处理中...

首页  >  产品百科  >  HESDNC12VU1CL-A

HESDNC12VU1CL-A

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 这款SOD-523封装单向ESD静电防护二极管适用于单通道保护,具有12V高耐压VRWM,能有效阻挡过电压。峰值脉冲电流IPP高达8A,确保在遭受瞬态冲击时提供强大保护。其34pF低结电容性能保证了数据高速传输的信号完整性,是防止静电放电损害的理想选择,尤其适合于高速接口电路防护。
供应商型号: HESDNC12VU1CL-A SOD-523
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDNC12VU1CL-A

HESDNC12VU1CL-A概述


    产品简介


    HESDNC12VU1CL-A 电涌保护二极管 是一款专为静电放电(ESD)和其他电压瞬态事件引起的组件损坏而设计的产品。该产品特别适用于敏感半导体设备的保护,具备出色的钳位能力、低泄漏电流、低电容以及快速响应时间,能够有效地保护电路免受ESD的侵害。此外,它还提供了设计师在单向线路保护上的灵活性,适用于多种应用场景。

    技术参数


    - 外形尺寸:小型表面贴装外形尺寸,低封装高度
    - 标称电压:12V
    - 峰值功率:最高可达300瓦(8/20微秒脉冲)
    - 最大脉冲功率:200W(8/20微秒脉冲)
    - 泄漏电流:低泄漏
    - 响应时间:典型值 < 1 ns
    - ESD额定值:符合人体模型ESD等级3
    - 保护级别:符合IEC61000-4-2 Level 4 ESD保护和IEC61000-4-4 Level 4 EFT保护标准
    - 绝对额定值:
    - 峰值脉冲功率(tp = 8/20μs):200 W
    - 最大引线温度:在10秒内达到260°C
    - 存储温度范围:-55°C 至 +150°C
    - 工作温度范围:-40°C 至 +125°C
    - 最大结温:150°C
    - IEC61000-4-2 ESD空气放电:±15 kV
    - 接触放电:±8 kV
    - 电气特性(25°C时环境温度):
    - VRWM:12V
    - IR:最大 25 μA
    - VBR:典型值 13.5V
    - VC(IPP=5 A时):典型值 22V
    - VC(最大IPP时):最大值 200V
    - IPP(典型值):最大值 34 A
    - PPK(典型值):最大值 300 W
    - C:最大 1.0 pF

    产品特点和优势


    HESDNC12VU1CL-A 电涌保护二极管具备多个显著的特点和优势,使其在广泛应用中脱颖而出:
    - 低泄漏和低电容:减少对正常信号路径的影响。
    - 出色钳位能力和快速响应时间:<1 ns 的响应时间能够迅速反应并防止损害。
    - 高水平的ESD和EFT保护:符合IEC国际标准,确保设备的可靠性和稳定性。
    - 灵活的设计:便于设计师根据具体需求进行保护配置。
    - 高可靠性:符合RoHS要求,确保环保和安全性。

    应用案例和使用建议


    HESDNC12VU1CL-A 电涌保护二极管广泛应用于需要高性能ESD保护的应用场景,如通信设备、计算机接口、消费电子设备等。其主要应用领域包括:
    - 通信设备:例如路由器、交换机、调制解调器等。
    - 计算机接口:例如USB、HDMI接口。
    - 消费电子产品:例如手机、平板电脑、电视等。
    使用建议:
    - 在高温环境中使用时,应注意散热问题,确保不超过规定的最大工作温度。
    - 设计电路板时,考虑引脚布局以优化散热效果。
    - 进行长时间运行测试以验证其长期可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:HESDNC12VU1CL-A 电涌保护二极管与其他标准SOD-523封装的电子元器件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电路设计中。
    - 支持:厂商提供详尽的技术文档和支持服务,帮助用户更好地理解和使用该产品。如有任何疑问或技术支持需求,用户可以直接联系厂家获取帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 泄漏电流过大 | 检查是否安装正确,确认周围环境温度和湿度。 |
    | 响应时间慢 | 确认工作温度未超过最大值,检查是否有其他干扰源。 |
    | 设备损坏 | 确认电路设计合理,是否满足所有电气特性要求。 |

    总结和推荐


    总体而言,HESDNC12VU1CL-A 电涌保护二极管凭借其出色的ESD和EFT保护能力、低泄漏电流、低电容和快速响应时间,在多种应用领域展现出卓越的性能。其紧凑的设计和广泛的适用性使其成为许多电路设计的理想选择。推荐在需要高可靠性和高性能ESD保护的应用中使用。
    通过以上介绍,我们相信这款电涌保护二极管将成为您项目中的宝贵资产。

HESDNC12VU1CL-A参数

参数
峰值脉冲电流 8A
峰值脉冲功率 -
极性 单向
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 13.5V
通用封装 SOD-523

HESDNC12VU1CL-A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDNC12VU1CL-A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDNC12VU1CL-A HESDNC12VU1CL-A数据手册

HESDNC12VU1CL-A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 0.0684
9000+ ¥ 0.0673
15000+ ¥ 0.0656
库存: 300000
起订量: 3000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:3000
合计: ¥ 205.2
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
0402ESDA-09 ¥ 0.0794
0603ESDA ¥ 0
1.5KE100CA ¥ 6.9984
1.5KE110A ¥ 1.3918
1.5KE200A ¥ 0.9175
1.5KE220A-AT/B ¥ 1.5755
1.5KE22A ¥ 0.72
1.5KE24CA/B ¥ 0.5716
1.5KE27CA ¥ 0.2851
1.5KE30CA ¥ 1.0146