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MBR10100CT

产品分类: 整流二极管/整流桥
产品描述: 封装:TO-220AB 参数:VRM=1000V,IO=1.5A,IFSM=50A,VF=1.1V,IR=10uA
供应商型号: MBR10100CT TO-220AB
供应商: 期货订购
标准整包数: 50
MDD/辰达半导体 整流二极管/整流桥 MBR10100CT

MBR10100CT概述


    产品简介


    产品名称:肖特基势垒整流器(SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER)
    产品型号:DN:T20526A0
    产品概述:该肖特基势垒整流器是适用于多种应用场景的高性能电子元器件,主要通过肖特基势垒实现电能的转换。广泛应用于电力系统、通讯设备、汽车电子、工业自动化控制等领域。

    技术参数


    - 最大重复峰值反向电压 (VRRM):20V 至 100V
    - 最大有效值电压 (VRMS):14V 至 70V
    - 最大直流阻断电压 (VDC):20V 至 100V
    - 最大平均正向整流电流 (I(AV)):10.0A
    - 最大瞬时正向电压 (VF):0.55V 至 0.85V
    - 最大直流反向电流 (IR):1.0mA
    - 典型结电容 (CJ):550pF 至 450pF
    - 典型热阻 (RθJC):2.0℃/W
    - 最大瞬时正向浪涌电流 (IFSM):150A
    - 工作结温范围 (TJ):-50°C 至 +125°C 或 -50°C 至 +150°C
    - 储存温度范围 (TSTG):-50°C 至 +150°C

    产品特点和优势


    1. 低反向泄漏电流:在高电压条件下保持稳定的性能,减少了能量损耗。
    2. 高正向浪涌电流能力:确保在电流峰值情况下仍然稳定运行。
    3. 高温焊接保证:250°C 下可耐受0.25英寸距离的焊接,提高了可靠性和耐用性。
    4. 塑料封装符合UL标准:提供卓越的防火性能。
    5. 无空洞模塑工艺:提高了产品的机械强度和抗冲击能力。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电力系统中的整流器电路
    - 通讯设备的电源模块
    - 汽车电子中的充电控制
    - 工业自动化中的控制系统
    使用建议:
    1. 在选择适合的应用场景时,需注意最大反向电压 (VRRM) 和平均正向整流电流 (I(AV)) 是否满足设计需求。
    2. 在安装过程中,应确保良好的散热措施,避免过热导致损坏。
    3. 确保工作环境温度符合产品的规定范围,避免在极端环境下长时间使用。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该产品与其他常见的电路板及配件具有良好的兼容性,可以方便地集成到现有的电路设计中。
    - 支持和服务:制造商提供详尽的技术支持和售后服务,包括产品说明书、应用指南和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    常见问题:
    1. 如何正确测量结电容 (CJ)?
    2. 在何种情况下需要增加散热器?
    解决方案:
    1. 使用高频仪器(如1 MHz)测量,在4.0V直流反向电压下进行测量。
    2. 当工作电流超过额定值50%时,建议增加散热器以提高散热效果。

    总结和推荐


    综合评估:该肖特基势垒整流器具备出色的性能参数和可靠性,特别适合在高电压和大电流的应用环境中使用。其独特的技术和优势使其在市场上具备较高的竞争力。
    推荐使用:对于需要高效电能转换且要求较低能量损耗的应用场景,推荐使用该肖特基势垒整流器。其出色的性能表现和稳定的工作条件使其成为众多应用场景的理想选择。

MBR10100CT参数

参数
Vr-反向电压 100V
反向恢复时间 TO-220AB
正向浪涌电流 150A
配置 -
If - 正向电流 10A
Ir - 反向电流 1mA
通用封装 TO-220AB
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售

MBR10100CT厂商介绍

深圳辰达半导体有限公司 https://www.microdiode.com (简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业。

公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。

公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。

展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。

MBR10100CT数据手册

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MBR10100CT封装设计

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