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HESDSBLC3V3LB

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HESDSBLC3V3LB DFN1006-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDSBLC3V3LB

HESDSBLC3V3LB概述


    产品简介


    HESDSBLC3V3LB 是由 Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD(HXYMOS)生产的瞬态保护二极管,型号为 HESDSBLC3V3LB。它采用 DFN1006-2L 封装形式,尺寸为 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm,非常小巧,适用于需要高密度集成的场合。该二极管主要用于保护高速数据线免受静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件的影响。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率 (tp = 8/20 μs): 84 W
    - 最大引脚温度 (焊接 10 秒): 260°C
    - 存储温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 工作温度范围: -55°C 至 +150°C
    - 最大结温: 150°C
    - 反向工作电压 (VRWM): 3.3V
    - 反向击穿电压 (VBR): ≥ 3.6V (典型值)
    - 反向泄漏电流 (IR): ≤ 1.0 μA
    - 钳位电压 (VC): ≤ 12V
    - 结电容 (CJ): ≤ 15 pF

    产品特点和优势


    HESDSBLC3V3LB 具有多项显著的优势,使其在市场上具有较强的竞争力:
    1. 超小封装:体积仅为 1.0mm x 0.6mm x 0.5mm,适合高密度电路板设计。
    2. 优秀的钳位能力:低钳位电压和低泄漏电流,有效保护敏感组件。
    3. 快速响应时间:能够迅速反应并吸收瞬变能量,减少潜在损坏。
    4. 灵活的设计选择:可保护一条双向线路,适用于多种应用场合。

    应用案例和使用建议


    HESDSBLC3V3LB 可广泛应用于各种需要 ESD 保护的设备,例如通信设备、工业控制设备、医疗设备等。为了最大化其保护效果,建议:
    - 在设计时充分考虑电路布局,确保信号线尽可能短。
    - 结合其他 ESD 防护元件,形成多重防护体系。
    - 定期检查和测试保护装置的工作状态,确保其有效性。

    兼容性和支持


    HESDSBLC3V3LB 设计上具有较高的兼容性,可以轻松与其他标准电子元件配合使用。HXYMOS 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - Q1: 该产品是否支持更高工作电压?
    - A1: 该产品仅支持 3.3V 的工作电压,如果需要更高电压的保护,请选用其他型号的产品。

    - Q2: 该产品的存储温度范围是多少?
    - A2: 存储温度范围为 -55°C 至 +150°C,确保在这些温度范围内进行储存和运输。

    总结和推荐


    HESDSBLC3V3LB 是一款高性能的瞬态保护二极管,具备出色的保护能力和易用性。适用于多种应用场景,特别是在需要高度集成的小型化设备中。我们强烈推荐此产品给需要在复杂环境中保护敏感组件的工程师和技术人员。
    总的来说,HESDSBLC3V3LB 凭借其小巧的体积、优秀的性能和广泛的适用性,将成为市场上的一款热门选择。

HESDSBLC3V3LB参数

参数
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -

HESDSBLC3V3LB厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDSBLC3V3LB数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDSBLC3V3LB HESDSBLC3V3LB数据手册

HESDSBLC3V3LB封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30000+ ¥ 0.0628
50000+ ¥ 0.0612
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