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MR0A16ACYS35

产品描述: 1Mb (64K x 16) 64 k x 16 3V 165mA 3.6V Parallel 16bit SOP 贴片安装 18.41mm*10.16mm*1.2mm
供应商型号: UA-MR0A16ACYS35
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) MR0A16ACYS35

MR0A16ACYS35概述


    产品简介


    MR0A16A 磁阻随机存取存储器(MRAM)
    MR0A16A 是一款高性能、高可靠性的磁阻随机存取存储器,容量为 64K x 16 位,具备 SRAM 兼容的读写周期时间,适用于需要快速永久存储关键数据和程序的应用。这款存储器在系统设计上可以替代 FLASH、SRAM、EEPROM 和 BBSRAM,使得整体设计更加简单高效。

    技术参数


    - 电源电压:3.3 伏
    - 读写周期时间:35 纳秒(ns)
    - 读写耐久性:无限次
    - 工作温度范围:商业级(0 至 +70°C),工业级(-40 至 +85°C),扩展级(-40 至 +105°C),车规级(AEC-Q100 Grade 1,-40 至 +125°C)
    - 非易失性数据保留时间:超过 20 年
    - 封装形式:TSOP2 44 针和 BGA 48 球,符合 RoHS 标准

    产品特点和优势


    1. 高可靠性:具备电池备份 SRAM 的所有优点,并且没有电池寿命限制,可永久保存数据超过 20 年。
    2. 高速度:具有 35ns 的快速读写周期,比传统 SRAM 更快。
    3. 无限耐久性:无限次的读写操作,无数据磨损问题。
    4. 宽温范围:适应多种工作温度,涵盖商业、工业及汽车等多个领域的需求。
    5. 符合 RoHS 标准:环保无铅封装。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    MR0A16A 在数据记录、工业控制、汽车电子等领域都有广泛应用。例如,在工业自动化系统中,MR0A16A 可以用于实时数据缓存和备份,确保数据的即时性和安全性。
    使用建议:
    1. 上电和断电管理:在启动时,必须保证 VDD 超过 VWI 后,延迟 2ms 再进行读写操作。对于断电保护,建议在断电过程中保持数据完整性。
    2. 信号同步:E 和 W 控制信号应在上电期间跟踪 VDD,并保持高电平状态至少 2ms。
    3. 环境因素注意:在强磁场环境下工作时,需避免超过规定的最大磁场所允许的强度。

    兼容性和支持


    - 封装兼容性:TSOP2 和 BGA 封装与相似的低功耗 SRAM 产品和其他非易失性 RAM 产品兼容。
    - 支持服务:厂家提供全面的技术支持和售后维护服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 上电后无法正常读写 | 检查 VDD 是否达到 VWI,并等待 2ms 后再操作 |
    | 数据丢失 | 确保数据非易失性功能开启 |
    | 温度过高导致数据不稳定 | 降低工作温度或增加散热措施 |

    总结和推荐


    MR0A16A 是一款高度可靠的非易失性存储器,特别适合对数据安全和快速访问有极高要求的应用。它拥有无限次的读写耐久性、快速的读写周期和宽泛的工作温度范围。建议在对数据稳定性有高要求的设计项目中采用 MR0A16A。无论是工业自动化还是汽车电子领域,MR0A16A 都能提供卓越的性能和可靠性保障。

MR0A16ACYS35参数

参数
最小工作供电电压 3V
组织 64 k x 16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 1Mb (64K x 16)
最大供电电流 165mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
长*宽*高 18.41mm*10.16mm*1.2mm
通用封装 SOP
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

MR0A16ACYS35厂商介绍

Everspin Technologies是一家领先的磁阻随机存取存储器(MRAM)技术公司,专注于开发和制造非易失性存储器解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. MRAM存储器:提供高性能、高可靠性的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和持久存储的应用。

2. STT-MRAM:自旋转移力矩磁阻存储器,以其低功耗和高速度而闻名,适用于需要快速读写操作的场景。

3. Toggle MRAM:切换式磁阻存储器,以其高密度和高耐用性而受到青睐,适用于需要大容量存储和频繁数据更新的应用。

Everspin Technologies的产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:

- 工业控制:用于实现关键任务的数据处理和存储。
- 汽车电子:为车载系统提供可靠的数据存储解决方案。
- ****:在极端环境下保持数据的完整性和可靠性。
- 数据中心:作为高速缓存或持久存储,提高数据处理效率。

Everspin Technologies的优势在于:

- 技术领先:拥有先进的MRAM技术,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。
- 定制化服务:能够根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
- 广泛的应用领域:产品适用于多个行业,具有广泛的市场潜力。
- 持续创新:不断研发新技术,以满足不断变化的市场需求。

MR0A16ACYS35数据手册

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EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) EVERSPIN TECHNOLOGIES MR0A16ACYS35 MR0A16ACYS35数据手册

MR0A16ACYS35封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 14.85 ¥ 124.443
98+ $ 14.75 ¥ 123.605
260+ $ 14.55 ¥ 121.929
724+ $ 13.7875 ¥ 115.5393
库存: 112
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