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UT3N06G SOT-23T/R

产品分类: TVS二极管/ESD抑制器
厂牌: UTC/台湾友顺科技
产品描述:
供应商型号: UT3N06G SOT-23T/R
供应商: 国内现货
标准整包数: 3000
UTC/台湾友顺科技 TVS二极管/ESD抑制器 UT3N06G  SOT-23T/R

UT3N06G SOT-23T/R概述

    UTC UT3N06 N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

    1. 产品简介


    UTC UT3N06 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET,它提供极低的导通电阻(RDS(ON)),具有高效率和出色的性价比。这种器件广泛应用于商业和工业领域,如开关电源、电机驱动器和照明系统等。

    2. 技术参数


    - 基本参数
    - 漏源电压 (VDSS):60 V
    - 栅源电压 (VGSS):±20 V
    - 连续漏极电流 (ID):3 A(在 VGS=4.5 V, TA=25°C 条件下)
    - 脉冲漏极电流 (IDM):12 A
    - 最大功耗 (PD)
    - SOT-223:2 W
    - SOT-89:1.4 W
    - SOT-23-3/SOT-23:1.25 W
    - SOT-26:1.2 W
    - SOP-8:1.5 W
    - TO-92:1.3 W
    - TO-220:2 W
    - TO-220F:2.5 W
    - TO-251/TO-252:3.13 W
    - 结温 (TJ):+150°C
    - 存储温度 (TSTG):-55°C ~ +150°C
    - 热阻 (θJA)
    - SOT-223:62.5°C/W
    - SOT-89:89.3°C/W
    - SOT-23-3/SOT-23:100°C/W
    - SOT-26:104°C/W
    - SOP-8:83.3°C/W
    - TO-92:96°C/W
    - TO-220F:50°C/W
    - TO-220:62°C/W
    - TO-251/TO-252:40°C/W
    - 电气特性
    - 关态参数
    - 漏源击穿电压 (BVDSS):60 V
    - 漏源泄漏电流 (IDSS):1 µA
    - 栅源泄漏电流 (IGSS):±100 nA
    - 开态参数
    - 栅阈值电压 (VGS(TH)):1.0 ~ 3.0 V
    - 导通电阻 (RDS(ON))
    - VGS=10V, ID=3.0A:62 ~ 90 mΩ
    - VGS=4.5V, ID=2.0A:82 ~ 120 mΩ
    - 动态参数
    - 输入电容 (CISS):380 pF
    - 输出电容 (COSS):42 pF
    - 反向转移电容 (CRSS):30 pF
    - 开关参数
    - 总栅极电荷 (QG):17 nC
    - 栅源电荷 (QGS):2.8 nC
    - 栅漏电荷 (QGD):3 nC
    - 导通延迟时间 (tD(ON)):5 ns
    - 导通上升时间 (tR):16 ns
    - 关断延迟时间 (tD(OFF)):17 ns
    - 关断下降时间 (tF):18 ns
    - 源漏二极管参数
    - 最大连续漏源二极管正向电流 (IS):3 A
    - 最大脉冲漏源二极管正向电流 (ISM):12 A
    - 漏源二极管正向电压 (VSD):1.2 V
    - 反向恢复时间 (trr):60 ns
    - 反向恢复电荷 (Qrr):40 nC

    3. 产品特点和优势


    - 非常低的导通电阻 (RDS(ON)):在 VGS=10V 时 RDS(ON) ≤ 90 mΩ,在 VGS=4.5V 时 RDS(ON) ≤ 120 mΩ。
    - 简单的驱动要求:易于驱动,简化设计和制造过程。
    - 广泛应用领域:适用于商业和工业领域的各种应用场景,如开关电源、电机驱动器和照明系统等。
    - 高效率:适合需要高效率的场合,能够降低系统的能耗,提高整体能效。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源:利用 UT3N06 的低导通电阻和快速开关特性,可以实现高效的开关电源设计。
    - 电机驱动器:UT3N06 能够提供足够的电流,满足电机驱动器的需求,确保稳定运行。
    - LED 照明系统:UT3N06 可用于 LED 照明系统,提高系统的能效和可靠性。
    使用建议
    - 散热设计:考虑到其较高的功耗,建议在设计电路时加入良好的散热措施,如散热片或散热风扇。
    - 驱动电路设计:为简化驱动,可以使用专用的驱动芯片,以确保 MOSFET 在高频率下的可靠工作。
    - 电路布局:尽量缩短 MOSFET 与电源线之间的距离,减少寄生电感,提高电路的稳定性和可靠性。

    5. 兼容性和支持


    - 封装选项:UT3N06 提供多种封装形式,包括 SOT-223、SOT-89、SOT-23-3/SOT-23、SOT-26、SOP-8、TO-92、TO-220、TO-220F、TO-251 和 TO-252,方便用户根据具体需求选择合适的封装。
    - 技术支持:UTC 提供技术支持,包括产品资料、样品申请、设计指导和技术咨询等服务,确保用户能够顺利地集成和使用该器件。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:驱动电压不够,导致 MOSFET 无法正常工作
    - 解决方案:检查驱动电路,确保驱动电压达到 VGS 的最小阈值电压(例如 1.0 V 至 3.0 V)。
    - 问题:功耗过高,导致器件过热
    - 解决方案:增加散热措施,如散热片或散热风扇,确保工作温度在安全范围内。
    - 问题:开关速度不够快,影响电路性能
    - 解决方案:优化驱动电路,提高驱动信号的上升时间和下降时间,减少开关损耗。

    7. 总结和推荐


    UTC UT3N06 N 沟道增强型功率 MOSFET 在多个方面表现出色,其低导通电阻、简单驱动要求以及广泛的应用范围使其成为一款极具竞争力的产品。在设计和使用过程中,通过合理的设计和良好的散热措施,可以充分发挥其性能优势。因此,强烈推荐将 UT3N06 用于需要高效、可靠的功率转换和控制的应用场合。

UT3N06G SOT-23T/R参数

参数
峰值脉冲功率 -
极性 -
工作电压 -
箝位电压 -
击穿电压 -
峰值脉冲电流 -
通用封装 SOT-23

UT3N06G SOT-23T/R数据手册

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UTC/台湾友顺科技 TVS二极管/ESD抑制器 UTC/台湾友顺科技 UT3N06G SOT-23T/R UT3N06G SOT-23T/R数据手册

UT3N06G SOT-23T/R封装设计

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