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LESD11LL5.0CT5G

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 这款DFN0603-2L封装的双向ESD静电防护二极管,适用于5V系统,提供单通道高效保护。拥有4A峰值脉冲电流IPP能力,能快速响应并抑制双向静电放电,确保电路安全。其超低结电容0.35pF设计特别适合高速数据传输应用,有效保障信号完整性,是高端电子设备接口的理想ESD防护方案。
供应商型号: 14M-LESD11LL5.0CT5G DFN0603-2L
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 LESD11LL5.0CT5G

LESD11LL5.0CT5G概述

    # ESD保护二极管 LESD11LL5.0CT5G 技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    LESD11LL5.0CT5G 是一款高性能的 ESD 保护二极管,专为敏感的半导体组件提供卓越的静电放电(ESD)和瞬态电压保护而设计。这款产品适用于需要快速响应和低泄漏电流的应用场景。其紧凑的小尺寸封装使其成为移动设备和便携式电子产品的理想选择。
    主要功能
    - 防止静电放电对电子组件造成的损坏或干扰。
    - 具备出色的钳位能力,低泄漏电流和低电容。
    - 快速响应时间,典型值小于 1 纳秒。
    应用领域
    LESD11LL5.0CT5G 广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制等领域,尤其适合保护单向线路免受 ESD 和其他瞬态电压的影响。

    2. 技术参数


    | 参数 | 值 | 单位 |
    |
    | 封装类型 | DFN0603-2L
    | 封装尺寸 | 0.61 mm x 0.31 mm
    | 最大高度 | 0.28 mm
    | 工作温度范围 | -40 至 +125 | °C |
    | 存储温度范围 | -55 至 +150 | °C |
    | 脉冲峰值功率 | 80 | W |
    | 最大引脚温度 | 260 | °C |
    | ESD 保护等级 | Class 3
    | IEC61000-4-2 等级 | 4
    电气特性
    - 最小击穿电压 (VBR):5.0 V
    - 最大击穿电压 (VBR):6.0 V
    - 最大反向漏电流 (IR):0.5 μA
    - 最大电容 (C):8.8 pF

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 快速响应时间:典型值 <1 ns,确保快速抑制瞬态电压。
    - 低泄漏电流:保证了系统的高可靠性。
    - 低电容设计:减少信号失真,特别适合高频应用。
    市场竞争力
    LESD11LL5.0CT5G 在同类产品中具有明显的技术优势,其小巧的体积和卓越的性能使其在紧凑型设计中脱颖而出,广泛应用于手机、平板电脑、可穿戴设备等。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    LESD11LL5.0CT5G 常用于以下场景:
    - 手机和平板电脑的 USB 接口保护。
    - 笔记本电脑的音频接口保护。
    - 工业控制设备的 RS-485 接口保护。
    使用建议
    - 确保正确连接二极管的方向,避免反向连接。
    - 根据应用需求选择合适的安装位置,确保最佳保护效果。
    - 定期检查电路板上的热管理措施,以防止过热问题。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    LESD11LL5.0CT5G 与多种主流电子设备兼容,支持 RoHS 和无卤素标准,符合环保要求。
    厂商支持
    深圳华轩阳电子有限公司(HXY)提供了全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利使用和维护产品。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | ESD 保护效果不佳 | 检查二极管方向是否正确,确保正向连接。 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加散热片或风扇。 |
    | 反向漏电流过大 | 更换更高质量的二极管,重新焊接。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    LESD11LL5.0CT5G 是一款高性能的 ESD 保护二极管,具备快速响应、低泄漏电流和低电容的特点,非常适合现代电子设备的保护需求。其紧凑的设计和卓越的性能使其在市场上具有较强的竞争力。
    推荐使用
    基于其优异的技术参数和广泛的适用性,我们强烈推荐 LESD11LL5.0CT5G 用于需要 ESD 保护的关键电路中。它不仅能有效提升系统可靠性,还能帮助降低设计复杂度。

    联系厂商
    如需更多信息,请访问 [深圳华轩阳电子有限公司官网](www.hxymos.com) 或直接联系当地代表。

LESD11LL5.0CT5G参数

参数
工作电压 5V
箝位电压 20V
击穿电压 6V
峰值脉冲电流 4A
峰值脉冲功率 80W
极性 -
通用封装 DFN-0603-2L
应用等级 工业级
零件状态 在售

LESD11LL5.0CT5G厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

LESD11LL5.0CT5G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 LESD11LL5.0CT5G LESD11LL5.0CT5G数据手册

LESD11LL5.0CT5G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 0.1382
1000+ ¥ 0.1301
3000+ ¥ 0.1161
10000+ ¥ 0.087
15000+ ¥ 0.0838
45000+ ¥ 0.0813
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