处理中...

首页  >  产品百科  >  FQB20N06L

FQB20N06L

产品分类: 三极管(BJT)
产品描述: N沟道,60V,35A,25mΩ@10V
供应商型号: FQB20N06L TO-263(D2PAK)
供应商: 云汉优选
标准整包数: 100
JSMICRO/深圳杰盛微 三极管(BJT) FQB20N06L

FQB20N06L概述

    N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETs 技术手册

    1. 产品简介


    这些N沟道增强型功率场效应晶体管(MOSFET)由Fairchild公司采用专有的平面条纹DMOS技术制造。它们特别设计用于减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并能承受高能量脉冲在雪崩和换向模式下的工作条件。这些器件非常适合于低电压应用,例如汽车、DC/DC转换器以及便携式和电池供电产品的高效电源管理。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VDSS): 60V
    - 连续漏极电流 (ID): 20A (TC = 25°C), 14.1A (TC = 100°C)
    - 脉冲漏极电流 (IDM): 80A
    - 栅源电压 (VGSS): ±25V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 155mJ
    - 最大结温 (TJ, TSTG): -55°C 至 +175°C
    - 功率耗散 (PD): TA = 25°C时为3.75W,TC = 25°C时为53W
    - 热阻 (RθJC): 2.85°C/W
    - 静态导通电阻 (RDS(on)): 0.06Ω (VGS = 10V)
    - 输入电容 (Ciss): 450pF (典型值)
    - 输出电容 (Coss): 170pF (典型值)
    - 反向传输电容 (Crss): 25pF (典型值)
    - 总栅极电荷 (Qg): 11.5nC (典型值)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻: RDS(on) = 0.06Ω @ VGS = 10V
    - 低栅极电荷: 典型值为11.5nC,有助于降低功耗
    - 低反向传输电容: Crss = 25pF,有利于提高开关速度
    - 高可靠性: 100% 雪崩测试通过
    - 增强的dv/dt能力: 可耐受高电压变化率
    - 宽工作温度范围: 最高可达175°C

    4. 应用案例和使用建议


    这些MOSFET适用于多种应用场景,如汽车电子、DC/DC转换器和便携式电池供电设备。建议在选择驱动电路时考虑其高dv/dt能力和快速开关特性。在使用时应注意散热,特别是在高温环境下使用时要确保良好的热管理。

    5. 兼容性和支持


    这些器件具有广泛的适用性,可以与其他常见的电子元器件和设备兼容。制造商提供了详尽的技术文档和支持,以帮助用户更好地理解和使用这些产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 如何正确安装这些器件?
    - 解决方案: 按照制造商提供的安装指南进行操作,确保引脚正确连接且焊接牢固。

    - 问题: 如何优化散热?
    - 解决方案: 使用散热器或风扇,并确保良好的空气流通,特别是在高负载条件下。

    - 问题: 如何避免雪崩击穿?
    - 解决方案: 设计电路时应考虑适当的保护措施,如箝位二极管或其他过压保护元件。

    7. 总结和推荐


    这些N-Channel MOSFET以其出色的导通电阻、快速开关特性和宽泛的工作温度范围而著称。对于需要高性能和可靠性的低电压应用而言,这些器件是一个非常值得推荐的选择。它们在汽车电子、便携式设备和电源管理领域有着广泛的应用前景。

FQB20N06L参数

参数
晶体管类型 -
集电极电流 -
VEBO-最大发射极基极电压 -
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCBO-最大集电极基极电压 -
集电极截止电流 -
配置 -
最大功率耗散 -
最大集电极发射极饱和电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 -
通用封装 D2PAK,TO-263

FQB20N06L厂商介绍

JSMICRO公司是一家专注于微电子领域的高科技企业,致力于研发和生产各类高性能的微电子组件和系统。公司主营产品包括但不限于:

1. 集成电路(IC):涵盖模拟、数字和混合信号集成电路,广泛应用于通信、计算机、消费电子等领域。
2. 传感器:包括温度、湿度、压力、光敏等各类传感器,服务于工业自动化、环境监测、医疗设备等行业。
3. 微控制器(MCU):提供多种高性能微控制器,适用于智能家居、物联网设备、汽车电子等市场。
4. 存储器:包括闪存(Flash)、随机存取存储器(RAM)等,满足不同数据存储需求。

JSMICRO的优势在于:

- 技术创新:持续投入研发,拥有多项专利技术,保持技术领先。
- 品质保证:严格的质量控制体系,确保产品的可靠性和稳定性。
- 定制服务:根据客户需求提供定制化解决方案,满足特定应用需求。
- 快速响应:灵活的供应链管理,快速响应市场变化和客户需求。

JSMICRO以其卓越的产品和服务,赢得了全球客户的信赖和支持。

FQB20N06L数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
JSMICRO/深圳杰盛微 三极管(BJT) JSMICRO/深圳杰盛微 FQB20N06L FQB20N06L数据手册

FQB20N06L封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ ¥ 1.14
200+ ¥ 1.121
300+ ¥ 1.0925
库存: 300000
起订量: 100 增量: 800
交货地:
最小起订量为:100
合计: ¥ 114
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886