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HESDNC12VB1EL-B

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,针对12V系统提供单通道高效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定。结电容低至8pF,适用于高速数据接口,兼具卓越信号完整性和强大ESD防护效能,是高要求电子设备的理想选择。
供应商型号: HESDNC12VB1EL-B SOD-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDNC12VB1EL-B

HESDNC12VB1EL-B概述


    产品简介


    HESDNC12VB1EL-B 电涌保护二极管(ESD)是一款专为保护敏感半导体免受静电放电(ESD)及其他电压瞬变事件损害而设计的高性能二极管。它广泛应用于消费电子产品、工业控制设备、汽车电子系统等领域,能够提供卓越的钳位能力、低漏电流和低电容特性,确保电路设计在面对ESD时依然稳定可靠。本产品尤其适用于双向线路的保护,在阵列保护不实用的情况下,为设计者提供了灵活性。

    技术参数


    以下是HESDNC12VB1EL-B的关键技术参数:
    | 参数 | 描述 | 值 | 单位 |
    ||
    | 最大峰值脉冲功率 | (tp = 8/20 μs) | 170 | W |
    | 脉冲宽度 8 / 20 μs
    | 最大结温 150 | °C |
    | 工作温度范围 -40 至 +125 | °C |
    | 存储温度范围 -55 至 +155 | °C |
    | 额定击穿电压 | @ IT | 13.5 | V |
    | 反向漏电流 | @ VRWM | 1 | μA |
    | 响应时间 < 1 | ns |
    | ESD 保护等级 | (Human Body Model) | 16 | kV |
    | 静电放电防护等级 | (IEC61000−4−2) | Class 3
    | 快速瞬变脉冲防护等级 | (IEC61000−4−4) | 40 | A |

    产品特点和优势


    HESDNC12VB1EL-B 的主要特点和优势如下:
    - 卓越的钳位能力:出色的钳位性能有助于降低峰值电压,从而保护敏感电子设备免受ESD和其他瞬态电压的影响。
    - 低漏电流和低电容:这些特性使得它在大多数情况下具有较高的能效和信号完整性。
    - 快速响应时间:< 1 ns 的响应时间可以确保及时抑制瞬态电压,有效避免设备损坏。
    - 宽工作温度范围:-40 至 +125 °C 的工作温度范围使其适用于各种恶劣环境。
    - 高可靠性:符合严格的行业标准,如IEC61000−4−2 和 IEC61000−4−4,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    HESDNC12VB1EL-B 在多种应用场景中表现出色。例如,在工业自动化系统中,它可以用于保护输入输出模块免受外部环境带来的ESD干扰。在消费电子领域,它可以用于智能手机、平板电脑等便携设备的充电端口保护。
    使用建议:
    - 确保正确的安装方向以达到最佳性能。
    - 在使用过程中注意不要超出额定参数范围,特别是在高热环境下。
    - 定期检查安装的二极管以确保其正常工作状态。

    兼容性和支持


    HESDNC12VB1EL-B 具有良好的兼容性,可与市面上多数电路板和连接器相匹配。制造商Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO., LTD 提供详尽的技术支持和售后服务,包括安装指导和技术咨询。对于需要进一步定制化支持的客户,也可以联系当地的销售代表获取更多信息。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何确保正确安装?
    - 答:请参照技术手册中的电路图进行安装,并确保二极管正负极正确连接。
    2. 问:在高温环境中使用该产品会有什么影响?
    - 答:应避免长时间在高于最大工作温度范围内使用,以防止性能下降甚至失效。
    3. 问:该产品是否有保修服务?
    - 答:是的,购买的产品在正常使用条件下享有制造商规定的保修期。详细信息请参阅产品手册或咨询销售人员。

    总结和推荐


    综上所述,HESDNC12VB1EL-B 是一款具有卓越性能和广泛适用性的ESD保护二极管。其具备低漏电流、低电容、快响应时间及宽工作温度范围等特点,使其成为保护电子设备免受ESD和瞬态电压冲击的理想选择。我们强烈推荐在各类需要ESD防护的应用场景中使用这款产品。

HESDNC12VB1EL-B参数

参数
极性 双向
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 13.5V
峰值脉冲电流 9A
峰值脉冲功率 -
通用封装 SOD-323

HESDNC12VB1EL-B厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDNC12VB1EL-B数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDNC12VB1EL-B HESDNC12VB1EL-B数据手册

HESDNC12VB1EL-B封装设计

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