处理中...

首页  >  产品百科  >  HVS5V0BL1QST18R

HVS5V0BL1QST18R

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HVS5V0BL1QST18R DFN1006-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HVS5V0BL1QST18R

HVS5V0BL1QST18R概述

    HVS5V0BL1QST18R 技术手册

    1. 产品简介


    HVS5V0BL1QST18R 是一款由深圳华宣阳电子有限公司生产的ESD保护二极管,型号为HVS5V0BL1QST18R。它采用DFN1006-2L封装,适用于高速数据线的瞬态保护。该产品广泛应用于各种需要ESD(静电放电)和瞬态事件保护的场合,例如通信设备、计算机接口和消费电子产品。

    2. 技术参数


    以下是HVS5V0BL1QST18R的技术规格和性能参数:
    - 绝对额定值:
    - 最大峰值脉冲功率(tp=8/20μs): 100W
    - 焊接时最大引脚温度(10秒): 260°C
    - 存储温度范围: -55°C ~ +150°C
    - 操作温度范围: -55°C ~ +150°C
    - 最大结温: 150°C
    - 电气特性:
    - 反向工作电压 (VRWM): 5.0V
    - 反向击穿电压 (VBR): 6.0V
    - 反向漏电流 (IR): 0.1μA
    - 钳位电压 (V): 13V
    - 结电容 (CJ): 0.5pF
    - 峰值脉冲电流 (IT): 4A
    - 防护等级:
    - IEC 61000-4-2 (ESD) 空气放电: ±15kV
    - IEC 61000-4-2 (ESD) 接触放电: ±8kV
    - IEC 61000-4-4 (EFT): 40A (5/50ns)

    3. 产品特点和优势


    HVS5V0BL1QST18R具有以下显著特点和优势:
    - 超小型封装: 仅1.0mm x 0.6mm x 0.5mm,适用于空间受限的应用。
    - 卓越的钳位能力: 低钳位电压和高峰值脉冲功率能力,确保出色的瞬态保护性能。
    - 低泄漏电流: 小于0.1μA,有助于提高电路的整体可靠性。
    - 快速响应时间: 快速的瞬态响应时间,适合高速数据传输线路的保护。
    - 单双向保护: 设计灵活,可保护单个双向线路。

    4. 应用案例和使用建议


    HVS5V0BL1QST18R 主要应用于需要ESD和瞬态事件保护的高速数据传输系统,例如USB端口、以太网接口和串行通信接口。以下是使用建议:
    - 应用案例: 在USB2.0/3.0接口、HDMI接口、以太网接口等应用中提供可靠的ESD保护。
    - 使用建议: 确保焊接过程中的温度不超过260°C,并注意防静电措施,避免损坏二极管。

    5. 兼容性和支持


    HVS5V0BL1QST18R具有良好的兼容性,适用于多种高速数据传输标准和接口。深圳华宣阳电子有限公司提供全面的技术支持和售后服务,包括产品咨询、故障排除和技术文档。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 焊接时温度过高导致损坏。
    - 解决办法: 确保焊接温度不超过260°C,并使用适当的焊接设备和方法。
    - 问题: 泄漏电流偏大。
    - 解决办法: 检查电路板布局和焊接质量,确保无短路或其他电气干扰。
    - 问题: 钳位电压异常。
    - 解决办法: 检查外部电路连接,确认所有连接正确无误。

    7. 总结和推荐


    总体而言,HVS5V0BL1QST18R是一款高性能、小体积的ESD保护二极管,适用于高速数据传输线路的保护。它的卓越钳位能力和低泄漏电流使其成为许多关键应用的理想选择。强烈推荐在需要ESD和瞬态事件保护的设计中使用此产品。

HVS5V0BL1QST18R参数

参数
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -

HVS5V0BL1QST18R厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HVS5V0BL1QST18R数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HVS5V0BL1QST18R HVS5V0BL1QST18R数据手册

HVS5V0BL1QST18R封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10000+ ¥ 0.5216
30000+ ¥ 0.5129
50000+ ¥ 0.4999
库存: 720000
起订量: 10000 增量: 10000
交货地:
最小起订量为:10000
合计: ¥ 5216
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0402ESDA-09 ¥ 0.0794
0603ESDA ¥ 0
1.5KE100CA ¥ 6.9984
1.5KE110A ¥ 1.3918
1.5KE200A ¥ 0.9175
1.5KE220A-AT/B ¥ 1.5755
1.5KE22A ¥ 0.72
1.5KE24CA/B ¥ 0.5716
1.5KE27CA ¥ 0.2851
1.5KE30CA ¥ 1.0146