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IXXN200N60B3H1

产品分类: IGBT模块
厂牌: IXYS
产品描述: 单一 600V 200A SOT-227B 底座安装,贴片安装
供应商型号: ZT-IXXN200N60B3H1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT模块 IXXN200N60B3H1

IXXN200N60B3H1概述

    XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/Diode 技术手册

    1. 产品简介


    XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/Diode 是一款高功率密度的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)产品,专为10至30kHz范围内的开关应用而设计。它具有低导通损耗和开关损耗,可广泛应用于电力转换、不间断电源(UPS)、电机驱动、开关电源(SMPS)、功率因数校正电路(PFC Circuits)、电池充电器、焊接设备和照明镇流器等领域。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 最大值 | 标准值 | 最小值 |
    ||
    | 最大重复集电极电压VCES | 600 V
    | 最大连续栅极电压VGES | ±20 V
    | 最大瞬态栅极电压VGEM | ±30 V
    | 最大集电极电流IC(25°C) | 200 A
    | 最大集电极电流IC(110°C) | 98 A
    | 最大瞬态集电极电流IF | 30 A
    | 最大短时脉冲电流ICM | 1000 A
    | 最大漏电流ICES | 50 μA (max) | 3 mA (max)
    | 最大门驱动电荷Qg | 315 nC | 98 nC | 130 nC |
    | 最小栅极发射极电压VGE(th) | 3.5 V | 6.0 V
    | 最大饱和电压VCE(sat) | 1.70 V | 1.40 V
    | 最大功率耗散PC | 780 W

    3. 产品特点和优势


    - 硅芯片直接铜键合(DCB)基板:提供高效散热路径,延长使用寿命。
    - miniBLOC结构:带有氮化铝隔离层,提高可靠性。
    - 反并联超快二极管:减少反向恢复时间,提高系统效率。
    - 2500V电气隔离:增强系统的安全性。
    - 雪崩耐受能力:在极端情况下仍能保持可靠运行。
    - 非常高的电流承载能力:满足大功率需求。
    - 方形RBSOA:在高温条件下具有稳定的输出特性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:在电力转换器、电机驱动、电池充电器等应用中表现出色。例如,在电机驱动中,该IGBT能够在高温环境下稳定工作,确保系统长期可靠运行。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需考虑IGBT的工作温度范围,避免超出最大额定值。
    - 使用适当的散热措施以保证IGBT的热稳定性。
    - 在测试和验证过程中,注意控制栅极驱动电压,避免过高导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    该产品与其他常见的电子元器件如微控制器、传感器等具备良好的兼容性。IXYS公司提供了详尽的技术支持和维护服务,包括产品咨询、应用指导和技术文档下载。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 饱和电压VCE(sat)过高 | 检查栅极驱动电压是否合适,调整栅极电阻 |
    | 短路保护失效 | 确认外部保护电路是否正常工作 |
    | 温度过高 | 改善散热设计,增加散热片 |

    7. 总结和推荐


    总结:XPTTM 600V IGBT GenX3TM w/Diode是一款高性能的IGBT产品,具备出色的导通损耗和开关损耗特性,适合多种高压高功率应用。它的特点在于高功率密度、低门驱动要求和优秀的可靠性。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛应用前景,强烈推荐此产品用于需要高效能和高可靠性的高压高功率应用场合。在使用过程中,建议严格遵循技术手册中的操作指南,以确保最佳的系统性能和可靠性。

IXXN200N60B3H1参数

参数
集电极电流 200A
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 600V
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 单一
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
零件状态 在售
包装方式 管装

IXXN200N60B3H1厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXXN200N60B3H1数据手册

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IXYS IGBT模块 IXYS IXXN200N60B3H1 IXXN200N60B3H1数据手册

IXXN200N60B3H1封装设计

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