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AS6C8016-55ZINTR

产品分类: 静态随机存储器(SRAM)
厂牌: ALLIANCE MEMORY
产品描述: 8Mb (512K x 16) 512 k x 16 2.7V 60mA 5.5V Parallel TSOP-44 贴片安装,黏合安装
供应商型号: ZT-AS6C8016-55ZINTR
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ALLIANCE MEMORY 静态随机存储器(SRAM) AS6C8016-55ZINTR

AS6C8016-55ZINTR概述


    产品简介


    产品名称: AS6C8016
    产品类型: 低功耗CMOS静态随机存取存储器(SRAM)
    主要功能: AS6C8016是一款具有8,388,608位容量的存储器,组织形式为524,288字节x16位。它具有快速访问时间(55ns)、低功耗和静态操作特性,非常适合于电池备份非易失性存储应用。
    应用领域: 适用于各种低功耗要求高的场合,例如便携式设备、电池供电设备及高性能计算机系统等。

    技术参数


    - 访问时间: 55ns
    - 供电电压范围: 2.7V~5.5V
    - 输入高电压: 2.4V ~ VCC+0.3V
    - 输入低电压: 0.2V ~ 0.6V
    - 读取电流: 30mA
    - 待机电流: 6µA
    - 数据保持电压: 1.5V
    - 工作温度范围: -40°C ~ 85°C
    - 封装: 44-pin 400 mil TSOP-II 和 48-ball 6mm x 8mm TFBGA
    - 兼容性: TTL兼容
    - 数据完整性: 支持数据保留,确保数据在较低供电电压下仍能稳定保存。

    产品特点和优势


    1. 低功耗: AS6C8016在待机状态下的电流仅为6µA,非常适合需要长时间运行的低功耗应用。
    2. 高可靠性: 采用高性能、高可靠性的CMOS工艺制造,适合在广泛的温度范围内稳定运行。
    3. 快速访问时间: 55ns的访问时间使其能够满足高速数据访问的需求。
    4. 灵活的数据控制: 支持字节控制(LB#和UB#),可以根据需要分别控制数据的高低位字节。
    5. 电池备份功能: 特别适用于需要电池备份的非易失性存储需求,确保数据在断电后不会丢失。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 便携式设备: 如智能手机和平板电脑,这些设备通常对功耗有严格要求。
    - 高性能计算机系统: 需要快速读写速度的高性能计算环境。
    - 医疗设备: 在某些医疗设备中,数据的实时读取和保持非常重要。
    使用建议
    - 环境条件: 选择合适的供电电压以保证性能和可靠性。注意避免过低的供电电压导致的数据丢失。
    - 数据保护: 确保在不使用时及时进入待机模式以降低功耗,延长设备寿命。
    - 测试验证: 在部署前进行充分的功能和性能测试,以确保其满足预期的应用要求。

    兼容性和支持


    - 兼容性: AS6C8016与所有TTL兼容的接口兼容,可以直接连接到现有的数字电路中。
    - 支持: 制造商提供详细的技术手册和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。此外,技术支持团队可以在需要时提供帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 设备无法正常工作。
    解决方案: 检查供电电压是否在指定范围内,确认所有引脚均已正确连接。
    - 问题2: 数据访问速度慢。
    解决方案: 检查地址和数据线是否正确,确保时序信号(如CE#、WE#、OE#)同步。
    - 问题3: 待机电流过高。
    解决方案: 检查是否有其他外部因素干扰,确保电源和接地线路稳固。

    总结和推荐


    总结:
    AS6C8016以其出色的低功耗特性、高速访问时间和良好的数据保留能力,在多种应用场景中表现出色。其全面的功能特性和灵活的设计使其成为许多高要求应用的理想选择。
    推荐:
    强烈推荐使用AS6C8016,特别是在需要低功耗、高可靠性和高速数据访问的应用场景中。其优秀的兼容性和广泛的工作温度范围进一步增强了其在多种设备和系统中的适用性。

AS6C8016-55ZINTR参数

参数
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 5.5V
最小工作供电电压 2.7V
组织 512 k x 16
数据总线宽度 -
接口类型 Parallel
存储容量 8Mb (512K x 16)
最大供电电流 60mA
通用封装 TSOP-44
安装方式 贴片安装,黏合安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

AS6C8016-55ZINTR厂商介绍

Alliance Memory是一家专注于提供广泛的半导体存储解决方案的公司,其产品包括静态随机存取存储器(SRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)、闪存(Flash)和可擦写可编程只读存储器(EPROM)。这些产品广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子、医疗设备、通信设备和计算机等领域。

Alliance Memory的产品分类主要包括:
1. SRAM:提供高速、低功耗的存储解决方案,适用于需要快速数据访问的应用。
2. DRAM:提供大容量存储,适用于需要存储大量数据的应用。
3. Flash:提供非易失性存储,适用于需要在断电后保持数据的应用。
4. EPROM:提供可擦写可编程存储,适用于需要频繁更新数据的应用。

Alliance Memory的优势在于:
1. 丰富的产品线:提供多种类型的存储解决方案,满足不同客户的需求。
2. 高性能:产品具有高速、低功耗、高可靠性等特点。
3. 定制服务:根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
4. 技术支持:提供专业的技术支持,帮助客户解决技术问题。

AS6C8016-55ZINTR数据手册

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ALLIANCE MEMORY 静态随机存储器(SRAM) ALLIANCE MEMORY AS6C8016-55ZINTR AS6C8016-55ZINTR数据手册

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