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FF200R12KE4

产品分类: IGBT模块
产品描述: 1.1KW 2.05V 双 1.2KV 240A 底座安装 106.4mm*61.4mm*30.5mm
供应商型号: 641-FF200R12KE4
供应商: Mouser
标准整包数: 1
INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 FF200R12KE4

FF200R12KE4概述


    产品简介


    FF200R12KE4 是一款基于IGBT4技术和发射极控制二极管(Emitter-Controlled Diode)设计的62毫米C系列模块。该模块适用于逆变器和转换器的应用,具备高可靠性和高性能特性。FF200R12KE4 模块在工业自动化、电动汽车、新能源等领域有广泛的应用前景。

    技术参数


    IGBT模块

    技术参数


    - 最高可承受电压 (Collector-Emitter Sperrspannung):1200V (Tvj = 25°C)
    - 连续直流集电极电流 (Collector Dauergleichstrom):200A (TC = 100°C),240A (TC = 25°C)
    - 峰值重复周期集电极电流 (Periodischer Kollektor-Spitzenstrom):400A (tP = 1ms)
    - 总功耗 (Gesamt-Verlustleistung):1100W (TC = 25°C)
    - 门极-发射极峰值电压 (Gate-Emitter-Spitzenspannung):±20V
    - 集电极-发射极饱和电压 (Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung):2.00V (IC = 200A, VGE = 15V, TVj = 125°C)
    - 门极阈值电压 (Gate-Schwellenspannung):5.8V (IC = 7.60mA, VCE = VGE, TVj = 25°C)
    - 门极电荷 (Gateladung):1.80μC
    - 内部门极电阻 (Interner Gatewiderstand):3.8Ω (TVj = 25°C)
    - 输入电容 (Eingangskapazität):14.0nF (f = 1MHz, TVj = 25°C)
    - 恢复电容 (Rückwirkungskapazität):0.50nF (f = 1MHz, TVj = 25°C)
    二极管

    技术参数


    - 峰值重复反向电压 (Periodische Spitzensperrspannung):1200V (Tvj = 25°C)
    - 连续直流正向电流 (Dauergleichstrom):200A
    - 峰值重复正向电流 (Periodischer Spitzenstrom):400A (tP = 1ms)
    - 正向电压 (Durchlassspannung):1.65V (IF = 200A, VGE = 0V, TVj = 25°C)
    - 恢复峰值电流 (Rückstromspitze):230A (IF = 200A, -diF/dt = 4000A/µs, TVj = 150°C)
    - 恢复电荷 (Sperrverzögerungsladung):20.0µC (IF = 200A, -diF/dt = 4000A/µs, TVj = 150°C)
    - 反向恢复能量 (Abschaltenergie pro Puls):9.00mJ (IF = 200A, -diF/dt = 4000A/µs, TVj = 25°C)

    产品特点和优势


    FF200R12KE4 模块具有以下显著特点和优势:
    - 高可靠性:采用IGBT4技术,提高了模块的可靠性和耐久性。
    - 高效率:先进的发射极控制二极管技术显著降低了开关损耗,提高了能效。
    - 低功耗:较低的饱和电压和高效的反向恢复过程,减少了功率损耗。
    - 宽工作温度范围:适用于从-40°C到150°C的环境温度,满足各种恶劣条件下的使用需求。

    应用案例和使用建议


    FF200R12KE4 模块可以应用于多种场合,如电动车辆的牵引逆变器、工业电源转换器以及新能源发电系统的电力转换器。建议用户在使用时根据具体应用场景选择合适的散热方案,确保模块在高负载下能够有效散热。此外,在大电流环境下,应特别注意电路板布局和接线方式以减少寄生电感的影响。

    兼容性和支持


    FF200R12KE4 模块与其他标准尺寸和接口的IGBT模块兼容,便于用户进行替换和升级。Infineon公司提供了详尽的技术文档和支持服务,用户可以通过官方技术支持渠道获得相关的安装和维护指导。

    常见问题与解决方案


    - 问:模块在高温条件下工作时,饱和电压是否会明显上升?
    - 答:是的,随着温度升高,饱和电压会逐渐上升。需要合理规划散热措施来避免这种情况的发生。

    - 问:模块在启动和关断过程中是否存在过冲现象?
    - 答:由于门极电荷的存在,模块在启动和关断时确实存在一定的过冲现象。可以通过优化门极驱动电阻(RG)的值来减小过冲效应。

    总结和推荐


    FF200R12KE4 是一款高度集成且高效的IGBT模块,适用于广泛的工业应用。其出色的热稳定性和高性能使其在各种恶劣环境中表现优异。因此,强烈推荐用于要求高性能和高可靠性的应用场合。

FF200R12KE4参数

参数
最大功率耗散 1.1KW
VCEO-集电极-发射极最大电压 1.2KV
最大集电极发射极饱和电压 2.05V
配置
集电极电流 240A
长*宽*高 106.4mm*61.4mm*30.5mm
安装方式 底座安装
包装方式 托盘

FF200R12KE4厂商介绍

Infineon Technologies AG(英飞凌科技)是一家全球领先的半导体公司,总部位于德国慕尼黑,成立于1999年。公司专注于开发、制造和销售各种半导体产品,包括微控制器、功率管理IC、传感器、安全解决方案等。

Infineon Technologies的主营产品主要分为以下几类:
1. 微控制器(MCU):用于工业自动化、汽车电子、智能家居等领域。
2. 功率管理IC:用于电源管理、电机控制、能源效率优化等。
3. 传感器:包括温度、压力、湿度、光学等传感器,应用于汽车、医疗、消费电子等领域。
4. 安全解决方案:包括智能卡芯片、安全控制器等,用于支付、身份验证、数据保护等。

Infineon Technologies的优势在于:
1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有众多专利技术,保持行业领先地位。
2. 产品多样性:提供广泛的半导体产品,满足不同行业和应用需求。
3. 客户服务:提供定制化解决方案,满足客户的特定需求。
4. 全球布局:在全球设有研发中心、生产基地和销售网络,实现快速响应和本地化服务。

FF200R12KE4数据手册

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INFINEON TECHNOLOGIES IGBT模块 INFINEON TECHNOLOGIES FF200R12KE4 FF200R12KE4数据手册

FF200R12KE4封装设计

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