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HCESD0603UC5VB-M

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HCESD0603UC5VB-M DFN0603-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 15000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HCESD0603UC5VB-M

HCESD0603UC5VB-M概述

    HCESD0603UC5VB-M ESD Protection Diode 技术手册解析

    1. 产品简介


    HCESD0603UC5VB-M 是一款来自深圳市华宣阳电子有限公司(HXY)的瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护敏感的半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件的影响。该二极管具有出色的钳位能力、低漏电流、低电容以及快速响应时间,适用于暴露在 ESD 环境中的设计。此外,它还为双向线提供灵活的保护,在单个器件中实现了一种双向保护功能。

    2. 技术参数


    - 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs):100W
    - 最大引脚温度(焊接时 10 秒内):260°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 工作温度范围:-40°C 至 +125°C
    - 最大结温:150°C
    - ESD (IEC 61000-4-2):接触放电 ±30kV,空气放电 ±30kV
    - 浪涌电流耐受性 (IEC 61000-4-4):40A (5/50ns)
    - 工作电压:5V
    - 超小型封装:0.6mm x 0.3mm x 0.3mm
    - 典型电容:0.55pF
    - 典型钳位电压:在 VR = 0V, f = 1MHz 条件下,钳位电压 ≤ 13V
    - 漏电流:在 VRWM = 5.0V 条件下,漏电流 ≤ 100nA

    3. 产品特点和优势


    HCESD0603UC5VB-M 具备以下独特功能和优势:
    - 出色的钳位能力:确保敏感组件在 ESD 等高电压瞬态事件中得到充分保护。
    - 低漏电流和低电容:减少对信号传输的影响,特别适合高速数据线路的应用。
    - 超小型封装:非常适合空间受限的设计,如移动设备和可穿戴设备。
    - 宽工作温度范围:能够在广泛的环境中稳定工作,从工业到消费电子领域均适用。
    - 高可靠性:符合严格的 IEC 61000-4-2 和 IEC 61000-4-4 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    HCESD0603UC5VB-M 广泛应用于各种高可靠性设备中,如汽车电子、工业控制、通信设备和消费电子产品。例如,在高速 USB 接口中,这款二极管可以有效防止 ESD 引起的数据传输错误。在实际应用中,为了更好地利用其特性,建议:
    - 将其放置在接近信号输入端的位置,以最小化信号路径上的寄生电容。
    - 考虑其在不同温度下的表现,特别是在极端环境条件下。

    5. 兼容性和支持


    HCESD0603UC5VB-M 兼容大多数现有的 PCB 设计,并且与同类器件相比具有更小的封装尺寸,方便集成。深圳市华宣阳电子有限公司提供详尽的技术文档和应用指南,同时也提供了完善的售后服务和技术支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:如何判断产品是否损坏?
    - 解决方案:参考产品手册中的测试条件进行检测,或者使用万用表测量其电阻值和电压。

    - 问题:如何选择合适的二极管型号?
    - 解决方案:根据具体应用场景的要求(如工作电压、防护等级等)选择合适的产品。例如,在高电压瞬态事件频繁发生的环境中,应优先考虑具有更高钳位电压和浪涌电流耐受性的产品。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HCESD0603UC5VB-M 是一款性能优异、可靠性高的 ESD 保护二极管,特别适用于需要在紧凑空间内实现高性能 ESD 防护的应用。其超小型封装和高可靠性使其成为众多行业领域的理想选择。对于那些希望提高设备稳定性和可靠性的工程师来说,HCESD0603UC5VB-M 是一个值得信赖的选择。我们强烈推荐在需要 ESD 防护的电子设计中使用此产品。

HCESD0603UC5VB-M参数

参数
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -

HCESD0603UC5VB-M厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HCESD0603UC5VB-M数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HCESD0603UC5VB-M HCESD0603UC5VB-M数据手册

HCESD0603UC5VB-M封装设计

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45000+ ¥ 0.1427
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