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HESDUC5VU5FI-A

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 这款SOT-363封装单向ESD静电防护二极管,具备4+1通道设计,具有5V的VRWM电压阈值,可有效防止过电压。器件在每个通道上能承载瞬态峰值电流IPP高达4A,并具有超低结电容CJ为0.6pF,确保在多通道应用中提供强大ESD保护的同时,维持高速信号线路的卓越传输质量,是高集成度接口的理想防静电方案。
供应商型号: HESDUC5VU5FI-A SOT-363
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDUC5VU5FI-A

HESDUC5VU5FI-A概述

    # HESDUC5VU5FI-A ESD Protection Diode

    产品简介


    HESDUC5VU5FI-A是一款由Shenzhen HuaXuanYang Electronics CO.,LTD生产的ESD保护二极管阵列。该产品具有五个独立通道,每通道包含一对ESD二极管,能够有效处理正负向的静电放电(ESD)电流。这种设计使得每个通道可以将ESD电流引导至正负轨,通过肖特基二极管和齐纳二极管来钳制正向ESD电压至齐纳电压。HESDUC5VU5FI-A适用于各种需要高可靠性ESD防护的应用,如高速数据线、汽车电子和其他工业设备。

    技术参数


    性能参数
    - 峰值脉冲功率(8/20μs): 55W
    - 峰值脉冲电流(8/20μs): 4A
    - 接触放电(IEC 61000-4-2): ±15kV
    - 空气放电(IEC 61000-4-2): ±27kV
    - 正向钳位电压:13.0V
    - 反向钳位电压:1.8V
    - 反向工作电压:5V
    - 工作温度范围:-55°C ~ +125°C
    - 存储温度范围:-55°C ~ +150°C
    - 最大反向漏电流:1μA
    - 芯片电容:0.3pF ~ 0.4pF
    封装信息
    - 封装类型:SOT-363
    - 引脚布局建议:参见封装图

    产品特点和优势


    HESDUC5VU5FI-A具有以下显著优势:
    - 高ESD防护等级:达到IEC 61000-4-2 Level 4标准,能够承受±27kV空气放电和±15kV接触放电。
    - 低钳位电压:有效的钳位电压(13.0V正向,1.8V反向)使得对电路的影响降至最低。
    - 改进的齐纳结构:优化的齐纳二极管设计,提升整体性能和可靠性。
    - 低工作电压:适合低电压系统,适用于各种设备和模块。
    - 紧凑型封装:SOT-363封装易于布局,特别适合高速数据线的设计。

    应用案例和使用建议


    HESDUC5VU5FI-A广泛应用于各种电子设备中,特别是需要高可靠性的高速数据线路和汽车电子等领域。以下是其典型应用场景及使用建议:
    典型应用场景
    - 高速数据线:用于保护USB、HDMI等高速数据传输线路。
    - 汽车电子:适用于车身控制单元、传感器、显示器等需要防静电保护的关键部件。
    - 工业设备:在各种工业控制系统中作为关键的ESD防护组件。
    使用建议
    - 布局优化:建议根据SOT-363封装的引脚布局指南进行PCB布局设计,确保良好的信号完整性和热管理。
    - 热设计:考虑到工作温度范围较大(-55°C ~ +125°C),确保良好的散热设计以维持稳定的工作状态。

    兼容性和支持


    HESDUC5VU5FI-A与大多数常见的电子元件兼容,适用于广泛的电路设计。厂商提供了丰富的技术支持,包括详细的资料文档和应用指南,以及必要的采购和服务信息。

    常见问题与解决方案


    问题一:如何处理ESD放电导致的电路损坏?
    解决方案:确保正确的电路设计,遵循厂商提供的应用指南,并在实际应用中安装适当的保护措施。
    问题二:如何测试产品的性能?
    解决方案:使用专业的ESD测试设备和标准测试方法,按照IEC 61000-4-2标准进行测试。

    总结和推荐


    总体来看,HESDUC5VU5FI-A是一款高性能、高可靠的ESD保护二极管阵列,特别适用于需要严苛ESD防护的高速数据线路和汽车电子应用。它具有出色的ESD防护能力、低钳位电压和优化的封装设计,能够显著提高系统的抗干扰能力和可靠性。我们强烈推荐使用此产品以提升电子设备的整体性能。
    如有更多疑问或需求,欢迎联系我们的技术支持团队获取进一步的帮助和支持。

HESDUC5VU5FI-A参数

参数
峰值脉冲功率 -
极性 单向
工作电压 -
箝位电压 13V
击穿电压 6V
峰值脉冲电流 4A
通用封装 SOT-363

HESDUC5VU5FI-A厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDUC5VU5FI-A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
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HESDUC5VU5FI-A封装设计

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