处理中...

首页  >  产品百科  >  GB02SLT12-214

GB02SLT12-214

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 1.2KV 18A 0μs 50μA 2A 独立式 SMB(DO-214AA) 贴片安装
供应商型号: GB02SLT12-214
供应商: 云汉优选
标准整包数: 10
GENESIC SEMICONDUCTOR 整流二极管/整流桥 GB02SLT12-214

GB02SLT12-214概述

    GB02SLT12-214 Silicon Carbide Schottky Diode 技术手册

    1. 产品简介


    GB02SLT12-214 是一款由 GeneSiC Semiconductor 生产的硅碳化物肖特基二极管。它具有超低泄漏电流、高可靠性、快速开关速度等特点。这款二极管广泛应用于电源管理系统,如功率因数校正(PFC)、开关模式电源供应(SMPS)、太阳能逆变器、风力涡轮机逆变器、电机驱动、感应加热系统以及不间断电源(UPS)等。

    2. 技术参数


    - 最大重复峰值反向电压 (VRRM): 1200 V
    - 连续正向电流 (IF):
    - 当 TC = 25°C 时: 5 A
    - 当 TC ≤ 150°C 时: 2 A
    - RMS 正向电流 (IF(RMS)):
    - 当 TC ≤ 150°C 时: 3 A
    - 非重复正向电流半正弦波 (IF,SM):
    - 当 TC = 25°C 时: 18 A
    - 当 TC = 150°C 时: 15 A
    - 非重复峰值正向电流 (IF,max):
    - 当 TC = 25°C 时: 100 A
    - 2t 值 (∫i^2 dt):
    - 当 TC = 25°C 时: 1.6 A^2 s
    - 当 TC = 150°C 时: 1.1 A^2 s
    - 总功耗 (Ptot):
    - 当 TC = 25°C 时: 65 W
    - 操作及存储温度范围 (Tj, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 开关时间 (ts):
    - 当 VR = 400 V 时: < 17 ns
    - 当 VR = 960 V 时: 不适用
    - 总电容 (C):
    - 当 VR = 1 V 时: 131 pF
    - 当 VR = 400 V 时: 12 pF
    - 当 VR = 1000 V 时: 8 pF
    - 热阻抗 (RthJC): 2.3°C/W

    3. 产品特点和优势


    GB02SLT12-214 的主要特点包括:
    - 业内领先的低泄漏电流
    - 高达 175°C 的最大操作温度
    - 温度无关的开关行为
    - 出色的浪涌电流能力
    - VF 的正温度系数
    - 极快的开关速度
    - 出色的品质因子 QC/IF
    这些特性使得该二极管具备低待机功耗、改进的电路效率、低成本、并行无热失控、较小的散热需求、低反向恢复电流、低设备电容、低操作温度下的低反向泄漏电流等优点,特别适用于高要求的应用环境。

    4. 应用案例和使用建议


    GB02SLT12-214 广泛应用于多种场合,例如:
    - 功率因数校正(PFC)
    - 开关模式电源供应(SMPS)
    - 太阳能逆变器
    - 风力涡轮机逆变器
    - 电机驱动
    - 感应加热系统
    - 不间断电源(UPS)
    使用建议:
    - 在高温环境中应确保良好的散热管理,以维持正常的工作性能。
    - 根据具体应用需求选择合适的反向电压和电流参数,以避免过载和损坏。
    - 在进行设计时需考虑电路的整体布局,确保信号完整性和热管理。

    5. 兼容性和支持


    GB02SLT12-214 的 SMB / DO-214AA 封装标准且广泛使用,易于与其他电路集成。厂商提供详细的 SPICE 模型文件,便于用户在仿真软件中进行精确模拟。此外,GeneSiC Semiconductor 也提供全面的技术支持和维护服务,确保客户能够顺利使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:二极管的最大重复峰值反向电压是多少?
    - 答: 最大重复峰值反向电压为 1200 V。

    2. 问:在高温条件下,二极管的连续正向电流会下降到多少?
    - 答: 在 TC ≤ 150°C 的情况下,连续正向电流为 2 A。

    3. 问:二极管在操作和存储温度范围内的最大值和最小值分别是多少?
    - 答: 操作及存储温度范围为 -55°C 至 175°C。

    7. 总结和推荐


    综上所述,GB02SLT12-214 硅碳化物肖特基二极管凭借其出色的电气特性和广泛的应用领域,在市场上具备强大的竞争力。其高效、可靠的性能使其成为电源管理和高要求应用的理想选择。强烈推荐给需要高性能、稳定性和耐高温环境的用户。

GB02SLT12-214参数

参数
反向恢复时间 0μs
正向浪涌电流 18A
配置 独立式
If - 正向电流 2A
Ir - 反向电流 50μA
Vr-反向电压 1.2KV
通用封装 SMB(DO-214AA)
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

GB02SLT12-214厂商介绍

GeneSiC Semiconductor是一家领先的碳化硅(SiC)功率器件制造商,专注于为各种应用提供高效、可靠的半导体解决方案。公司主营产品包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅JFET等。这些产品广泛应用于工业、汽车、太阳能、风能、电力传输和分配等领域。

GeneSiC Semiconductor的优势在于其创新的碳化硅技术,这些技术能够提供更高的能效、更低的功耗和更长的使用寿命。公司的碳化硅器件能够在高温、高压和高频率的恶劣环境下稳定工作,满足严苛的应用需求。此外,GeneSiC Semiconductor的产品还具有优异的热性能和电气特性,有助于提高系统的整体性能和可靠性。通过不断的研发和技术创新,GeneSiC Semiconductor致力于为客户提供高质量的碳化硅功率器件,以支持全球能源效率和可持续性的发展。

GB02SLT12-214数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
GENESIC SEMICONDUCTOR 整流二极管/整流桥 GENESIC SEMICONDUCTOR GB02SLT12-214 GB02SLT12-214数据手册

GB02SLT12-214封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 22.6949
500+ ¥ 21.594
1000+ ¥ 20.4984
库存: 11423
起订量: 10 增量: 0
交货地:
最小起订量为:10
合计: ¥ 226.94
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
03P2J-T1-AZ ¥ 1.9566
10A07 ¥ 1.2179
10BQ015TR ¥ 6.8747
10CTQ150 ¥ 0
1616442-1 ¥ 1672.8
16CTQ100S ¥ 0
16FR120 ¥ 34.2318
1N1341B ¥ 175.0666
1N270 ¥ 28.8003
1N4001 ¥ 0