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GAP3SLT33-214

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 3.3KV 2A 0μs 10μA 300mA 独立式 SMB(DO-214AA) 贴片安装
供应商型号: NA-GAP3SLT33-214
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
GENESIC SEMICONDUCTOR 整流二极管/整流桥 GAP3SLT33-214

GAP3SLT33-214概述

    GAP3SLT33-214: 3300V 0.3A SiC Schottky MPS™ Diode

    产品简介


    GAP3SLT33-214 是一种由 GeneSiC Semiconductor 公司生产的硅碳化物肖特基功率二极管。该产品的主要特征是能够在高达 3300V 的电压下稳定工作,同时具有较低的正向电流(0.3A)。GAP3SLT33-214 主要应用于医疗成像、高压传感器、石油钻探、地热仪器、高压倍增器、高频整流器、高压开关、脉冲电源等领域。它在高电压和高温环境下表现优异,特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。

    技术参数


    - 电压参数
    - 重复峰值反向电压:3300V
    - 持续正向电流:0.3A(在 125°C 以下)
    - 非重复峰值正向浪涌电流(半正弦波):25°C 时 10ms 内为 2A;150°C 时 10ms 内为 1A
    - 重复峰值正向浪涌电流(半正弦波):25°C 时 10ms 内为 1.4A;150°C 时 10ms 内为 1A
    - 非重复峰值正向浪涌电流:25°C 时 10μs 内为 10A
    - i t 值(∫i dt):25°C 时 10ms 内为 0.02As
    - 其他参数
    - 反向漏电流:25°C 时 1~10µA;175°C 时 10~100µA
    - 总电容:1V 时 93pF;2000V 时 5pF
    - 二极管雪崩硬度:0~2640V 时 100V/ns
    - 功率耗散:25°C 时为 34W
    - 工作及存储温度范围:-55°C 至 175°C
    - 热阻:结到引脚 4.34°C/W
    - 重量:0.1g

    产品特点和优势


    - 增强型浪涌和雪崩坚固性
    - 卓越的品质因数 Q/I
    - 低正向电压适用于高温运行
    - 低热阻
    - 低反向漏电流
    - 温度独立的快速开关
    - 正温度系数的坚固性
    - 高 dV/dt 耐受能力
    优势:
    - 高系统可靠性
    - 最优的价格性能比
    - 改进的系统效率
    - 减少冷却要求
    - 提高系统功率密度
    - 零反向恢复电流
    - 易于并联且不会热失控
    - 实现超高速开关

    应用案例和使用建议


    GAP3SLT33-214 在多种高电压和高温环境中都有广泛应用,如医疗成像设备中的电源转换、高压传感器中的信号调理、地热仪器中的电源管理和石油钻探设备中的电力控制等。为了确保最佳性能,建议在选择合适的散热方案以降低热阻,并进行详细的电路设计来优化性能。

    兼容性和支持


    GAP3SLT33-214 使用标准的 DO-214 封装,这种封装具有广泛的兼容性,可以轻松集成到现有设计中。GeneSiC Semiconductor 提供了丰富的技术支持资源,包括 SPICE 和 PLECS 模型、CAD 模型、评估板和可靠性报告,以便客户能够更好地理解和使用这款产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1: 高温下反向漏电流增加。
    - 解决方案: 通过优化散热设计和选择合适的冷却方案来降低结温。

    - 问题 2: 反向电压下的功率耗散过高。
    - 解决方案: 确保在操作过程中不超过规定的最大值,并考虑使用额外的散热措施。

    - 问题 3: 在某些条件下出现异常的电流波动。
    - 解决方案: 仔细检查电路设计和布局,确保信号完整性,并合理安排组件的位置。

    总结和推荐


    GAP3SLT33-214 是一款性能优越的硅碳化物肖特基功率二极管,具有出色的电气特性和坚固的结构设计。它适用于多种高电压和高温的应用场景,特别是在医疗成像、高压传感器和地热仪器等领域表现出色。总体而言,GAP3SLT33-214 是一款值得推荐的产品,特别是在需要高性能和高可靠性的场合。

GAP3SLT33-214参数

参数
Ir - 反向电流 10μA
Vr-反向电压 3.3KV
反向恢复时间 0μs
正向浪涌电流 2A
配置 独立式
If - 正向电流 300mA
4.57mm(Max)
3.94mm(Max)
2.44mm(Max)
通用封装 SMB(DO-214AA)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GAP3SLT33-214厂商介绍

GeneSiC Semiconductor是一家领先的碳化硅(SiC)功率器件制造商,专注于为各种应用提供高效、可靠的半导体解决方案。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅JFET等。这些产品广泛应用于工业、汽车、太阳能、风能、电力传输和分配等领域。

GeneSiC Semiconductor的优势在于其创新的碳化硅技术,这些技术能够提供更高的能效、更低的功耗和更长的使用寿命。公司的碳化硅器件能够在高温、高压和高频率的恶劣环境下稳定工作,满足严苛的应用需求。此外,GeneSiC Semiconductor的产品还具有优异的热性能和电气特性,有助于提高系统的整体性能和可靠性。通过不断的研发和技术创新,GeneSiC Semiconductor致力于为客户提供高质量的碳化硅功率器件,以支持全球能源效率和可持续性的发展。

GAP3SLT33-214数据手册

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GAP3SLT33-214封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 10.7352 ¥ 92.7521
3000+ $ 10.2384 ¥ 88.4598
6000+ $ 9.7848 ¥ 84.5407
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