处理中...

首页  >  产品百科  >  MR25H128ACDF

MR25H128ACDF

产品描述: 128Kbit 16 k x 8 2.7V 27mA 3.6V 40MHz SPI 8bit DFN-8 贴片安装
供应商型号: 936-MR25H128ACDF
供应商: Mouser
标准整包数: 1
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) MR25H128ACDF

MR25H128ACDF概述

    MR25H128A 128Kbit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

    1. 产品简介


    产品类型:128Kbit磁阻随机存取存储器(MRAM)
    主要功能:该器件组织为16,384个字节的8位存储单元,提供与串行EEPROM和闪存兼容的读写时序,具有无写延迟和无限次擦写耐久性的特点。
    应用领域:适用于需要快速存储和检索数据和程序的应用场景,尤其是对于那些需要高可靠性且使用小引脚数的应用。

    2. 技术参数


    供电电压:2.7至3.6伏
    接口类型:SPI接口,最高时钟频率可达40 MHz
    温度范围:工业级(-40°C至+85°C);AEC-Q100汽车级1(-40°C至+125°C);AEC-Q100汽车级3(-40°C至+85°C)
    封装形式:8-pin DFN Small Flag RoHS-compliant
    存储容量:128Kb
    数据保持时间:超过20年
    写保护功能:支持块写保护
    电流消耗:
    - 活动读电流(@1 MHz):2.5 至 3 mA
    - 活动读电流(@40 MHz):6 至 10 mA
    - 活动写电流(@1 MHz):8 至 13 mA
    - 活动写电流(@40 MHz):23 至 27 mA
    - 待机电流(CS高):1 至 90 μA
    - 睡眠模式待机电流(CS高):30 μA

    3. 产品特点和优势


    - 无写延迟:支持连续的数据写入,无需等待。
    - 无限擦写次数:提供极高的数据存储耐久性。
    - 高速读写:高达40 MHz的SPI接口时钟速度。
    - 低功耗:睡眠模式下电流消耗仅30 μA。
    - 可靠的长期数据保持:数据可保存超过20年。
    - 兼容性强:可以直接替代现有的串行EEPROM和Flash芯片。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景:
    - 汽车电子系统:如车身控制模块(BCM)、发动机控制单元(ECU)等。
    - 工业自动化:如PLC控制器、传感器等。
    - 医疗设备:如心电图机、医疗监控设备等。
    使用建议:
    - 使用时应确保电源稳定,避免电压波动。
    - 在进行多次写操作时,应注意监控电流消耗。
    - 配合外部电路设计时,可以考虑增加额外的写保护措施以防止意外写入。

    5. 兼容性和支持


    兼容性:直接兼容现有串行EEPROM、闪存和铁电RAM(FeRAM)的产品。
    厂商支持:提供详尽的技术文档、参考设计和开发工具包,以支持用户的项目开发。

    6. 常见问题与解决方案


    常见问题:电源电压超出规定范围。
    解决方案:确保电源电压在2.7至3.6伏之间,避免电源异常导致器件损坏。
    常见问题:数据丢失或错误。
    解决方案:检查连接线路是否接触良好,确认时钟信号正常。必要时,可以重新写入数据并验证数据完整性。

    7. 总结和推荐


    综合评估:MR25H128A是一款出色的串行MRAM,具有优异的性能指标和广泛的应用前景。其无写延迟、无限擦写次数、高速读写能力和低功耗的特点使其成为许多应用场合的理想选择。
    推荐:强烈推荐给需要高可靠性存储解决方案的设计工程师和项目开发者,尤其适用于对数据持久性和稳定性有严格要求的应用场景。

MR25H128ACDF参数

参数
最小工作供电电压 2.7V
组织 16 k x 8
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI
存储容量 128Kbit
最大供电电流 27mA
最大时钟频率 40MHz
最大工作供电电压 3.6V
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 托盘

MR25H128ACDF厂商介绍

Everspin Technologies是一家领先的磁阻随机存取存储器(MRAM)技术公司,专注于开发和制造非易失性存储器解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. MRAM存储器:提供高性能、高可靠性的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和持久存储的应用。

2. STT-MRAM:自旋转移力矩磁阻存储器,以其低功耗和高速度而闻名,适用于需要快速读写操作的场景。

3. Toggle MRAM:切换式磁阻存储器,以其高密度和高耐用性而受到青睐,适用于需要大容量存储和频繁数据更新的应用。

Everspin Technologies的产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:

- 工业控制:用于实现关键任务的数据处理和存储。
- 汽车电子:为车载系统提供可靠的数据存储解决方案。
- ****:在极端环境下保持数据的完整性和可靠性。
- 数据中心:作为高速缓存或持久存储,提高数据处理效率。

Everspin Technologies的优势在于:

- 技术领先:拥有先进的MRAM技术,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。
- 定制化服务:能够根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
- 广泛的应用领域:产品适用于多个行业,具有广泛的市场潜力。
- 持续创新:不断研发新技术,以满足不断变化的市场需求。

MR25H128ACDF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) EVERSPIN TECHNOLOGIES MR25H128ACDF MR25H128ACDF数据手册

MR25H128ACDF封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 5.474 ¥ 46.2553
10+ $ 4.884 ¥ 41.2698
25+ $ 4.4712 ¥ 37.7816
100+ $ 4.3092 ¥ 36.4127
570+ $ 4.053 ¥ 34.2479
1140+ $ 3.8535 ¥ 32.5621
库存: 342
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 46.25
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
CY14B101I-SFXIT ¥ 120.1186
CY14B101LA-SZ25XI ¥ 94.5669
CY14B104LA-ZS45XIT ¥ 300.9721
CY14B104N-ZS25XCES ¥ 0
CY14B104NA-BA20XI ¥ 411.3354
CY14B104NA-ZS45XE ¥ 307.4071
CY14B104NA-ZSP25XIT ¥ 319.872
CY14B108N-BA45XIT ¥ 539.2842
CY14B256I-SFXIT ¥ 44.952
CY14V101LA-BA45XI ¥ 102.0338