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HPESDXC2FD5VU

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HPESDXC2FD5VU DFN1006-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HPESDXC2FD5VU

HPESDXC2FD5VU概述

    HPESDXC2FD5VU ESD Protection Diode 技术手册概述

    产品简介


    HPESDXC2FD5VU 是一种由华宣阳电子有限公司生产的静电保护二极管(ESD Protection Diode)。它专为高频率数据线的瞬态保护设计,能够有效防止由于静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬态事件对电路元件造成的损坏。这款产品尤其适用于高速通信和数据传输的应用场景。

    技术参数


    以下是该产品的关键技术和性能参数:
    - 峰值脉冲功率:60W (8/20μs)
    - 最大引脚焊接温度:260°C
    - 存储温度范围:-55至+150°C
    - 工作电压:5V
    - 反向漏电流:100nA
    - 钳位电压:10V(最大)
    - 结电容:0.4pF(典型值)
    - 响应时间:非常快
    - 封装尺寸:1.0mm x 0.6mm x 0.5mm

    产品特点和优势


    - 出色的钳位能力:低钳位电压,能够在高电压瞬态情况下提供高效的保护。
    - 低泄漏电流:保证在正常工作条件下极低的漏电流。
    - 超小型封装:占用空间小,适合紧凑型设计。
    - 高可靠性:能够在极端环境下稳定工作,适用于多种应用场景。

    应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于高速通信接口(如USB、HDMI、以太网等),可以有效地保护这些接口免受ESD和其他电压瞬态事件的影响。
    - 使用建议:建议在进行系统设计时,考虑二极管的封装尺寸和安装位置,确保最佳保护效果。同时,在设计时要注意引脚温度限制,避免超过最高允许温度。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他主流芯片和电路板兼容,适用范围广泛。
    - 支持服务:华宣阳电子有限公司提供了全面的技术支持和售后服务,包括样品测试、技术支持热线和产品咨询。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:产品在高温环境下无法正常工作。
    - 解决方案:确保焊接温度不超过260°C,并且在高温环境下使用时要注意散热。

    2. 问题:数据传输时出现异常。
    - 解决方案:检查连接线路是否正确,确认所有接口都已正确接地,避免信号干扰。

    总结和推荐


    HPESDXC2FD5VU 以其出色的设计和高性能,成为保护高速数据线的理想选择。其小巧的封装和卓越的保护性能使其在各种应用场景中表现出色。我们强烈推荐该产品给需要高效ESD保护的应用场合。如果您在使用过程中有任何疑问或需要进一步的技术支持,请联系华宣阳电子有限公司。

HPESDXC2FD5VU参数

参数
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -
极性 -

HPESDXC2FD5VU厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HPESDXC2FD5VU数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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HPESDXC2FD5VU封装设计

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30000+ ¥ 0.0636
50000+ ¥ 0.062
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