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HESDNC12VB1EL-B

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 这款SOD-323封装的双向ESD静电防护二极管,针对12V系统提供单通道高效保护。具备9A峰值脉冲电流IPP能力,有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路安全稳定。结电容低至8pF,适用于高速数据接口,兼具卓越信号完整性和强大ESD防护效能,是高要求电子设备的理想选择。
供应商型号: HESDNC12VB1EL-B SOD-323
供应商: 云汉优选
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDNC12VB1EL-B

HESDNC12VB1EL-B参数

参数
击穿电压 13.5V
峰值脉冲电流 9A
峰值脉冲功率 -
极性 双向
工作电压 -
箝位电压 -
通用封装 SOD-323

HESDNC12VB1EL-B厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDNC12VB1EL-B数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDNC12VB1EL-B HESDNC12VB1EL-B数据手册

HESDNC12VB1EL-B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.078
9000+ ¥ 0.0767
15000+ ¥ 0.0748
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起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
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