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HESDUC5VB1AF-B

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
产品描述: 描述: 此款DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管,专为5V系统提供单通道保护。具备3A峰值脉冲电流IPP能力,能有效抑制双向瞬态ESD冲击,确保电路安全。超低结电容0.6pF设计,尤其适合高速数据传输接口,兼具卓越信号完整性和高级别的静电防护效能,是现代电子设备的理想选择。
供应商型号: HESDUC5VB1AF-B DFN1006-2L
供应商: 国内现货
标准整包数: 10000
HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HESDUC5VB1AF-B

HESDUC5VB1AF-B概述

    HESDUC5VB1AF-B ESD保护二极管

    产品简介


    HESDUC5VB1AF-B是一款专为电子电路设计的ESD(静电放电)保护二极管。该产品适用于需要防止由于静电放电(ESD)和其他电压瞬变事件导致的损坏或干扰的应用场合。它具有低漏电流、低电容、快速响应时间等特点,能够为暴露于ESD环境的设计提供有效的保护。此外,这款二极管还可用于保护双向线路,适用于无法采用阵列方案的应用场景。

    技术参数


    - 封装类型:DFN1006-2L
    - 包装数量:10000 PCS
    - 超低电容:0.6 pF
    - 低钳位电压
    - 外形尺寸:0.039英寸×0.024英寸(1.00毫米×0.60毫米)
    - 体高:0.020英寸(0.5毫米)
    - 额定耐压:5V
    - 峰值脉冲功率(tp=8/20μs):45 W
    - 最大焊接引线温度(10秒):260°C
    - 存储温度范围:-55°C至+150°C
    - 工作温度范围:-40°C至+125°C
    - 最大结温:150°C
    - 响应时间:通常小于1.0 ns
    - IEC61000-4-2标准:接触放电±10kV,空气放电±15kV

    产品特点和优势


    HESDUC5VB1AF-B具备以下特点和优势:
    - 卓越的钳位能力:能够在瞬态电压下提供出色的钳位效果,保护敏感半导体器件免受损害。
    - 低电容:仅0.6 pF的电容使其特别适合高频信号线路的应用,减少了对信号的影响。
    - 快速响应:响应时间小于1.0 ns,能够迅速应对瞬态电压变化,提高保护效率。
    - 灵活性:单向保护设计使得工程师可以灵活地在双向线路上实施保护措施。
    - 可靠性:通过严格的测试和验证,确保在极端环境下的稳定性和可靠性。

    应用案例和使用建议


    HESDUC5VB1AF-B广泛应用于各种需要ESD防护的场合,如计算机接口、移动通信设备、汽车电子等。为了确保最佳性能,建议在设计时注意以下几点:
    - 布线布局:确保PCB上的布线布局合理,减少信号走线长度以降低噪声干扰。
    - 接地处理:良好的接地设计是确保ESD保护效果的关键因素之一,需确保地线的阻抗足够低。
    - 多层板设计:建议使用多层板设计,特别是在高速信号传输场合,以减少信号回流路径并减小噪声干扰。

    兼容性和支持


    HESDUC5VB1AF-B与市面上主流的电子元件和设备高度兼容,适用于多种应用场景。厂家提供详尽的技术文档和支持服务,包括详细的电气特性图表、技术参数手册和故障排除指南等。

    常见问题与解决方案


    在使用过程中,用户可能会遇到以下问题及对应的解决办法:
    - 问题:ESD防护效果不佳
    - 解决办法:检查布线布局是否合理,确保地线设计良好且连接可靠。
    - 问题:响应时间过长
    - 解决办法:确认安装的组件符合规范,尤其是电容和电阻的选择应适当,以保证系统响应速度。
    - 问题:温度过高导致失效
    - 解决办法:选择合适的散热设计,避免长期高温运行。

    总结和推荐


    综上所述,HESDUC5VB1AF-B是一款高性能的ESD保护二极管,具有出色的钳位能力和快速响应时间。它的超低电容特性使其在高频信号线路中表现优异,适用于多种应用场景。对于需要高效ESD防护的设计师和制造商来说,这款产品无疑是一个可靠的选择。强烈推荐使用HESDUC5VB1AF-B以提升产品性能和稳定性。

HESDUC5VB1AF-B参数

参数
击穿电压 9V
峰值脉冲电流 3A
峰值脉冲功率 -
极性 双向
工作电压 -
箝位电压 -
通用封装 DFN-1006-2L

HESDUC5VB1AF-B厂商介绍

HXY MOSFET公司是一家专业从事MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)研发、生产和销售的企业。公司主营产品包括N沟道和P沟道MOSFET,这些产品广泛应用于以下领域:

1. 电源管理:用于电源转换、电压调节和电源保护。
2. 消费电子:在智能手机、平板电脑等设备中用于功率放大和信号处理。
3. 工业控制:在自动化设备和电机驱动中实现精确控制。
4. 汽车电子:在电动汽车和混合动力汽车中用于电池管理、电机控制等。

HXY MOSFET的优势在于:

- 高性能:提供高效率、低功耗的解决方案。
- 可靠性:严格的质量控制确保产品的长期稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化的MOSFET解决方案。
- 技术支持:提供专业的技术支持和应用指导,帮助客户优化设计。

HXY MOSFET公司致力于为客户提供高质量的产品和服务,以满足不断变化的市场需求。

HESDUC5VB1AF-B数据手册

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HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 TVS二极管/ESD抑制器 HXY MOSFET/深圳华轩阳电子 HESDUC5VB1AF-B HESDUC5VB1AF-B数据手册

HESDUC5VB1AF-B封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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30000+ ¥ 0.0421
50000+ ¥ 0.0411
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