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MR25H40CDF

产品描述: 4Mb (512K x 8) 512Kx8 3V 42mA 3.6V 40MHz SPI 8bit DFN-8 贴片安装
供应商型号: UA-MR25H40CDF
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) MR25H40CDF

MR25H40CDF概述


    产品简介




    产品名称:MR20H40 / MR25H40

    类型及功能:
    MR20H40和MR25H40是Everspin Technologies推出的4Mb串行外设接口(SPI)磁阻随机存取存储器(MRAM)设备。这些设备具有高速读写能力,无写入延迟,以及无限次擦写次数。它们适用于需要快速存储和检索数据的应用场合。

    应用领域:
    - 工业控制
    - 数据采集系统
    - 嵌入式系统
    - 通讯设备


    技术参数




    电气特性:
    - 工作频率:MR20H40最高可达50MHz,MR25H40最高可达40MHz
    - 工作电压:3.0至3.6伏
    - 休眠电流模式:低功耗模式
    - 工作温度范围:
    - 工业级:-40℃至+85℃
    - 扩展级:-40℃至+105℃
    - 汽车级:-40℃至+125℃

    封装选项:
    - 8针DIP封装(DFN)
    - 8针小旗DIP封装(DFN Small Flag)

    其他特性:
    - 自动断电保护
    - 支持自动数据保护,在电源故障时提供数据保护
    - 直接替代串行EEPROM、闪存和FeRAM


    产品特点和优势




    特点:
    - 无写入延迟
    - 无限次擦写
    - 高达20年以上的数据保留时间
    - 快速、简单的SPI接口
    - 低电流睡眠模式

    优势:
    - 极高的可靠性:MRAM可以在广泛的温度范围内提供可靠的数据存储
    - 高性能:与传统存储器相比,具有更高的写入速度和更低的能耗
    - 简化的集成:可以直接替换传统的串行存储器


    应用案例和使用建议




    应用案例:
    MR20H40和MR25H40在工业控制、嵌入式系统和数据采集系统中被广泛应用。例如,在一个自动化生产线上,这些设备可以用于保存关键的操作数据,确保在电源故障情况下数据不会丢失。

    使用建议:
    - 在极端环境下使用时,应选择扩展级或汽车级的产品,以保证可靠性和耐用性。
    - 使用低功耗模式以节省能源,并在不使用时切换到休眠模式。


    兼容性和支持




    兼容性:
    - 兼容现有的串行EEPROM、闪存和FeRAM设备,便于替换。

    支持和服务:
    - Everspin Technologies提供了详尽的技术文档和支持服务,包括详细的技术手册、应用指南和在线技术支持。


    常见问题与解决方案




    问题1:无法进行写入操作
    解决方法:
    检查WP信号是否设置正确,确认SRWD位是否为高电平。如果需要修改WP或SRWD位,需先将WP信号置高再操作。

    问题2:无法正确读取数据
    解决方法:
    检查SCK信号是否正确配置,确认是否处于指定的SPI模式(Mode 0或Mode 3)。若SCK信号未正确同步,则会导致数据读取错误。


    总结和推荐




    总结:
    MR20H40和MR25H40是市场上高性能、高可靠性的SPI接口MRAM设备。这些设备以其出色的性能、简便的集成能力和广泛的工作温度范围,使其成为许多应用的理想选择。

    推荐:
    鉴于其诸多优势,我们强烈推荐MR20H40和MR25H40用于那些需要高性能、长寿命数据存储和快速访问的应用场合。无论是工业控制还是嵌入式系统,这些设备都能提供卓越的性能表现和可靠的解决方案。

MR25H40CDF参数

参数
最大工作供电电压 3.6V
最小工作供电电压 3V
组织 512Kx8
数据总线宽度 8bit
接口类型 SPI
存储容量 4Mb (512K x 8)
最大供电电流 42mA
最大时钟频率 40MHz
5.1mm(Max)
6.1mm(Max)
1mm(Max)
通用封装 DFN-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 托盘

MR25H40CDF厂商介绍

Everspin Technologies是一家领先的磁阻随机存取存储器(MRAM)技术公司,专注于开发和制造非易失性存储器解决方案。公司的产品主要分为以下几类:

1. MRAM存储器:提供高性能、高可靠性的存储解决方案,适用于需要快速数据访问和持久存储的应用。

2. STT-MRAM:自旋转移力矩磁阻存储器,以其低功耗和高速度而闻名,适用于需要快速读写操作的场景。

3. Toggle MRAM:切换式磁阻存储器,以其高密度和高耐用性而受到青睐,适用于需要大容量存储和频繁数据更新的应用。

Everspin Technologies的产品广泛应用于多个领域,包括但不限于:

- 工业控制:用于实现关键任务的数据处理和存储。
- 汽车电子:为车载系统提供可靠的数据存储解决方案。
- ****:在极端环境下保持数据的完整性和可靠性。
- 数据中心:作为高速缓存或持久存储,提高数据处理效率。

Everspin Technologies的优势在于:

- 技术领先:拥有先进的MRAM技术,提供高性能和高可靠性的存储解决方案。
- 定制化服务:能够根据客户需求提供定制化的存储解决方案。
- 广泛的应用领域:产品适用于多个行业,具有广泛的市场潜力。
- 持续创新:不断研发新技术,以满足不断变化的市场需求。

MR25H40CDF数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
EVERSPIN TECHNOLOGIES 非易失性存储器(NVRAM) EVERSPIN TECHNOLOGIES MR25H40CDF MR25H40CDF数据手册

MR25H40CDF封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 19.5625 ¥ 163.9338
80+ $ 19.3 ¥ 161.734
212+ $ 18.725 ¥ 156.9155
590+ $ 16.9375 ¥ 141.9363
库存: 172
起订量: 7 增量: 570
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合计: ¥ 163.93
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