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JSM10N65F

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: TO-220F N-MOS 10A 650V
供应商型号: JSM10N65F TO-220F
供应商: 云汉优选
标准整包数: 50
JSMICRO/深圳杰盛微 三极管(BJT) JSM10N65F

JSM10N65F概述


    产品简介


    JSM10N65F是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为高频开关电源和主动功率因数校正(APFC)设计。该产品以其卓越的性能、低功耗和高可靠性著称,广泛应用于电信设备、计算机电源、工业控制等领域。

    技术参数


    - 额定电压(VDSS):650V
    - 连续漏极电流(ID):10.0A(Tc=25°C),6.0A(Tc=100°C)
    - 脉冲漏极电流(IDM):40A
    - 关断漏源击穿电压(BVDSS):650V
    - 阈值电压(VGS(th)):2.0V至4.0V
    - 导通电阻(RDS(on)):典型值0.80Ω(VGS=10V,ID=5.0A)
    - 输入电容(Ciss):最大值1132pF
    - 输出电容(Coss):最大值135pF
    - 反向转移电容(Crss):最大值20pF
    - 最大结温(Tj):150°C
    - 存储温度范围(Tstg):-55°C至+150°C

    产品特点和优势


    JSM10N65F的主要特点是其低栅极电荷和快速开关性能,这使得它非常适合高频应用。此外,100%的雪崩测试保证了产品的可靠性,而改进的dv/dt能力进一步提升了其在高压环境下的稳定性。相比同类产品,JSM10N65F在导通电阻和开关速度上表现更为优异,使其在市场上具有很强的竞争优势。

    应用案例和使用建议


    该产品常用于高频率开关模式电源(SMPS)和主动功率因数校正电路中。例如,在计算机服务器电源中,JSM10N65F可以显著提高电源效率并减少热量产生。使用时建议配合适当的驱动电路以确保最佳性能,同时注意散热设计以避免过热。

    兼容性和支持


    JSM10N65F与大多数主流的控制器和驱动器兼容,且厂商提供了详尽的技术支持文档和技术服务团队,帮助客户解决使用过程中遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关损耗过高 | 检查是否选择了合适的栅极电阻和驱动电压 |
    | 过热保护触发 | 确保良好的散热措施,如增加散热片或风扇 |
    | 导通电阻增大 | 检查是否超过了最大额定条件 |

    总结和推荐


    综上所述,JSM10N65F凭借其优异的技术参数、强大的应用适应性和可靠的支持服务,在高频开关电源及功率因数校正领域表现出色。我们强烈推荐此产品给需要高性能、高可靠性的客户。

JSM10N65F参数

参数
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
集电极截止电流 -
集电极电流 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
配置 -
晶体管类型 -
最大集电极发射极饱和电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 -
通用封装 TO-220F

JSM10N65F厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

JSM10N65F数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 三极管(BJT) JSMICRO/深圳杰盛微 JSM10N65F JSM10N65F数据手册

JSM10N65F封装设计

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