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FP35R12KT4B15BOSA1

产品分类: IGBT模块
产品描述: 三相反相器 2.15V@ 15V,35A 35A 底座安装
供应商型号: SEU-FP35R12KT4B15BOSA1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 FP35R12KT4B15BOSA1

FP35R12KT4B15BOSA1概述


    产品简介


    FP35R12KT4B15 IGBT-模块
    FP35R12KT4B15是一种经济型的IGBT模块,采用了Trench/Fieldstop IGBT4技术和Emitter Controlled 4二极管。它主要应用于辅助逆变器、医疗设备、电机驱动和伺服驱动等场景。这款模块具备低开关损耗、高功率循环能力以及良好的热稳定性。

    技术参数


    一般参数
    - 最大栅极发射极电压:±20V
    - 工作温度范围:-40°C 至 150°C
    - 存储温度范围:-40°C 至 125°C
    IGBT模块参数
    - 最高集电极-发射极耐压(VCES):1200V
    - 集电极持续电流(ICnom):35A
    - 周期性集电极峰值电流(ICRM):70A
    - 总损耗功率(Ptot):210W
    - 集电极-发射极饱和电压(VCEsat):
    - 25°C:1.85V
    - 125°C:2.15V
    - 150°C:2.25V
    - 栅极阈值电压(VGEth):5.2-6.4V
    - 栅极电荷(QG):0.27μC
    - 输入电容(Cies):2.00nF
    - 反向传输电容(Cres):0.07nF
    IGBT模块热参数
    - 结至外壳热阻(RthJC):0.72K/W
    - 外壳至散热片热阻(RthCH):0.325K/W
    二极管参数
    - 最高周期性反向电压(VRRM):1200V
    - 持续直流正向电流(IF):35A
    - 周期性峰值正向电流(IFRM):70A
    - 正向电压(VF):
    - 25°C:1.70V
    - 125°C:1.65V
    - 150°C:1.65V
    - 回收电荷(Qr):
    - 25°C:3.40μC
    - 125°C:6.30μC
    - 150°C:7.20μC
    - 反向恢复能量(Erec):
    - 25°C:1.15mJ
    - 125°C:2.25mJ
    - 150°C:2.55mJ
    - 结至外壳热阻(RthJC):1.00K/W
    - 外壳至散热片热阻(RthCH):0.455K/W

    产品特点和优势


    1. 低开关损耗:FP35R12KT4B15具有出色的低开关损耗特性,能够有效减少功率损失,提高能效。
    2. 高温操作能力:其最大工作温度可达150°C,适用于高温环境下的应用。
    3. 高可靠性:采用Trench/Fieldstop IGBT4技术和Emitter Controlled 4二极管,提高了系统的可靠性和耐用性。
    4. 良好的热稳定性:模块设计考虑到了良好的热管理,确保长期稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 医疗设备:在医疗成像设备和其他需要高精度控制的应用中,FP35R12KT4B15提供了可靠的功率控制和高效率。
    - 电机驱动:在工业自动化领域,这款模块可以高效驱动各种类型的电机,如伺服电机和步进电机。
    - 辅助逆变器:用于将直流电源转换为交流电源,为各种负载提供稳定的电力供应。
    使用建议
    - 在使用时,建议根据应用需求选择合适的栅极电阻(Rgon 和 Rgoff),通常推荐最小值为27Ω。
    - 确保散热系统良好,避免因过热导致的性能下降。
    - 为提高系统效率,可使用专用的驱动电路来优化栅极信号。

    兼容性和支持


    FP35R12KT4B15 模块与其他同类电子元件兼容,便于集成到现有系统中。制造商提供详细的技术文档和应用指南,以帮助用户正确安装和使用该模块。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何确定最佳的栅极电阻?
    - A:可以通过参考手册中的应用笔记,或者使用制造商提供的仿真工具进行优化。
    2. Q:模块出现过热现象怎么办?
    - A:检查散热系统是否工作正常,确保模块表面清洁,并且连接良好。必要时增加散热面积或改进散热方式。
    3. Q:如何测量模块的热性能?
    - A:可以使用热电偶或其他测温仪器测量模块的温度变化,并结合手册中的热参数进行计算。

    总结和推荐


    FP35R12KT4B15是一款高性能的IGBT模块,广泛适用于各类电力电子应用,特别是在要求高可靠性和低损耗的场合。其卓越的高温操作能力和良好的热稳定性使其成为许多工业应用的理想选择。建议用户在使用前详细阅读手册,并遵循推荐的操作规范,以获得最佳的使用效果。

FP35R12KT4B15BOSA1参数

参数
配置 三相反相器
集电极电流 35A
最大功率耗散 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.15V@ 15V,35A
最大集电极发射极饱和电压 -
安装方式 底座安装
零件状态 停产
包装方式 散装

FP35R12KT4B15BOSA1厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

FP35R12KT4B15BOSA1数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 INFINEON TECHNOLOGIES FP35R12KT4B15BOSA1 FP35R12KT4B15BOSA1数据手册

FP35R12KT4B15BOSA1封装设计

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