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HSD12T1G

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HSD12T1G SOD-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HSD12T1G

HSD12T1G概述


    产品简介


    HSD12T1G 是一款由深圳华宣阳电子有限公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS),型号为 HSD12T1G。这种类型的电子元器件主要用于保护电路免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件损害。它具备出色的钳位能力、低泄漏电流和低电容等特点,适用于各种暴露于 ESD 的设计中。HSD12T1G 可以灵活地保护单向线路,适用于那些无法使用阵列保护的应用场合。这些特点使得 HSD12T1G 成为了市场上一种具有高性价比的选择。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率:350 W(tp = 8/20μs)
    - 最大引脚焊接温度(10s内):260 °C
    - 存储温度范围:-55 至 +155 °C
    - 工作温度范围:-40 至 +125 °C
    - 最大结温:150 °C
    - 静电放电测试(IEC61000-4-2):空气放电 ±30 kV;接触放电 ±30 kV
    - 反向稳态电压:最大 12.0 V
    - 泄漏电流:微安级
    - 响应时间:通常 < 1 μs
    - 钳位电压:IPP = 12 A 时,VC = 33 V
    - ESD 保护:空气放电 / 接触放电 30 kV
    - 封装形式:SOD-323
    - 最大重复峰值脉冲功率:350 W
    - 最小钳位电压:33 V
    - 最大漏电流:110 μA
    - 最大反向工作电压:13.3 V
    - 最小击穿电压:19 V
    - 最大击穿电压:15 V
    - 最大峰值脉冲电流:12 A
    - 最大峰值脉冲功率:350 W
    - 最大电容:4 pF

    产品特点和优势


    HSD12T1G 瞬态电压抑制二极管具有以下显著特点和优势:
    1. 低电容:HSD12T1G 的电容非常低,这使得它非常适合高速信号线的保护,因为低电容可以减少信号延迟。
    2. 出色的钳位能力:该二极管能够在短时间内提供高效的电压钳位,有效保护敏感的半导体器件。
    3. 快速响应时间:响应时间小于 1 μs,确保了及时的保护效果。
    4. 低泄漏电流:微安级别的泄漏电流意味着它可以长时间保持稳定的工作状态,无需频繁更换。
    5. 宽工作温度范围:能够承受极端的工作温度条件,适用于各种环境下的应用。
    6. 环保合规:符合 RoHS 规范,适用于对环保要求较高的应用场合。

    应用案例和使用建议


    HSD12T1G 瞬态电压抑制二极管广泛应用于通信设备、消费电子产品、工业控制设备等各类需要 ESD 保护的场合。例如,在智能手机、平板电脑和便携式设备中,HSD12T1G 可以有效地保护内部的敏感电子组件免受意外静电放电的危害。
    使用建议:
    - 在进行电路设计时,考虑信号传输速率和频率,确保选用的 HSD12T1G 的电容和钳位电压与实际需求匹配。
    - 安装时注意正确的焊点位置和焊锡温度,避免过热导致器件损坏。
    - 进行严格的可靠性测试,确保设备在实际使用过程中能够稳定运行。

    兼容性和支持


    HSD12T1G 瞬态电压抑制二极管与多种电子设备和组件具有良好的兼容性。产品供应商提供了详细的安装指南和技术支持服务,以帮助客户顺利进行安装和调试。此外,用户还可以通过官方网站获取最新的技术文档和应用笔记,以便更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    以下是使用 HSD12T1G 瞬态电压抑制二极管时常见的几个问题及其解决方法:
    1. 问题:二极管安装后不能正常工作。
    - 解决办法:检查焊接点是否有虚焊或短路现象。确保焊接温度不超过最大允许值。
    2. 问题:设备受到 ESD 放电后,保护效果不佳。
    - 解决办法:确认实际使用的静电放电量是否超过了产品的额定保护水平。必要时,选择更高防护等级的产品。
    3. 问题:设备在高温环境下工作不稳定。
    - 解决办法:根据数据手册中提供的工作温度范围进行操作,确保设备在规定范围内工作。如果实际工作温度超出了规范,可能需要增加额外的散热措施。

    总结和推荐


    总体而言,HSD12T1G 瞬态电压抑制二极管是一款高性能的 ESD 保护元件,具有低电容、高响应速度和出色的钳位能力。它适用于各种需要 ESD 保护的场合,尤其是在对电容和泄漏电流要求较高的应用场景中表现尤为出色。对于设计师来说,选择 HSD12T1G 能够大大提升产品的可靠性和使用寿命。因此,我们强烈推荐在相关的电路设计中使用此产品。

HSD12T1G参数

参数
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -

HSD12T1G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HSD12T1G数据手册

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HSD12T1G封装设计

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