处理中...

首页  >  产品百科  >  HESD5621W15-2/TR

HESD5621W15-2/TR

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HESD5621W15-2/TR SOD-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESD5621W15-2/TR

HESD5621W15-2/TR概述


    产品简介


    HESD5621W15-2/TR ESD保护二极管 是一款专为高数据传输速率线路设计的瞬态保护装置,适用于多种电子设备。该产品采用SOD-323封装,具有高瞬态功率耗散能力、低钳位电压和低漏电流的特点,能有效保护敏感半导体设备免受静电放电(ESD)及其他电压瞬态事件的影响。该二极管特别适合应用于需要保护单向线的场合,如Vcc或数据线。

    技术参数


    - 瞬态峰值功率(tp = 8/20 μs): 1800 W
    - 最大引脚焊接温度(持续10秒): 260 °C
    - 存储温度范围: -55 °C 至 +155 °C
    - 工作温度范围: -40 °C 至 +125 °C
    - 最大结温: 150 °C
    - IEC 61000-4-2 (ESD) 空气放电: ±30 kV
    - IEC 61000-4-2 (ESD) 接触放电: ±30 kV
    - IEC 61000-4-4 (EFT): 40 A (5/50 ns)
    - 反向工作电压: 15 V
    - 反向击穿电压: 16 V
    - 反向泄漏电流: ≤ 1 μA
    - 钳位电压: ≤ 22 V
    - 结电容: 330 pF

    产品特点和优势


    HESD5621W15-2/TR具备以下显著特点:
    - 高瞬态功率耗散能力:瞬态峰值功率可达1800 W,确保设备在高瞬态条件下仍能稳定运行。
    - 低钳位电压:钳位电压低至22 V,确保对敏感设备的保护更为有效。
    - 低漏电流:反向泄漏电流≤1 μA,进一步减少能量损失。
    - 优异的钳位能力:低钳位能力和低结电容使得该产品在保护设计上更加灵活可靠。
    - 易于安装和适用性强:适合保护单向线,广泛应用于各类设备的Vcc或数据线保护。

    应用案例和使用建议


    HESD5621W15-2/TR二极管广泛应用于各类电子设备,特别是对ESD和EFT敏感的设备。以下是一些常见的应用示例:
    - 通讯设备:用于保护高速数据通信线路,例如以太网、USB和HDMI接口。
    - 消费电子:用于手机、平板电脑等便携式设备的数据线保护。
    - 工业控制:在自动化系统中保护传感器和控制器的数据线。
    使用建议:
    - 在安装时需确保焊点温度不超过260 °C,并保持适当的散热条件。
    - 定期检查设备的工作温度范围,确保其在正常范围内运行。
    - 对于特殊应用,建议进行额外的测试和验证,确保其满足特定要求。

    兼容性和支持


    HESD5621W15-2/TR二极管采用SOD-323封装,可以方便地与其他标准电子元件兼容。制造商提供了全面的技术支持和服务,包括但不限于:
    - 技术支持:通过电话、邮件或在线聊天等方式提供技术支持。
    - 质量保证:提供1年质保服务,确保产品质量。
    - 产品更新:根据客户需求和技术进步定期发布产品更新信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:如何确定二极管是否损坏?
    - 解决方案:使用万用表测量二极管的正反向电阻,如果正向电阻较小而反向电阻较大,则说明二极管正常;否则可能已损坏。

    2. 问题:如何判断是否达到最大焊接温度?
    - 解决方案:使用热成像仪监测焊接过程中的温度变化,确保不超过260 °C。

    3. 问题:如何处理泄漏电流偏高的情况?
    - 解决方案:检查焊接质量和外部电路的完整性,必要时更换新的二极管。

    总结和推荐


    综上所述,HESD5621W15-2/TR是一款性能优异的ESD保护二极管,具备高瞬态功率耗散能力、低钳位电压和低漏电流等特点。其在高数据传输速率应用中的表现尤为突出,是保护电子设备免受ESD和EFT影响的理想选择。建议在相关应用中积极采用,特别是在需要高可靠性的场合。总的来说,这款产品值得高度推荐。

HESD5621W15-2/TR参数

参数
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -

HESD5621W15-2/TR厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESD5621W15-2/TR数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESD5621W15-2/TR HESD5621W15-2/TR数据手册

HESD5621W15-2/TR封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.2455
9000+ ¥ 0.2414
15000+ ¥ 0.2353
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 736.5
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0402ESDA-09 ¥ 0.0794
0603ESDA ¥ 0
1.5KE100CA ¥ 6.9984
1.5KE110A ¥ 1.3918
1.5KE200A ¥ 0.9175
1.5KE220A-AT/B ¥ 1.5755
1.5KE22A ¥ 0.72
1.5KE24CA/B ¥ 0.5716
1.5KE27CA ¥ 0.2851
1.5KE30CA ¥ 1.0146