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FP100R07N3E4BOSA1

产品分类: IGBT模块
产品描述: 三相反相器 650V 100A 底座安装
供应商型号: CY-FP100R07N3E4BOSA1
供应商: Avnet
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 FP100R07N3E4BOSA1

FP100R07N3E4BOSA1概述

    FP100R07N3E4 IGBT Module 技术手册

    产品简介


    FP100R07N3E4 是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)模块,结合了先进的沟槽技术(Trench)、场截止技术(Fieldstop)及发射极控制二极管(Emitter-Controlled Diode)。该模块适用于电机驱动、逆变器及制动斩波器等多种应用场合,特别适合于高功率转换和高效能电力电子系统的设计。

    技术参数


    - 最高额定值
    - 集电极-发射极断态电压 (VCES): 650 V
    - 集电极连续直流电流 (IC nom): 100 A
    - 最大重复峰值集电极电流 (ICRM): 200 A
    - 总损耗 (Ptot): 335 W
    - 门极-发射极峰值电压 (VGES): ±20 V
    - 特性值
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCEsat): 1.55 V 至 1.95 V (不同温度)
    - 门极阈值电压 (VGEth): 5.0 V 至 6.5 V
    - 门极电荷 (QG): 1.00 μC
    - 输入电容 (Cies): 6.20 nF
    - 回馈电容 (Cres): 0.19 nF
    - 门极漏电流 (IGES): 400 nA
    - 热阻抗
    - 结至外壳热阻 (RthJC): 0.45 K/W (IGBT), 0.80 K/W (二极管)
    - 外壳至散热器热阻 (RthCH): 0.14 K/W (IGBT), 0.25 K/W (二极管)

    产品特点和优势


    - 高度可靠性:FP100R07N3E4 在高达 650 V 的电压下具有出色的断态电压能力,并且具备较高的短路耐受力。
    - 自限流短路电流:独特的设计确保即使在短路条件下,也能保持安全的工作状态。
    - 集成式 NTC 温度传感器:提供了精确的温度监控,有利于系统的过温保护和性能优化。
    - 增强的散热性能:通过铜底板和高导热率的材料实现高效的散热,提高了模块的工作寿命和可靠性。

    应用案例和使用建议


    FP100R07N3E4 在电机驱动系统中表现出色,能够有效降低能耗和提高系统效率。在逆变器应用中,它还能够提供稳定的电流输出和优良的温度管理。为了优化其性能,在实际使用中建议选择适当的门极电阻值,例如门极开启电阻 (Rgon) 和门极关闭电阻 (Rgoff) 均不应低于 24 欧姆,具体建议可参考手册中的详细说明。

    兼容性和支持


    FP100R07N3E4 模块与标准散热器兼容,并且具有较高的机械强度。制造商提供了详尽的应用指南和技术支持,以帮助客户更好地理解和利用该模块的功能。同时,详细的安装和维护手册也为使用者提供了必要的指导。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确设置门极电阻以避免过高的损耗?
    答:根据手册中的建议,建议使用门极开启电阻 (Rgon) 和门极关闭电阻 (Rgoff) 均不低于 24 欧姆。这有助于减少开关损耗并提高模块的效率。

    2. 问:模块过热怎么办?
    答:检查散热器是否正确安装并适当涂抹导热膏。如果温度仍然过高,可能需要增加散热面积或改善空气流通。

    总结和推荐


    综上所述,FP100R07N3E4 模块以其出色的电气特性和可靠的安全性能,在电机驱动和逆变器应用中具有广泛的优势。对于需要高功率和高效率的应用场景,强烈推荐使用该模块。其优越的性能和坚固耐用的设计使其成为同类产品中的佼佼者。

FP100R07N3E4BOSA1参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 650V
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 三相反相器
集电极电流 100A
最大功率耗散 -
安装方式 底座安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 散装,托盘

FP100R07N3E4BOSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

FP100R07N3E4BOSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 INFINEON TECHNOLOGIES FP100R07N3E4BOSA1 FP100R07N3E4BOSA1数据手册

FP100R07N3E4BOSA1封装设计

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1+ $ 92.1788 ¥ 746.7241
25+ $ 88.3697 ¥ 733.8495
50+ $ 84.5607 ¥ 720.9749
100+ $ 83.0371 ¥ 714.5376
300+ $ 82.2752 ¥ 708.1004
500+ $ 81.5134 ¥ 701.6631
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