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FQB3N60CTM

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: TO-263 5A600V N-MOS 2.4R
供应商型号: FQB3N60CTM TO-263(D2PAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 100
JSMICRO/深圳杰盛微 三极管(BJT) FQB3N60CTM

FQB3N60CTM概述

    # 技术手册:FQB3N60C N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    产品简介


    FQB3N60C是一款由Fairchild公司生产的N-Channel增强型功率场效应晶体管(Power MOSFET),广泛应用于高效率开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子镇流器。这款器件采用Fairchild特有的平面条纹DMOS技术,旨在降低导通电阻,提升开关性能,同时承受高能量脉冲。

    技术参数


    主要参数
    - 电压: VDSS = 600V
    - 电流:
    - 连续电流 (TC = 25°C): ID = 3A
    - 连续电流 (TC = 100°C): ID = 1.8A
    - 脉冲电流: IDM = 12A
    - 导通电阻: RDS(on) = 3.4Ω (VGS = 10V, ID = 1.5A)
    - 栅极-源极电压: VGSS = ±30V
    - 热阻: RθJC = 1.67°C/W, RθJA = 62.5°C/W
    - 温度范围: TJ, TSTG = -55至+150°C
    动态特性
    - 输入电容: Ciss = 435-565 pF (VDS = 25V, VGS = 0V, f = 1.0MHz)
    - 输出电容: Coss = 45-60 pF
    - 反向转移电容: Crss = 5-8 pF
    - 总栅极电荷: Qg = 10.5-14 nC
    开关特性
    - 开通过程时间: td(on) = 12-34 ns
    - 开通过程上升时间: tr = 30-70 ns
    - 关断延迟时间: td(off) = 35-80 ns
    - 关断过程下降时间: tf = 35-80 ns
    其他特性
    - 100%雪崩测试
    - 快速开关
    - 低栅极电荷
    - 低Crss
    - 改善的dv/dt能力

    产品特点和优势


    FQB3N60C在多种关键参数上表现出色,例如低栅极电荷、低Crss以及快速开关能力,使其特别适合高效率电源转换器。此外,该器件经过100%雪崩测试,保证了其在恶劣条件下的可靠性。它的设计进一步提升了dv/dt能力,确保在高频应用中的稳定性。

    应用案例和使用建议


    FQB3N60C常用于高效率开关电源、有源功率因数校正以及电子镇流器等应用。以下是几个典型应用场景:
    1. 高效率开关电源: 由于其低导通电阻和快速开关特性,它非常适合于需要高效率转换的应用。
    2. 有源功率因数校正: 在这类应用中,FQB3N60C可以提供出色的转换性能和稳定的开关表现。
    3. 电子镇流器: 基于半桥拓扑的镇流器中,FQB3N60C可以提供可靠的开关控制。
    使用建议:
    - 确保散热良好,以避免过热导致的损坏。
    - 注意栅极驱动的设计,以减少不必要的开关损耗。

    兼容性和支持


    FQB3N60C采用D2-PAK封装,适用于标准的焊接工艺。Fairchild公司提供了详细的技术支持文档,包括详细的电路设计指南和常见问题解答。对于任何使用中的疑问,均可联系Fairchild的客户服务团队获取帮助。

    常见问题与解决方案


    问题1:FQB3N60C的最大工作温度是多少?
    解决方案: FQB3N60C的最大工作温度为150°C。确保在应用中保持适当的散热措施,以防止过热。
    问题2:如何优化栅极驱动以减少开关损耗?
    解决方案: 使用合适的栅极电阻和优化的驱动电路可以有效减少开关损耗。确保栅极电荷(Qg)被控制在最低限度。
    问题3:FQB3N60C在雪崩模式下是否稳定?
    解决方案: FQB3N60C经过100%雪崩测试,因此在雪崩模式下具有很高的稳定性。但仍需注意其额定雪崩能量(EAS)和重复雪崩能量(EAR),避免超过这些值。

    总结和推荐


    综上所述,FQB3N60C凭借其优异的导通电阻、快速开关能力和高可靠性,在高效率电源转换应用中表现出色。它不仅适用于常见的开关电源和功率因数校正应用,还可以在电子镇流器中发挥重要作用。对于需要高性能功率转换的场合,强烈推荐使用FQB3N60C。

FQB3N60CTM参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
集电极截止电流 -
晶体管类型 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
配置 -
集电极电流 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
最大功率耗散 -
最大集电极发射极饱和电压 -
通用封装 D2PAK,TO-263

FQB3N60CTM厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

FQB3N60CTM数据手册

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FQB3N60CTM封装设计

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