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LESD11LL5.0CT5G

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于5V系统,提供单通道高效保护。拥有4A峰值脉冲电流IPP能力,能快速响应并抑制双向静电放电,确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用,有效保障信号完整性,是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。
供应商型号: 14M-LESD11LL5.0CT5G DFN0603-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 LESD11LL5.0CT5G

LESD11LL5.0CT5G参数

参数
峰值脉冲电流 4A
峰值脉冲功率 80W
极性 双向
工作电压 5V
箝位电压 20V
击穿电压 6V
长*宽*高 610μm*310μm*280μm
通用封装 DFN-0603-2L
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

LESD11LL5.0CT5G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

LESD11LL5.0CT5G数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 LESD11LL5.0CT5G LESD11LL5.0CT5G数据手册

LESD11LL5.0CT5G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.1382
1000+ ¥ 0.1301
3000+ ¥ 0.1161
10000+ ¥ 0.087
15000+ ¥ 0.0838
45000+ ¥ 0.0813
库存: 15000
起订量: 100 增量: 15000
交货地:
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