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HPJSD05CFN2

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HPJSD05CFN2 DFN1006-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HPJSD05CFN2

HPJSD05CFN2概述

    #

    产品简介


    HPJSD05CFN2 ESD保护二极管
    HPJSD05CFN2 是一款来自深圳华宣阳电子有限公司(Huaxuanyang Electronics)的高可靠性ESD保护二极管,型号为HPJSD05CFN2,采用DFN1006-2L封装。此产品专为高速数据线设计,具备卓越的瞬态保护能力,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域,可有效保护敏感半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件的影响。

    技术参数


    绝对额定值
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 工作温度范围 | Tstg | -55 | - | +150 | °C |
    | 峰值脉冲功率 | PPP | - | - | 400 | W |
    | 最大焊接温度(10秒) | TL | - | - | 260 | °C |
    | 最大结温 | Tj | - | - | 150 | °C |
    | 雷击防护 | IEC61000-4-2 (ESD) | - | ±30 | ±30 | kV |
    | 电磁暂态防护 | IEC61000-4-4 (EFT) | - | - | 40 | A |
    电气特性
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 反向工作电压 | VRWM | - | 5.0 | - | V |
    | 反向击穿电压 | VBR | - | 5.8 | - | V |
    | 反向漏电流 | IR | - | 1.0 | - | μA |
    | 击穿电压 | Vp | - | 9.8 | - | V |
    | 结电容 | CJ | - | 40 | - | pF |
    | 峰值电流 | IT | - | - | 20 | A |

    产品特点和优势


    1. 高瞬态保护能力:HPJSD05CFN2 可承受高达 ±30kV 的静电放电,符合 IEC 61000-4-2 标准。
    2. 超小封装:体积小巧(1.0mm x 0.6mm x 0.5mm),适合空间受限的应用场合。
    3. 低泄漏电流:典型值仅为 1.0μA,确保长时间稳定运行。
    4. 快速响应时间:能够在瞬间吸收大量能量,减少对敏感组件的损害。
    5. 灵活的设计选择:适用于单向或双向线路保护,灵活性强。

    应用案例和使用建议


    应用场景
    HPJSD05CFN2 广泛应用于多种高速数据线保护,如USB 3.0、HDMI、LVDS 等接口。此外,在工业控制、医疗设备及汽车电子等领域也有广泛应用。
    使用建议
    - 布局布线:确保正确的PCB布局和走线,避免引脚间短路。
    - 去耦电容:使用合适的去耦电容,确保稳定的电源供应。
    - 散热管理:注意散热设计,特别是大电流应用时,以保证长期稳定性。

    兼容性和支持


    HPJSD05CFN2 可与其他电子元器件轻松配合使用,适用于各种电路设计。厂商提供全面的技术支持和售后服务,确保客户在使用过程中能够获得及时帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品损坏 | 检查安装工艺是否正确,确认是否存在过压现象。 |
    | 性能不稳定 | 确认焊接温度是否超过最大值,检查电容值是否合适。 |
    | 保护功能失效 | 检查输入电压是否超出规定范围,更换符合规格的电容。 |

    总结和推荐


    HPJSD05CFN2 在瞬态保护方面表现出色,具有高可靠性、小体积、低泄漏电流和快速响应时间等特点,是高速数据线保护的理想选择。适用于各种需要高性能ESD保护的应用场景。强烈推荐给需要保护高速数据线的工程师和技术人员。
    该产品的卓越性能和广泛的适用性使其成为市场上值得信赖的选择。

HPJSD05CFN2参数

参数
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -

HPJSD05CFN2厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HPJSD05CFN2数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HPJSD05CFN2 HPJSD05CFN2数据手册

HPJSD05CFN2封装设计

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30000+ ¥ 0.1009
50000+ ¥ 0.0983
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