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IGT60R190D1SATMA1

产品分类: 氮化镓场效应管
产品描述: Infineon N沟道增强型MOS管 CoolGaN系列, Vds=600 V, 12.5 A, HSOF-8封装, 表面贴装, 8引脚
供应商型号: IGT60R190D1SATMA1
供应商: TME
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES 氮化镓场效应管 IGT60R190D1SATMA1

IGT60R190D1SATMA1概述

    # 产品技术手册:IGT60R190D1S 600V CoolGaN™增强模式功率晶体管

    1. 产品简介


    IGT60R190D1S是一款由Infineon Technologies生产的600V增强模式氮化镓(CoolGaN™)功率晶体管。它采用增强模式设计,属于常闭型开关器件,具有高可靠性、卓越的开关性能和优异的抗冲击能力。这款器件适用于消费类开关电源(SMPS)、高密度充电器以及其他需要高性能的电力电子系统中。
    主要特点
    - 增强模式晶体管,适合常闭应用。
    - 超快开关速度,无反向恢复电荷。
    - 支持反向导通功能。
    - 低门极电荷和输出电荷。
    - 适用于标准级应用,符合JEDEC标准。
    应用领域
    - 消费类开关电源及高密度充电器。
    - 半桥拓扑结构,例如硬开关和软开关应用(如图腾柱PFC、高频LLC、反激电路)。

    2. 技术参数


    以下是IGT60R190D1S的主要技术规格和性能参数:
    | 参数 | 值 | 单位 | 备注 |
    ||
    | 最大漏源电压 | 600 | V | VGS = 0 V |
    | 最大漏源电流(连续) | 12.5 | A | TC = 25°C;Tj = Tj,max |
    | 最大脉冲漏源电流 | 23 | A | TC = 25°C;IG = 9.6 mA |
    | 最大门极平均电流 | 7.7 | mA | Tj = -55°C 至 150°C |
    | 门极击穿电压(连续) | ±10 | V | Tj = -55°C 至 150°C |
    | 输出电容 | 28 | pF | VGS = 0 V;VDS = 400 V |
    | 反向传输电容 | 0.15 | pF | VGS = 0 V;VDS = 400 V |
    | 输出电荷 | 16 | nC | VDS = 0 至 400 V |
    此外,该器件的热阻如下:
    - 结-壳热阻(RthJC):2.25°C/W
    - 结-环境热阻(RthJA):35至45°C/W(具体取决于PCB设计)

    3. 产品特点和优势


    IGT60R190D1S的创新设计使其成为现代电力电子应用的理想选择。以下是其主要特点和优势:
    - 提高系统效率:快速开关和低导通电阻显著降低能耗。
    - 提升功率密度:体积小且高效,适合紧凑型设计。
    - 更高的工作频率:减少磁性元件的尺寸需求。
    - EMI降低:通过无反向恢复特性实现更好的电磁干扰控制。
    - 成本效益:在高频率和高效率下运行可降低整体系统成本。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    IGT60R190D1S广泛应用于消费类SMPS和高密度充电器,特别是在基于半桥拓扑的拓扑结构中,如图腾柱PFC和LLC谐振变换器。
    使用建议
    - 优化驱动电路:确保门极驱动电路设计符合规范,推荐使用Infineon提供的门极驱动应用笔记。
    - 散热管理:在高温环境下工作时,需增加散热片以保持稳定的结温。
    - 负载匹配:根据具体应用场景选择合适的外部电阻值以优化开关特性。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:IGT60R190D1S采用PG-HSOF-8-3封装,易于集成到现有系统中。
    - 技术支持:Infineon提供全面的技术支持,包括可靠性白皮书、应用指南和区域销售支持。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 确保门极驱动电流符合要求 |
    | 导通电阻偏高 | 检查工作温度是否超出推荐范围 |
    | 温度过高 | 改善PCB散热设计或添加散热器 |

    7. 总结和推荐


    IGT60R190D1S凭借其超快的开关速度、低导通电阻和出色的抗扰能力,已成为高效率电力转换应用的优选方案。其紧凑的设计和强大的性能使其在市场上具有很高的竞争力。对于需要高效率、高功率密度的系统,强烈推荐使用此器件。如果您对特定应用场景有疑问,请联系Infineon当地销售代表获取进一步指导和支持。
    推荐指数:★★★★★

IGT60R190D1SATMA1参数

参数
配置 独立式
Idss-饱和漏极电流 -
最大功率耗散 55.5W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 190mΩ
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 600V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 157pF@400V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1.6V@ 960µA
栅极电荷 3.2nC
击穿电压 -
Id-连续漏极电流 12.5A
最大功率 -
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 10V
通用封装 HSOF-8
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

IGT60R190D1SATMA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

IGT60R190D1SATMA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES 氮化镓场效应管 INFINEON TECHNOLOGIES IGT60R190D1SATMA1 IGT60R190D1SATMA1数据手册

IGT60R190D1SATMA1封装设计

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