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HDESD3V3X1BCSF-7

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HDESD3V3X1BCSF-7 DFN0603-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 15000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HDESD3V3X1BCSF-7

HDESD3V3X1BCSF-7概述


    产品简介


    HDESD3V3X1BCSF-7是一款由Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD生产的ESD保护二极管。该产品主要用于保护敏感的半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的影响。由于其出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,它在需要ESD防护的设计中表现出色。此外,它还为设计者提供了一种灵活的解决方案,适用于那些不适合使用阵列的应用场景,以保护一个双向线路。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs):96 W
    - 最大引线温度(焊接期间10秒):260 °C
    - 存储温度范围:-55至+150 °C
    - 工作温度范围:-40至+125 °C
    - 最大结温:150 °C
    - IEC61000-4-2 (ESD):接触放电 ±15 kV,空气放电 ±8 kV
    - IEC 61000-4-4 (EFT):40 A (5/50 ns)
    - 电容:0.55 pF (典型值)
    - 反向击穿电压 (VRWM = 3.3V):4.2 V
    - 反向漏电流 (VRWM = 3.3V, IRWM = 1mA):100 nA
    - 钳位电压 (IRWM = 4A, tp = 8/20μs):12 V 至 24 V
    - 正向电压 (IRWM = 4A, tp = 8/20μs):0.55 pF 至 0.7 pF

    产品特点和优势


    1. 低电容:典型值为0.55 pF,非常适合高速数据线的应用。
    2. 超小封装:尺寸仅为0.6mm x 0.3mm x 0.3mm,占用空间极小。
    3. 出色的钳位能力:能够有效地保护敏感组件不受ESD和其他瞬态事件的影响。
    4. 低泄漏电流:确保长时间稳定运行。
    5. 灵活性:适合保护一个双向线路,适用于不宜使用阵列的应用场景。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HDESD3V3X1BCSF-7常用于高速数据线的瞬态保护,例如在消费电子产品、通信设备以及工业自动化系统中。例如,在高速数据传输接口(如USB 3.0、HDMI)上使用该保护二极管,可以有效防止ESD导致的数据丢失或损坏。
    使用建议
    1. 合理布局:确保保护二极管尽可能靠近需要保护的接口,以减少线路寄生电感和电容,提高防护效果。
    2. 配合其他保护措施:除了使用保护二极管外,还可以考虑添加TVS二极管或其他类型的保护电路,进一步增强系统的抗ESD能力。
    3. 环境适应性:考虑到该产品的工作温度范围较宽(-40°C至+125°C),可以在极端环境下使用,但应确保系统设计符合相应的温度要求。

    兼容性和支持


    HDESD3V3X1BCSF-7采用了DFN0603-2L封装,这种小型封装使其易于集成到各种高密度布板的设计中。该产品与市面上常见的高速数据线兼容,如USB 3.0、HDMI等。厂商提供了详细的技术支持和售后服务,以确保客户能够顺利进行产品选型、测试和使用。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确认HDESD3V3X1BCSF-7是否适用于我的设计?
    - 答:首先查看产品的技术参数,确保其符合你的设计需求,特别是工作电压、电容和防护等级等关键参数。然后,与厂商的技术支持团队联系,获取更多的专业建议。
    2. 问:如果我的系统已经遭受了ESD冲击,HDESD3V3X1BCSF-7还能继续使用吗?
    - 答:ESD保护二极管的主要功能是在发生ESD时提供保护,但它们本身也可能因为高能量的ESD事件而失效。建议进行系统的重新测试和检查,以确保所有保护元件均正常工作。
    3. 问:在焊接过程中,最高温度是多少?
    - 答:最高焊接温度限制为260°C,且该温度仅允许在焊接期间持续10秒钟内。过高的温度可能导致保护二极管的损坏。

    总结和推荐


    HDESD3V3X1BCSF-7凭借其低电容、快速响应时间和出色的钳位能力,成为一款高性能的ESD保护二极管。它适用于多种应用场景,特别是在需要保护高速数据线的设计中表现尤为突出。结合其小巧的封装和厂商提供的完善技术支持,HDESD3V3X1BCSF-7是一款值得推荐的产品。尽管如此,我们仍然建议用户在实际应用前进行充分的测试和验证,以确保最佳性能。

HDESD3V3X1BCSF-7参数

参数
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -

HDESD3V3X1BCSF-7厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HDESD3V3X1BCSF-7数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HDESD3V3X1BCSF-7 HDESD3V3X1BCSF-7数据手册

HDESD3V3X1BCSF-7封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
15000+ ¥ 0.2578
45000+ ¥ 0.2535
75000+ ¥ 0.247
库存: 300000
起订量: 15000 增量: 15000
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最小起订量为:15000
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