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HSZSM12T1G

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HSZSM12T1G SOT-23
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HSZSM12T1G

HSZSM12T1G概述


    产品简介


    HSZSM12T1G ESD保护二极管 是一款专门用于高频率数据线瞬态保护的电子元件。它具备出色的瞬态保护性能,能够抵御静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件。这款二极管在广泛的应用领域中表现出色,包括工业控制、通信设备以及消费电子产品等。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率(tp=8/20ms):350W
    - 最大引脚温度(焊接10秒内):260℃
    - 存储温度范围:-55至+155℃
    - 工作温度范围:-40至+125℃
    - 最大结温:150℃
    - IEC 61000-4-2 (ESD):
    - 空气放电:±30kV
    - 接触放电:±30kV
    - IEC 61000-4-4 (EFT):40A(5/50ns)
    - 工作电压:12V
    - 反向工作电压:13.3V
    - 反向击穿电压:12V
    - 反向漏电流:1μA
    - 钳位电压:90V
    - 结电容:130pF

    产品特点和优势


    HSZSM12T1G ESD保护二极管具备以下显著特点和优势:
    1. 出色的钳位能力:能够提供最佳的瞬态保护性能,有效防止静电放电对敏感半导体组件的损坏。
    2. 低泄漏电流:在正常操作条件下,泄漏电流非常低,保证系统的稳定性和可靠性。
    3. 低电容:低电容设计减少了对高速数据线传输信号的影响。
    4. 快速响应时间:快速响应确保在瞬态事件发生时立即启动保护机制。
    5. 灵活性:可以保护单向或双向线路,适合不同应用场景的需求。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    HSZSM12T1G 在多个领域得到了广泛应用,例如:
    - 工业控制系统中的数据传输保护
    - 通信设备的数据接口保护
    - 消费电子产品中的USB端口保护
    使用建议
    1. 正确布局:在电路板设计时,确保二极管的布局合理,避免信号干扰。
    2. 匹配负载:根据具体应用需求选择合适的负载匹配,以获得最佳保护效果。
    3. 热管理:确保良好的散热设计,特别是在高温环境下工作时,注意散热措施。

    兼容性和支持


    HSZSM12T1G 可与多种标准接口兼容,如USB、HDMI等。厂家提供了详细的技术支持文档,并且通过官网提供了在线技术支持,确保客户在使用过程中遇到问题时能够及时得到帮助。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案
    1. 问题:工作时温度过高
    - 解决办法:检查散热设计,增加散热片或改进散热路径。
    2. 问题:信号传输不稳定
    - 解决办法:确认电路设计合理,特别是信号线与电源线之间的隔离。
    3. 问题:无法达到预期的保护效果
    - 解决办法:验证参数设置是否正确,重新调整工作电压和相关参数。

    总结和推荐


    总体而言,HSZSM12T1G ESD保护二极管是一款性能卓越的电子元件,适用于多种应用场景。其出色的瞬态保护性能、低泄漏电流和灵活的应用设计使其在市场上具有较高的竞争力。我们强烈推荐此产品给需要高可靠性的系统设计师和工程师。

HSZSM12T1G参数

参数
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -

HSZSM12T1G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HSZSM12T1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HSZSM12T1G HSZSM12T1G数据手册

HSZSM12T1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.7507
9000+ ¥ 0.7382
15000+ ¥ 0.7194
库存: 720000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
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