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MR25H256AMDF

产品描述: 256Kb (32K x 8) 32 k x 8 2.7V 27mA 3.6V 40MHz SPI 8bit DFN 贴片安装
供应商型号: 819-1065-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) MR25H256AMDF

MR25H256AMDF概述


    产品简介


    产品名称:MR25H256 / MR25H256A
    产品类型:
    MR25H256 / MR25H256A 是一种256Kb串行SPI MRAM(磁阻随机存取存储器),主要用于高速读写操作和数据存储。MR25H256A 版本已进入大规模生产阶段,并且被推荐用于所有新的设计;而MR25H256 仍在大规模生产中,但最终会被淘汰,并不推荐用于新设计。
    主要功能:
    - 无写入延迟
    - 无限写入耐久性
    - 数据保存超过20年
    - 断电时自动保护数据
    - 区块写保护功能
    - 快速简单的SPI接口,最高可达40 MHz时钟率
    - 电源电压范围2.7至3.6伏
    - 低电流睡眠模式
    - 工业级和汽车级温度范围(-40°C到+85°C和-40°C到+125°C)
    应用领域:
    - 替代串行EEPROM、Flash和FeRAM
    - 广泛应用于工业控制、自动化系统、汽车电子等领域

    技术参数


    规格和电气特性:
    - 存储容量:32KB
    - 支持SPI接口:CS、SI、SO、SCK
    - 最大工作频率:40 MHz
    - 电源电压范围:2.7 V ~ 3.6 V
    - 操作温度范围:
    - 工业级:-40°C ~ +85°C
    - 汽车级AEC-Q100:-40°C ~ +125°C(Grade 1)、-40°C ~ +85°C(Grade 3)
    - 封装形式:8-DFN、8-DFN Small Flag(RoHS兼容)
    工作环境:
    - 高可靠性,适合长期稳定运行
    - 环境温度适应性强,可在极端条件下工作

    产品特点和优势


    独特功能和优势:
    - 无写入延迟:极大提高了写入效率和实时性。
    - 无限写入耐久性:解决了传统存储器因频繁写入导致的寿命限制问题。
    - 长数据保留时间:确保数据安全持久。
    - 区块写保护:提供灵活的数据安全保护机制。
    - 低功耗:适用于对能耗要求较高的应用。
    - 简单快速的SPI接口:便于集成和使用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 工业控制系统:用于实时数据记录和处理。
    - 自动驾驶系统:用于车辆状态监控和传感器数据存储。
    - 电信基础设施:用于关键参数和日志数据的存储。
    使用建议:
    - 在工业级环境中使用时,需注意保持良好的散热条件,以延长设备使用寿命。
    - 在极端温度下工作时,应确保设备具备良好的温控能力。
    - 使用过程中,合理配置区块写保护功能,保障数据安全。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - MR25H256 / MR25H256A 可作为串行EEPROM、Flash和FeRAM的直接替代品,方便用户迁移现有设计。
    支持和服务:
    - 厂商提供详尽的技术文档和应用指南,帮助用户更好地理解和使用该产品。
    - 客户技术支持,解答用户在使用过程中遇到的各种问题。

    常见问题与解决方案


    常见问题及解决方案:
    - 问题1:数据丢失
    - 解决方案:检查电源电压是否稳定,并确认是否正确配置了自动数据保护功能。
    - 问题2:无法读写数据
    - 解决方案:确保SPI接口连接正确,验证命令序列是否准确,特别是写使能(WREN)和写禁用(WRDI)的使用。
    - 问题3:数据传输速率慢
    - 解决方案:检查时钟频率设置,确保时钟频率不超过规定的最大值(40 MHz)。

    总结和推荐


    综合评估:
    - MR25H256 / MR25H256A 具有无写入延迟、无限写入耐久性、长数据保留时间等一系列显著优势,特别适用于需要高速读写和数据安全的应用场合。
    - 产品稳定性高,可靠性强,非常适合工业和汽车电子等领域的应用。
    - 强烈推荐此款产品,特别是在对存储性能和数据安全性有较高要求的设计项目中。
    综上所述,MR25H256 / MR25H256A 是一款值得推荐的高性能MRAM产品,能够满足多种复杂应用场景的需求。

MR25H256AMDF参数

参数
最小工作供电电压 2.7V
组织 32 k x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI
存储容量 256Kb (32K x 8)
最大供电电流 27mA
最大时钟频率 40MHz
最大工作供电电压 3.6V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

MR25H256AMDF厂商介绍

Everspin Technologies是一家领先的磁阻随机存取存储器(MRAM)技术公司,专注于开发和制造非易失性存储器解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. MRAM存储器:提供高性能、高可靠性的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和持久存储的应用。

2. STT-MRAM:自旋转移力矩磁阻存储器,以其低功耗和高速度而闻名,适用于需要快速读写操作的场景。

3. Toggle MRAM:切换式磁阻存储器,以其高密度和高耐用性而受到青睐,适用于需要大容量存储和频繁数据更新的应用。

Everspin Technologies的产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:

- 工业控制:用于实现关键任务的数据处理和存储。
- 汽车电子:为车载系统提供可靠的数据存储解决方案。
- ****:在极端环境下保持数据的完整性和可靠性。
- 数据中心:作为高速缓存或持久存储,提高数据处理效率。

Everspin Technologies的优势在于:

- 技术领先:拥有先进的MRAM技术,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。
- 定制化服务:能够根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
- 广泛的应用领域:产品适用于多个行业,具有广泛的市场潜力。
- 持续创新:不断研发新技术,以满足不断变化的市场需求。

MR25H256AMDF数据手册

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EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) EVERSPIN TECHNOLOGIES MR25H256AMDF MR25H256AMDF数据手册

MR25H256AMDF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 11.4264 ¥ 96.5531
10+ $ 10.1951 ¥ 85.3204
25+ $ 9.964 ¥ 83.3865
40+ $ 9.9107 ¥ 82.94
80+ $ 8.7244 ¥ 73.0126
230+ $ 8.3928 ¥ 70.2372
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