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HVESD12C1-HD1HG3-08

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HVESD12C1-HD1HG3-08 DFN1006-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HVESD12C1-HD1HG3-08

HVESD12C1-HD1HG3-08概述

    HVESD12C1-HD1HG3-08 ESD保护二极管技术手册解析

    1. 产品简介


    HVESD12C1-HD1HG3-08 是一款由深圳华宣洋电子有限公司(HUA XUAN YANG ELECTRONICS CO., LTD)推出的ESD保护二极管,主要用于高速数据线的瞬态保护。它能够有效防止静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件对电子元器件造成损坏或干扰,适用于需要高可靠性设计的场景。该产品特别适合在有限空间内使用,其小巧的DFN1006-2L封装使其成为保护高速信号传输的理想选择。
    - 产品类型: ESD保护二极管
    - 主要功能: 防护静电放电及电压瞬态事件
    - 应用领域: 高速数据线、控制信号线、工业电子设备、消费类电子产品等

    2. 技术参数


    以下是HVESC12C1-HD1HG3-08的主要技术规格:
    | 参数名称 | 规格值 | 单位 |
    |
    | 峰值脉冲功率 | 150 | W |
    | 最大焊接温度(10秒内) | 260 | °C |
    | 存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 工作电压 | 12 | V |
    | 反向工作电压 | 12 | V |
    | 反向击穿电压 | 13.3 | V |
    | 反向漏电流 | ≤1000 | nA |
    | 击穿电压 | ≤26 | V |
    | 容量(典型值) | 45 | pF |
    | 低容值特性 | 适合高频率信号传输
    此外,该器件符合严格的静电放电标准:
    - IEC 61000-4-2(接触放电):±8kV
    - IEC 61000-4-2(空气放电):±15kV
    - IEC 61000-4-4(EFT测试):40A(5/50ns)

    3. 产品特点和优势


    - 出色的钳位能力: 击穿电压低且钳位电压优异,确保对敏感电路的全面保护。
    - 低电容特性: 典型值仅为45pF,非常适合高速数据线的应用。
    - 微型封装: DFN1006-2L(1.0mm x 0.6mm x 0.5mm),占用面积小,满足现代紧凑设计需求。
    - 灵活保护: 支持单向线路的保护,为非阵列式应用场景提供灵活性。
    - 高可靠性: 峰值功率达150W(8/20μs),能够在极端条件下稳定工作。
    这些特点使得HVESC12C1-HD1HG3-08成为高性能应用的优选产品,在工业、消费电子和通信等领域具有广泛适用性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 高速USB接口: 在USB 3.0或USB 4.0接口上,用于防止静电放电对数据传输的影响。
    - RF电路: 保护无线通信模块的射频信号免受外部干扰。
    - 工业自动化: 用于工业控制器的数据接口防护。
    使用建议
    - 在设计中需确保该器件的保护方向与信号流向一致。
    - 考虑其寄生电容对信号完整性的影响,尽量减少布线长度并降低杂散电感。
    - 确保焊接温度不超过260°C,避免过热导致性能下降。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性: 该器件可与多种主流芯片和模块配合使用,特别是需要高速传输的设备。
    - 支持服务: 深圳华宣洋电子提供详尽的技术文档和售后服务,用户可通过官方网站(www.hxymos.com)获取产品信息和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 设备无法正常启动 | 检查安装方向是否正确 |
    | 保护效果不明显 | 更换更高功率的型号 |
    | 过载后失效 | 确认工作电压是否超出额定范围 |

    7. 总结和推荐


    综上所述,HVESC12C1-HD1HG3-08凭借其优越的性能参数和广泛的适用性,是电子工程师设计中不可或缺的选择。其小巧的封装、出色的抗浪涌能力和低电容特性使其成为保护高速数据线和敏感电路的理想解决方案。
    推荐指数: ★★★★★
    强烈推荐应用于需要高性能ESD防护的设计中,特别是在空间受限或高速信号传输的关键场景下。
    如需进一步技术支持或采购咨询,可联系深圳华宣洋电子有限公司官方渠道。

HVESD12C1-HD1HG3-08参数

参数
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -

HVESD12C1-HD1HG3-08厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HVESD12C1-HD1HG3-08数据手册

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HVESD12C1-HD1HG3-08封装设计

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30000+ ¥ 0.2744
50000+ ¥ 0.2674
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