处理中...

首页  >  产品百科  >  IXSN55N120A

IXSN55N120A

产品分类: IGBT模块
厂牌: IXYS
产品描述: 500W 独立式双发射极 4V@ 15V,55A 110A SOT-227B 底座安装,贴片安装 38.2mm*25.07mm*9.6mm
供应商型号: ZT-IXSN55N120A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
IXYS IGBT模块 IXSN55N120A

IXSN55N120A概述

    高压IGBT产品技术手册

    产品简介


    本技术手册介绍了IXYS公司生产的IXSN 55N120A高压绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该IGBT专为高压和高功率应用设计,广泛应用于交流电机速度控制、直流伺服和机器人驱动、直流斩波器、不间断电源(UPS)以及开关模式和共振模式电源供应系统。其独特的设计和先进的特性使其成为高可靠性应用的理想选择。

    技术参数


    | 参数 | 基准条件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |

    | VCES | TJ = 25!C至150!C | 1200 V | 1200 V | 1200 V |
    | VCGR | TJ = 25!C至150!C, RGE = 1 M" | 1200 A | 1200 A | 1200 A |
    | VGES | 持续 | -20 V | -20 V | -20 V |
    | VGEM | 瞬态 | -30 V | -30 V | -30 V |
    | IC25 | TC = 25!C | 110 A | 110 A | 110 A |
    | IC90 | TC = 90!C | 55 A | 55 A | 55 A |
    | ICM | TC = 25!C, 1 ms | 160 A | 160 A | 160 A |
    | SSOA | VGE= 15 V, TJ = 125!C | 110 A | 110 A | 110 A |
    | RBSOA | 钳位感应负载, L = 30 $H @ 0.8 VCES | 10 $s | 10 $s | 10 $s |
    | PC | TC = 25!C | 500 W | 500 W | 500 W |
    | VISOL | 50/60 Hz, t = 1 min | 2500 V | 2500 V | 2500 V |
    | ISOL | 1 mA, t = 1 s | 3000 V | 3000 V | 3000 V |
    | TJ -55!C | +150!C | +150!C |
    | TJM +150!C | +150!C | +150!C |
    | Tstg -55!C | +150!C | +150!C |
    | Md | 安装扭矩 | 1.5/13 Nm/lb.in. | 1.5/13 Nm/lb.in. | 1.5/13 Nm/lb.in. |
    | Terminal connection torque (M4) 1.5/13 Nm/lb.in. | 1.5/13 Nm/lb.in. | 1.5/13 Nm/lb.in. |
    | Weight 30 g | 30 g | 30 g |

    产品特点和优势


    IXSN 55N120A IGBT具备多种独特功能和优势:
    - 国际标准封装:采用miniBLOC和SOT-227B封装,便于安装和布线。
    - 氮化铝隔离:具有高效散热和高功率耗散能力。
    - 隔离电压高达3000 V~:确保安全运行。
    - UL认证:提升产品的市场竞争力。
    - 低导通饱和电压:减少导通时的功率损耗。
    - 低门极到发射极电容:降低射频干扰。
    - 低寄生电感:易于驱动和保护。

    应用案例和使用建议


    - 交流电机速度控制:适用于工业自动化控制系统中,能够精确调节电机转速。
    - 直流伺服和机器人驱动:为高精度定位和高速响应提供可靠保障。
    - 不间断电源(UPS):确保关键系统的稳定供电。
    - 开关模式和共振模式电源供应:提升能效并减少热量产生。
    使用建议:
    1. 在使用过程中,确保IGBT的工作温度不超过额定值。
    2. 严格按照规定的电压范围操作,避免过压损坏。
    3. 注意散热设计,特别是在高功率运行时,以防止热失控。

    兼容性和支持


    - 与多数标准驱动电路和控制模块兼容。
    - 厂商提供详细的安装指南和技术支持,包括故障排除和维护服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过温保护触发 | 检查散热片安装情况及工作温度。 |
    | 驱动电路不稳定 | 重新检查连接和驱动电路配置。 |
    | 寿命较短 | 调整工作条件,遵循最佳操作规范。|

    总结和推荐


    IXSN 55N120A是一款高性能、高可靠性的高压IGBT,特别适合于高功率应用场合。其紧凑的设计、优良的电气特性和广泛的适用范围使其在市场上具有显著的竞争优势。对于需要高可靠性和高效率的应用,我们强烈推荐使用这款产品。同时,厂商提供的技术支持和服务也保证了用户的使用体验。

IXSN55N120A参数

参数
配置 独立式双发射极
集电极电流 110A
最大功率耗散 500W
VCEO-集电极-发射极最大电压 4V@ 15V,55A
最大集电极发射极饱和电压 -
长*宽*高 38.2mm*25.07mm*9.6mm
通用封装 SOT-227B
安装方式 底座安装,贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 管装

IXSN55N120A厂商介绍

IXYS公司是一家全球领先的功率半导体公司,专注于设计、制造和销售高性能的功率半导体产品。其产品广泛应用于工业、医疗、电信、计算机、消费电子、太阳能和汽车等领域。

IXYS的产品主要分为以下几类:
1. 功率MOSFET:用于电源管理、电机控制等应用。
2. IGBT:用于高压、大电流的电力电子应用。
3. 整流器:用于电源、电机驱动等应用。
4. 晶体管:用于信号放大、开关控制等应用。
5. 功率模块:集成了多个功率器件,用于简化设计和提高可靠性。

IXYS的优势在于:
1. 技术领先:IXYS拥有多项专利技术,产品性能优越。
2. 产品齐全:提供广泛的功率半导体产品,满足不同应用需求。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化产品和解决方案。
4. 质量可靠:严格的质量控制和测试流程,确保产品的可靠性和稳定性。
5. 客户支持:提供专业的技术支持和售后服务,帮助客户解决技术难题。

IXSN55N120A数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
IXYS IGBT模块 IXYS IXSN55N120A IXSN55N120A数据手册

IXSN55N120A封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 19.2259 ¥ 161.1131
库存: 0
起订量: 4 增量: 10
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
2MBI100VA-060-50 ¥ 198
2MBI200XBE120-50 ¥ 0
2MBI450VH-120-50 ¥ 480.3352
2MBI75VA-120-50 ¥ 168
6MBI150VB-120-50 ¥ 564
6MBP15VSH060-50 ¥ 0
6MBP20XSF060-50 ¥ 44.4
6MBP25VAA120-50 ¥ 0
7MBR75VN120-50 ¥ 420
A0-VS122PA600M7-L759F70 ¥ 0