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HESD7551N2T5G

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HESD7551N2T5G DFN1006-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESD7551N2T5G

HESD7551N2T5G概述


    产品简介


    HESD7551N2T5G 是一款由华宣阳电子有限公司(HUA XUAN YANG ELECTRONICS)生产的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护敏感的半导体器件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的损害。这种器件适用于高速数据线的瞬态保护,具有出色的钳位能力、低漏电流和低电容的特点,特别适合暴露在 ESD 环境下的设计。此外,HESD7551N2T5G 可以灵活地保护单向线路,而不需要复杂的阵列配置。

    技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 封装 | DFN1006-2L
    | 绝对最大额定值:
    | 脉冲峰值功率 | 100 | W |
    | 最大引脚焊接温度 | 260 | °C |
    | 存储温度范围 | -55 to +150 | °C |
    | 工作温度范围 | -55 to +150 | °C |
    | 额定电压 | 3.3 | V |
    | 反向工作电压 | 3.3 | V |
    | 反向击穿电压 | 4.2 | V |
    | 反向漏电流 | 100 | nA |
    | 钳位电压 | 12 | V |
    | 结电容 | 0.30 | pF |

    产品特点和优势


    - 出色的钳位能力:可以有效限制瞬态电压,保护电路免受损害。
    - 低漏电流:减少了静态功耗,提升了整体系统的效率。
    - 低电容:对高速数据传输的影响最小化,保持信号完整性。
    - 超小型封装:采用1.0mm x 0.6mm x 0.5mm的DFN封装,适用于空间受限的设计。
    - 灵活性:可用于保护单向线路,不依赖于阵列配置。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HESD7551N2T5G 主要用于保护高速数据线免受 ESD 和其他瞬态电压事件的损害。它特别适用于通信设备、计算机接口、便携式电子设备和任何需要高可靠性的电子系统。
    使用建议
    - 在设计过程中,确保选择合适的 PCB 布局,将 HESD7551N2T5G 靠近被保护的线路。
    - 仔细考虑接地路径,避免不必要的电流回流路径,这可能会导致额外的噪声。
    - 在多层 PCB 上,尽量使 TVS 的地引脚直接连接到电源地平面,减少寄生电感。

    兼容性和支持


    HESD7551N2T5G 与其他常见的高速数据线和通信接口兼容,包括但不限于 USB、HDMI、Ethernet 等。华宣阳电子提供了详尽的技术文档和支持服务,以帮助用户进行设计和集成。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何正确焊接 HESD7551N2T5G?
    - 解答:确保焊接温度不超过 260°C,并控制焊接时间在 10 秒以内。
    - 问题:HESD7551N2T5G 是否支持 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-4 标准?
    - 解答:是的,它符合 IEC 61000-4-2(接触放电:±8kV;空气放电:±15kV)和 IEC 61000-4-4(快速瞬变脉冲群:40A)标准。


    总结和推荐


    HESD7551N2T5G 是一款高性能、高可靠性的瞬态电压抑制二极管,特别适用于需要紧凑封装和高效保护的应用场合。其出色的钳位能力、低漏电流和低电容使其成为保护敏感电路的理想选择。此外,华宣阳电子提供的详尽文档和技术支持也极大地便利了用户的集成过程。因此,我强烈推荐此产品,特别是对于需要高可靠性保护的电子系统设计者而言。
    请注意,本篇综述基于您提供的技术手册内容,具体情况请参考实际的产品资料。

HESD7551N2T5G参数

参数
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -

HESD7551N2T5G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESD7551N2T5G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESD7551N2T5G HESD7551N2T5G数据手册

HESD7551N2T5G封装设计

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