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MR2A16ACYS35

产品描述: 4Mb (256K x 16) 256Kx16 3V 165mA 3.6V Parallel 16bit TSOP-44 贴片安装
供应商型号: M-MR2A16ACYS35
供应商: Future
标准整包数: 1
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) MR2A16ACYS35

MR2A16ACYS35概述

    MR2A16A 256K x 16 MRAM Memory 技术手册解析

    产品简介


    产品类型与主要功能:
    MR2A16A 是一款 256K x 16 的磁阻随机存取存储器(MRAM),由 Everspin Technologies 设计生产。该器件具有SRAM 兼容的 35 ns 读写周期时间,具备无限制的读写耐久性,数据非易失性可达20年以上。它结合了Flash、SRAM、EEPROM 和 BBSRAM 的功能于一体,为系统设计提供了简化且高效的解决方案。
    应用领域:
    广泛应用于需要快速永久存储和检索关键数据和程序的应用场景,如汽车电子、工业控制、通信设备、医疗设备及消费电子等领域。

    技术参数


    - 读写周期时间:35 ns
    - 供电电压范围:3.0 V 至 3.6 V
    - 芯片温度范围:商业级 (0至+70 °C),工业级 (-40至+85 °C),扩展级 (-40至+105 °C),AEC-Q100 级 (-40至+125 °C)
    - 绝对最大额定值:
    - VDD 最大供电电压:4.0 V
    - 输入电压范围:-0.5 V 至 VDD + 0.5 V
    - 输出电流:±20 mA
    - 工作环境条件:电源上电和掉电序列要求 VDD 超过 VDD(min) 2 ms 后才能开始读写操作。
    - 输出负载条件:
    - 高低阻抗参数测试负载:50 Ω,5 pF
    - 所有其他时序参数测试负载:435 Ω,590 Ω,5 pF
    - 读写时序参数:详细列出了各种读写操作的时序参数,包括地址访问时间、输出使能时间和数据保持时间等。

    产品特点和优势


    - 高速读写性能:35 ns 的读写周期时间,使得数据处理速度更快。
    - 无限耐久性:无限制的读写次数,适用于频繁读写操作的场合。
    - 数据非易失性:即使在断电情况下也能保证数据保存超过20年,无需额外的电池支持。
    - 替代方案:一个 MR2A16A 就可以取代 Flash、SRAM、EEPROM 和 BBSRAM,简化了系统设计,减少了物料清单的成本和复杂性。
    - 可靠性提升:自动数据保护机制,防止在电压不达标的情况下进行数据写入,提升了系统的可靠性和安全性。
    - 多种封装形式:提供 48 球 BGA 和 44 引脚 TSOP2 封装,兼容类似的低功耗 SRAM 产品。

    应用案例和使用建议


    应用案例:MR2A16A 广泛应用于汽车电子系统中,如车载导航系统和安全气囊控制系统,以及工业自动化控制设备中,例如 PLC 和工业机器人。此外,在通信设备和医疗仪器中也有广泛应用,用于高速缓存和数据记录。
    使用建议:
    - 在选择供电电压时,确保 VDD 范围在 3.0 V 至 3.6 V 之间,以获得最佳性能。
    - 需要注意电源上电和掉电时的顺序,确保在 VDD 超过 VDD(min) 2 ms 后再进行读写操作。
    - 为了提高可靠性,建议在高阻抗输入信号上采取正常预防措施,避免电压过高导致的损坏。
    - 使用适当的输入输出负载条件,确保读写操作的准确性和稳定性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:MR2A16A 支持与现有 SRAM 控制器兼容,无需重新设计。封装形式支持 48 球 BGA 和 44 引脚 TSOP2,方便集成到现有设计中。
    - 厂商支持:Everspin Technologies 提供详尽的技术手册和专业支持,帮助客户解决使用过程中遇到的各种问题。厂商还提供样品请求和订购服务,以便客户进行进一步测试和评估。

    常见问题与解决方案


    - 问题一:在使用过程中出现数据丢失现象。
    - 解决方案:检查供电电压是否稳定,确认供电电压符合 VDD(min) 以上的要求,确保数据不会因为电压不稳而丢失。

    - 问题二:在读写操作过程中出现异常中断。
    - 解决方案:检查地址访问时间和输出使能时间是否满足时序要求,确保在进行读写操作前已经完成相应的时序准备。

    总结和推荐


    总结:MR2A16A 是一款高性能、高可靠性的 MRAM 存储器,集成了高速读写、无限耐久性和长寿命数据保存等多项优势,非常适合用于需要快速存储和检索数据的应用场景。
    推荐:鉴于其卓越的性能和广泛的适用性,强烈推荐在各类对数据保存和读写速度有较高要求的应用中采用 MR2A16A。同时,Everspin Technologies 提供的专业支持和服务也为用户提供了极大的便利和保障。

MR2A16ACYS35参数

参数
最小工作供电电压 3V
组织 256Kx16
数据总线宽度 16bit
接口类型 Parallel
存储容量 4Mb (256K x 16)
最大供电电流 165mA
最大时钟频率 -
最大工作供电电压 3.6V
18.54mm(Max)
10.29mm(Max)
1.2mm(Max)
通用封装 TSOP-44
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

MR2A16ACYS35厂商介绍

Everspin Technologies是一家领先的磁阻随机存取存储器(MRAM)技术公司,专注于开发和制造非易失性存储器解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. MRAM存储器:提供高性能、高可靠性的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和持久存储的应用。

2. STT-MRAM:自旋转移力矩磁阻存储器,以其低功耗和高速度而闻名,适用于需要快速读写操作的场景。

3. Toggle MRAM:切换式磁阻存储器,以其高密度和高耐用性而受到青睐,适用于需要大容量存储和频繁数据更新的应用。

Everspin Technologies的产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:

- 工业控制:用于实现关键任务的数据处理和存储。
- 汽车电子:为车载系统提供可靠的数据存储解决方案。
- ****:在极端环境下保持数据的完整性和可靠性。
- 数据中心:作为高速缓存或持久存储,提高数据处理效率。

Everspin Technologies的优势在于:

- 技术领先:拥有先进的MRAM技术,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。
- 定制化服务:能够根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
- 广泛的应用领域:产品适用于多个行业,具有广泛的市场潜力。
- 持续创新:不断研发新技术,以满足不断变化的市场需求。

MR2A16ACYS35数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) EVERSPIN TECHNOLOGIES MR2A16ACYS35 MR2A16ACYS35数据手册

MR2A16ACYS35封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 26.152 ¥ 220.9844
4+ $ 25.366 ¥ 214.3427
20+ $ 25.014 ¥ 211.3683
40+ $ 24.86 ¥ 210.067
125+ $ 24.464 ¥ 206.7208
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