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HESD5Z5.0T5G

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HESD5Z5.0T5G SOD-523
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESD5Z5.0T5G

HESD5Z5.0T5G概述

    HESD5Z5.0T5G ESD Protection Diode 技术手册解析

    1. 产品简介


    HESD5Z5.0T5G 是一种专为静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件设计的保护二极管。它适用于需要保护敏感半导体元件免受静电损害的应用场合。本产品具备出色的钳位能力、低漏电流和低电容的特点,能够有效保护电路不受ESD影响。此外,它还能为单向线路提供灵活的保护方案,在阵列不适用的情况下,方便设计师选择适当的保护措施。

    2. 技术参数


    以下是HESD5Z5.0T5G的主要技术参数和规格:
    | 符号 | 参数 | 值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | PPP | 峰值脉冲功率 (tp = 8/20μs) | 140 | W |
    | TL | 焊接期间最大引脚温度 (10s) | 260 | °C |
    | Tstg | 存储温度范围 | -55 to +150 | °C |
    | Top | 工作温度范围 | -40 to +125 | °C |
    | Tj | 最大结温 | 150 | °C |
    | ESD | IEC61000-4-2 (ESD) 空气放电 | ±15 | KV |
    | IEC61000-4-2 (ESD) 接触放电 | ±8 | KV |
    电气特性:
    - VRWM(最大反向工作电压):5.0 V
    - IR(反向漏电流):14 μA
    - VBR(击穿电压):140 V
    - VC(钳位电压):140 V
    - IPP(峰值脉冲电流):5 A
    - PPK(峰值脉冲功率):140 W
    - C(电容):9.4 pF

    3. 产品特点和优势


    HESD5Z5.0T5G具备以下独特功能和优势:
    - 小巧的外形尺寸
    - 低高度
    - 峰值功率高达140瓦(8×20μs脉冲)
    - 低漏电流
    - 快速响应时间(通常<1纳秒)
    - 静态人体模型下的ESD等级为3级(>16kV)
    - IEC61000−4−2 等级4的ESD保护
    - IEC61000−4−4 等级4的快速瞬变保护(EFT)
    这些特点使得HESD5Z5.0T5G在各种应用环境中表现优异,具有很高的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    HESD5Z5.0T5G适用于多种应用场景,如消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。为了更好地利用这一保护二极管,以下是一些建议:
    - 在电路设计中正确布局HESD5Z5.0T5G,以确保其能够在ESD发生时迅速响应。
    - 确保HESD5Z5.0T5G的引脚连接稳固,避免因焊接不当导致的损坏。
    - 定期检查HESD5Z5.0T5G的状态,确保其正常工作。如果发现异常,应及时更换以避免潜在的风险。

    5. 兼容性和支持


    HESD5Z5.0T5G 可以与其他标准电子元器件轻松兼容,适合各种电路设计。厂商提供了全面的技术支持,包括产品安装指南、故障排除和客户支持服务,确保用户能够充分利用产品的性能和优势。

    6. 常见问题与解决方案


    在使用HESD5Z5.0T5G的过程中,可能会遇到一些常见的问题。以下是一些常见问题及其解决方案:
    - 问题:HESD5Z5.0T5G无法正常保护电路。
    解决方案:请检查电路连接是否正确,确保HESD5Z5.0T5G被正确放置在ESD敏感区域。
    - 问题:HESD5Z5.0T5G出现过热现象。
    解决方案:请确认环境温度不超过其工作温度范围(-40到+125°C),并采取适当的散热措施。

    7. 总结和推荐


    综上所述,HESD5Z5.0T5G是一款优秀的ESD保护二极管,具备出色的性能和广泛的应用前景。其小巧的体积、低功耗和高可靠性使其成为众多应用的理想选择。我们强烈推荐在设计需要ESD防护的电路时使用HESD5Z5.0T5G,以确保电路的安全和稳定运行。

HESD5Z5.0T5G参数

参数
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -

HESD5Z5.0T5G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESD5Z5.0T5G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESD5Z5.0T5G HESD5Z5.0T5G数据手册

HESD5Z5.0T5G封装设计

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