漏电流 (IRWM):1.0 μA

    产品特点和优势


    HAR0511D3 具有以下独特功能和优势:
    - 优异的钳位能力:能够有效钳制电压瞬态,保护下游组件不受损坏。
    - 低漏电流:确保静态功耗极低,不影响电路正常运行。
    - 低电容:特别适合高速数据线应用,减少信号延迟。
    - 快速响应时间:能够在纳秒级别内响应并抑制电压瞬态,确保实时保护。

    应用案例和使用建议


    HAR0511D3 可广泛应用于各种需要 ESD 保护的场合,例如:
    - 高速数据传输线路
    - 电信设备
    - 工业控制系统
    - 汽车电子
    使用建议:
    1. 在安装时确保正确接地,以减少干扰。
    2. 注意保持电路的温度在额定范围内,避免过热。
    3. 使用过程中应定期检查和测试,确保其持续保护性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:HAR0511D3 可与多种标准接口和电路设计兼容。
    - 支持:华轩阳电子提供全面的技术支持和售后服务,包括产品文档、技术支持热线和在线客服。

    常见问题与解决方案


    - 问题:电路中出现异常电压波动。
    - 解决方案:检查连接是否正确,确认所有组件接地良好。
    - 问题:产品工作时发热严重。
    - 解决方案:检查散热措施是否到位,必要时增加散热片或改进散热设计。

    总结和推荐


    综上所述,HAR0511D3 ESD 保护二极管是一款高性能、高可靠性的瞬态保护器件。其优异的钳位能力、低漏电流和快速响应时间使其在多种应用场景中表现出色。推荐用于需要严格 ESD 保护的设计项目。然而,用户在使用时应注意遵守制造商的安全指南和注意事项,确保使用安全和有效。

HAR0511D3参数

参数
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -

HAR0511D3厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HAR0511D3数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HAR0511D3 HAR0511D3数据手册

HAR0511D3封装设计

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9000+ ¥ 0.1482
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