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HESDSLC3V3D3B

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述:
供应商型号: HESDSLC3V3D3B SOD-323
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDSLC3V3D3B

HESDSLC3V3D3B概述


    产品简介


    HESDSLC3V3D3B 是一款由华宣阳电子科技有限公司生产的瞬态电压抑制二极管(TVS),适用于保护敏感的半导体组件免受静电放电(ESD)和其他电压引起的瞬变事件损害。此产品广泛应用于需要高可靠性保护的各类电子设备中,例如通信设备、工业控制设备和消费电子产品等。

    技术参数


    - 峰值脉冲功率(\(tp = 8/20 \mu s\)):400W
    - 最大引脚焊接温度(10秒):260°C
    - 存储温度范围:-55°C至+155°C
    - 工作温度范围:-40°C至+125°C
    - 最大结温:150°C
    - 接触放电:±15KV
    - 空气放电:±10KV
    - 击穿电压(@IT):5.4V
    - 额定工作电压:3.3V
    - 泄漏电流:1μA
    - 容许电容:1pF
    - 钳位电压(@IPP=20A):10V(典型值)
    - 响应时间:≤1.0ns

    产品特点和优势


    - 超低电容:1pF,适用于对电容要求较高的应用。
    - 低钳位电压:提供更有效的保护。
    - 低高度设计:0.4mm,适合空间受限的设计。
    - 高ESD防护等级:符合IEC61000-4-2标准,达到Level 4,确保设备在面对强烈ESD冲击时仍能正常工作。
    - 快速响应:响应时间小于1.0ns,能够迅速吸收瞬态电压,防止损坏。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在汽车电子系统中,用于保护车载娱乐系统和导航系统免受ESD损害。
    - 在工业控制系统中,作为输入输出线路的保护装置。
    使用建议:
    - 将该TVS二极管安装在电路板上时,应注意焊接温度不超过260°C,避免损坏二极管。
    - 对于敏感的应用场合,建议使用外部电容器配合使用,进一步提高抗ESD能力。
    - 确保PCB设计合理,避免信号干扰,特别是在高频率环境下。

    兼容性和支持


    - 兼容性:适用于标准SOD-323封装,与同类产品兼容性良好。
    - 支持:华宣阳电子提供详细的技术支持文档和在线咨询服务,帮助客户解决使用过程中的各种问题。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:过高的ESD导致器件损坏。
    - 解决方案:正确选择符合要求的TVS二极管,并在设计时考虑合理的布局和走线,以降低ESD影响。

    - 问题2:器件响应速度慢。
    - 解决方案:检查电路设计是否存在潜在的信号延迟,适当调整电路参数以加快响应速度。

    总结和推荐


    综合评估:HESDSLC3V3D3B TVS二极管以其卓越的ESD防护能力和快速响应速度,在多种应用场景中表现出色。它的低电容、低钳位电压和高可靠性使其成为许多电子设备的理想保护组件。
    推荐使用:对于需要高效ESD保护的应用场合,尤其是工业控制和汽车电子等领域,HESDSLC3V3D3B是一个值得信赖的选择。同时,考虑到其优良的性价比和广泛的应用范围,强烈推荐给所有需要这类保护器件的工程师和技术人员。

HESDSLC3V3D3B参数

参数
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
峰值脉冲功率 -

HESDSLC3V3D3B厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDSLC3V3D3B数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDSLC3V3D3B HESDSLC3V3D3B数据手册

HESDSLC3V3D3B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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9000+ ¥ 0.2655
15000+ ¥ 0.2588
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