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GB02SHT03-46

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 300V 10A 0μs 5μA 4A 独立式 TO-46 通孔安装
供应商型号: 1242-1255-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 200
GENESIC SEMICONDUCTOR 整流二极管/整流桥 GB02SHT03-46

GB02SHT03-46概述

    高温硅碳化物肖特基二极管 GB02SHT03-46 技术手册

    产品简介


    GB02SHT03-46 是一款高性能的高温硅碳化物(SiC)肖特基二极管。它设计用于在极端温度条件下工作的电力电子设备,适用于广泛的工业应用。该产品具备卓越的开关特性,能在高达 210°C 的温度下稳定工作,广泛应用于电源转换、逆变器、钻井设备和其他高温环境下的电子系统。

    技术参数


    - 最高重复峰值反向电压:VRRM = 300 V
    - 连续正向电流:TC = 25°C 时为 4 A;TC ≤ 180°C 时为 2 A
    - 半正弦波非重复正向电流:IF,SM = 10 A (TC = 25°C, tP = 10 ms)
    - 非重复峰值正向电流:IF,max = 65 A (TC = 25°C, tP = 10 µs)
    - 总电荷 Qc:TC = 210°C 时为 9 nC
    - 反向漏电流:TC = 25°C 时为 1 µA;TC = 210°C 时为 5 µA
    - 开关时间:ts < 17 ns
    - 总电容:TC = 25°C 时为 76 pF;TC = 210°C 时为 15 pF
    - 最大功率耗散:PTOT = 64 W (TC = 25°C)
    - 工作和存储温度范围:Tj, Tstg = -55°C 至 210°C

    产品特点和优势


    - 高温稳定性:最高可在 210°C 下工作,适合恶劣环境。
    - 低损耗:零反向恢复电荷,提高电路效率。
    - 高可靠性和易用性:易于并联且不会引起热失控,较小的散热需求。
    - 卓越的电气特性:低开关损耗,出色的瞬态响应能力。
    - 可靠性高:通过 MIL-PRF-19500 认证,符合 RoHS 规范。

    应用案例和使用建议


    - 下油井钻探:GB02SHT03-46 能够承受高温和高压,适用于油气田钻井设备中的电源转换和控制模块。
    - 地热仪器:在地热设备中,能有效抵抗高温和腐蚀,保证长期稳定的性能。
    - 太阳能逆变器:其高效率和低损耗特性使得逆变器能够在更宽的工作温度范围内稳定运行,提升整体系统效率。
    使用建议:
    - 在使用前请确保散热系统的设计合理,以避免过热导致的性能下降。
    - 确保在高温环境下操作时有足够的电流冗余,以防止因过载而损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与大多数标准电源设备兼容,可以轻松集成到现有的电力系统中。
    - 技术支持:GeneSiC Semiconductor 提供全面的技术支持和维护服务,包括安装指导、故障排除和应用咨询服务。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 产品在高温下能否正常工作?
    - A: 是的,在 210°C 的温度范围内,该产品能正常工作,但需注意散热设计。

    2. Q: 如何测试产品的可靠性?
    - A: 通过进行高温老化测试和电流冲击测试来验证其长期稳定性和耐用性。

    总结和推荐


    GB02SHT03-46 高温硅碳化物肖特基二极管是一款极为出色的电子元件,具有高可靠性、低损耗和优异的高温性能。适用于各种苛刻环境下的电源转换和控制系统,是高性能电力电子应用的理想选择。鉴于其卓越的性能和广泛的应用前景,我们强烈推荐此产品。
    通过以上详细的技术手册内容解析,GB02SHT03-46 肖特基二极管展示了其在严苛环境下的卓越表现,非常适合作为电源管理系统的核心组件。

GB02SHT03-46参数

参数
反向恢复时间 0μs
正向浪涌电流 10A
配置 独立式
If - 正向电流 4A
Ir - 反向电流 5μA
Vr-反向电压 300V
通用封装 TO-46
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装

GB02SHT03-46厂商介绍

GeneSiC Semiconductor是一家领先的碳化硅(SiC)功率器件制造商,专注于为各种应用提供高效、可靠的半导体解决方案。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅JFET等。这些产品广泛应用于工业、汽车、太阳能、风能、电力传输和分配等领域。

GeneSiC Semiconductor的优势在于其创新的碳化硅技术,这些技术能够提供更高的能效、更低的功耗和更长的使用寿命。公司的碳化硅器件能够在高温、高压和高频率的恶劣环境下稳定工作,满足严苛的应用需求。此外,GeneSiC Semiconductor的产品还具有优异的热性能和电气特性,有助于提高系统的整体性能和可靠性。通过不断的研发和技术创新,GeneSiC Semiconductor致力于为客户提供高质量的碳化硅功率器件,以支持全球能源效率和可持续性的发展。

GB02SHT03-46数据手册

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GB02SHT03-46封装设计

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